Введение в теорию полупроводников

Автор(ы):Ансельм А. И.
04.08.2015
Год изд.:1978
Описание: Настоящая книга предназначается в первую очередь для лиц, занятых экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Она, вероятно, окажется полезной и для студентов физических специальностей. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (прохождению тока).
Оглавление:
Введение в теорию полупроводников — обложка книги. Обложка книги.
Из предисловия к первому изданию [6]
Предисловие ко второму изданию [7]
Глава I. Геометрия кристаллических решеток и дифракция рентгеновских лучей [9]
  § 1. Простые и сложные кристаллические решетки [9]
  § 2. Примеры конкретных кристаллических структур [15]
  § 3. Прямая и обратная решетки кристалла [20]
  § 4. Формулы Лауэ и Вульфа—Брэгга для дифракции рентгеновских лучей в кристалле. Атомный и структурный факторы рассеяния [24]
Глава II. Элементы теории групп и симметрия кристаллов [30]
  § 1. Введение [30]
  § 2. Элементы абстрактной теории групп [33]
  § 3. Точечные группы [39]
  § 4. Группа трансляций. Сингонии (кристаллические системы) и решетки Браве [48]
  § 5. Кристаллические классы. Пространственные группы [55]
  § 6. Неприводимые представления групп и теория характеров [64]
  § 7. Квантовая механика и теория групп [79]
  § 8. Применение теории групп к исследованию расщепления уровней энергии примесного атома в кристалле и к классификации нормальных колебаний многоатомной молекулы [86]
  § 9. Применение теории групп к трансляционной симметрии кристалла [96]
  § 10. Правила отбора [106]
Глава III. Колебания атомов кристаллической решетки [110]
  § 1. Природа сил взаимодействия атомов в кристалле [110]
  § 2. Колебания и волны в простой одномерной (линейной) решетке [119]
  § 3. Колебания и волны в сложной одномерной (линейной) решетке [125]
  § 4. Нормальные координаты для простом одномерной решетки [130]
  § 5. Колебания атомов трехмерной сложной кристаллической решетки [133]
  § 6. Нормальные координаты колебаний кристаллической решетки [145]
  § 7. Колебания простой кубической решетки [151]
  § 8. Применение теории групп к исследованию нормальных колебаний кристаллической решетки [157]
  § 9. Колебания и волны в кристаллах в приближении изотропного континуума [166]
  § 10. Квантование колебаний кристаллической решетки. Фононы [173]
  § 11. Теория теплоемкости кристаллической решетки [178]
  § 12. Уравнение состояния твердого тела [186]
  § 13. Тепловое расширение и теплопроводность твердого тела [191]
Глава IV. Электроны в идеальном кристалле [196]
  § 1. Общая постановка задачи. Адиабатическое приближение [196]
  § 2. Метод Хартри—Фока [199]
  § 3. Электрон в периодическом ноле [206]
  § 4. Понятие о положительных дырках почти заполненной валентной зоны [217]
  § 5. Приближение почти свободных (слабо связанных) электронов [221]
  § 6. Зоны Бриллюэна [225]
  § 7. Приближение сильно связанных электронов [231]
  § 8. Структура энергетических зон и симметрия волновых функций в  простой кубической решетке и в кристалле сурмянистого индия [246]
  § 9. Группы волнового вектора для решетки типа германия [253]
  § 10. Спин-орбитальное взаимодействие и двойные группы [258]
  § 11. Двойные группы в кристаллах InSb и Ge [266]
  § 12. Спин-орбитальное расщепление в кристаллах InSb и Ge [272]
  § 13. Исследование спектра электронов (дырок) вблизи минимума (максимума) энергии в зоне Бриллгоэна (кр-метод) [276]
  § 14. Симметрия, связанная с обращением времени [291]
  § 15. Структура энергетических зон некоторых полупроводников [299]
Глава V. Локализованные состояния электрона в кристалле [304]
  § 1. Функции Ванье. Движение электрона в поле примеси [304]
  § 2. Локализованные состояния электрона в неидеальной решетке [311]
  § 3. Экситоны [318]
  § 4. Поляроны [325]
Глава VI. Электрические, тепловые и магнитные свойства твердых тел [336]
  § 1. Металлы, диэлектрики и полупроводники [336]
  § 2. Статистическое равновесие свободных электронов в полупроводниках и металлах [338]
  § 3. Теплоемкость свободных электронов в металлах и полупроводниках [349]
  § 4. Магнитные свойства вещества. Парамагнетизм газов и электронов проводимости в металлах и полупроводниках [352]
  § 5. Диамагнетизм атомов и электронов проводимости. Магнитные свойства полупроводников [361]
  § 6. Циклотронный (диамагнитный) резонанс [372]
  § 7. Контакт полупроводника с металлом. Выпрямление [380]
  § 8. Свойства р—n-переходов [387]
  § 9. Генерация и рекомбинация носителей тока. Квазиуровни Ферми [394]
Глава VII. Оптика полупроводников [398]
  § 1. Дисперсионные соотношения Крамерса—Кронига [398]
  § 2. Межзонное поглощение света, связанное с прямыми переходами [403]
  § 3. Межзонные непрямые переходы [417]
  § 4. Поглощение света в полупроводниках свободными носителями [426]
  § 5. Поляритоны [428]
  § 6. Эффект вращения Фарадея [432]
  § 7. Теория межзонного поглощения света в квантующем магнитном поле [436]
  § 8. Поглощение света в полупроводниках в однородном электрическом поле (эффект Франца—Келдыша) [445]
Глава VIII. Кинетическое уравнение и время релаксации для электронов проводимости в кристаллах [454]
  § 1. Явления переноса и кинетическое уравнение Больцмана [454]
  § 2. Кинетическое уравнение для электронов в кристалле [463]
  § 3. Рассеяние электронов на акустических колебаниях решетки [467]
  § 4. Время релаксации электронов проводимости в атомном полупроводнике и металле [471]
  § 5. Теория деформационного потенциала в кубических кристаллах с простой зонной структурой [476]
  § 6. Рассеяние электронов проводимости в ионных кристаллах на колебаниях решетки [481]
  § 7. Рассеяние электронов проводимости на заряженных и нейтральных атомах примесей [488]
Глава IX. Кинетические процессы (явления переноса) в полупроводниках [494]
  § 1. Введение [494]
  § 2. Определение неравновесной функции для электронов проводимости в случае сферически-симметричной зоны [497]
  § 3. Электропроводность невырожденных полупроводников с простой зонной структурой [502]
  § 4. Термоэлектрические явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой [506]
  § 5. Гальваномагнитные явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой [513]
  § 6. Термомагнитные явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой [520]
  § 7. Явления переноса в полупроводниках с простой зоной при произвольном вырождении [527]
  § 8. Явления переноса в полупроводниках типа германия и кремния [533]
  § 9. Явления переноса в полупроводниках со сферической непараболической зоной [553]
  § 10. Эффект «фононного увлечения» в полупроводниках [557]
  § 11. Квантовая теория гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках [565]
Приложения [574]
Формат: djvu
Размер:6903615 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 262 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)