Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников

Автор(ы):Бару В. Г., Волькенштейн Ф. Ф.
07.08.2015
Год изд.:1978
Описание: В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства полупроводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления и, наконец, проводится сравнение теории с экспериментом. Книга в основном имеет оригинальный характер, отражая результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строится на фундаменте современной электронной теории катализа. Книга имеет целью раскрыть, в той или иной степени, механизм явления.
Оглавление:
Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников — обложка книги.
Предисловие
ЧАСТЬ I. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА АДСОРБЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКА.
  Глава 1. Фотоадсорбционный эффект [9]
    § 1. Положительный и отрицательный фотоадсорбционные эффекты [9]
    § 2. Обзор основных экспериментальных данных [12]
    § 3. «Идеальная» и «реальная» поверхности полупроводника [16]
  Глава 2. Адсорбция на идеальной поверхности [20]
    § 4. Содержание па поверхности различных форм хемосорбции при отсутствии освещения [20]
    § 5. Изменение содержания различных форм хемосорбции под влиянием освещения [25]
    § 6. Механизм влияния освещения на адсорбционную способность поверхности [29]
  Глава 3. Фотоадсорбционный эффект на идеальной поверхности [35]
    § 7. Знак фотоадсорбционного эффекта при слабом возбуждении (случай электронного механизма поглощения света) [35]
    § 8. Знак фотоадсорбционного эффекта при слабом возбуждении (случай экситонного механизма поглощения света) [41]
    § 9. Знак и абсолютная величина фотоадсорбционного эффекта при сильном возбуждении [47]
  Глава 4. Адсорбция на реальной поверхности [51]
    § 10. Природа адсорбционных центров [51]
    § 11. Концентрация адсорбционных центров [53]
    § 12. Изменение концентрации адсорбционных центров под влиянием освещения [57]
  Глава 5. Фотоадсорбционный эффект на реальной поверхности [62]
    § 13. Адсорбция после предварительного освещения [62]
    § 14. Знак и абсолютная величина фотоадсорбционного эффекта [67]
    § 15. Эффект последействия [70]
  Глава 6. Сравнение теории с экспериментом [73]
    § 16. Влияние освещения па адсорбционную способность поверхности [73]
    § 17. Эффекты «памяти» при фотоадсорбции [77]
    § 18. Некоторые теоретические прогнозы [82]
ЧАСТЬ II. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА КАТАЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКА.
  Глава 7. Механизм каталитического действия полупроводника [85]
    § 19. Свободные валентности поверхности [85]
    § 20. Валентно-насыщенные и радикальные формы хемосорбции [89]
    § 21. Радикальные механизмы в гетерогенном катализе [94]
  Глава 8. Фотокаталитический эффект [100]
    § 22. Абсолютная величина и знак фотокаталитического эффекта [100]
    § 23. Фотокаталитический эффект на реальной поверхности [105]
    § 24. Фотокаталитический эффект па «неупорядоченном» полупроводнике [109]
  Глава 9. Реакция дейтеро- водородного обмена [114]
    § 25. Сводка экспериментальных данных [114]
    § 26. Механизм реакции [117]
    § 27. Сравнение теории с экспериментом [121]
  Глава 10. Реакция окисления окиси углерода [120]
    § 28. Сводка экспериментальных данных [126]
    § 29. Механизм реакции [129]
    § 30. Сравнение теории с экспериментом [133]
  Глава 11. Реакция синтеза перекиси водорода [139]
    § 31. Сводка экспериментальных данных [139]
    § 32. Механизм реакции [140]
    § 33. Сравнение теории с экспериментом [144]
  Глава 12. Фотокаталитический эффект и электронная теория катализа [147]
    § 34. «Коллективные» и «локальные» эффекты в катализе и фотокаталитический эффект [147]
    § 35. Замечания об электронной теории катализа [150]
    § 36. Некоторые теоретические прогнозы [153]
ЧАСТЬ III. ВЛИЯНИЕ КОРПУСКУЛЯРНОГО И ЖЕСТКОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА АДСОРБЦИОННЫЕ И КАТАЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКА.
  Глава 13. Образование различных типов радиационных дефектов [157]
    § 37. Возбуждение неравновесных электронов и дырок [157]
    § 38. Возникновение точечных дефектов решетки [162]
    § 39. Сложные дефекты и явления, обусловленные кристаллической структурой твердых тел [167]
  Глава 14. Влияние облучения на объемные свойства полупроводников [172]
    § 40. Энергетический спектр электронов в облученных кристаллах [172]
    § 41. Свойства облученного полупроводника [176]
    § 42. Ионное легирование полупроводника [181]
  Глава 15. Влияние облучения на адсорбционную способность полупроводника [185]
    § 43. Обзор экспериментальных данных [185]
    § 44. Влияние облучения на адсорбционную способность «идеальной» поверхности полупроводника [192]
    § 45. Влияние облучения на адсорбционную способность «реальной» поверхности полупроводника [202]
  Глава 16. Влияние облучения на каталитические свойства полупроводника [208]
    § 46. Обзор экспериментальных данных [208]
    § 47. Механизм влияния облучения на каталитическую реакцию дегидрирования спирта [214]
    § 48. Механизм влияния облучения на каталитическую реакцию дегидратации спирта [223]
  Глава 17. Влияние радиоактивных примесей на адсорбционные и каталитические свойства полупроводника [231]
    § 49. Обзор экспериментальных данных [231]
    § 50. Механизм влияния радиоактивности на полупроводниковые адсорбенты и катализаторы [237]
    § 51. О корреляции между каталитическими и электронными свойствами радиоактивных полупроводников [248]
  Глава 18. Влияние ионизирующего облучения на кинетику хемосорбции и ионный обмен на поверхности полупроводника [254]
    § 52. Кинетическая изотерма и энергия активации радиационной хемосорбции [254]
    § 53. Влияние облучения на процессы ионного обмена на поверхности полупроводника [265]
    § 54. Заключительные замечания и некоторые теоретические прогнозы [272]
Литература [277]
Формат: djvu
Размер:3533072 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 170 Рейтинг
Открыть: