Теория экситонов

Автор(ы):Агранович В. М.
20.07.2015
Год изд.:1968
Описание: Монография посвящена систематическому изложению теории оптических свойств кристаллов в экситонной области спектра. Хотя в ней большое внимание уделено теории экситонов малого радиуса, результаты рассмотрения целого ряда вопросов, затронутых в книге, таких, например, как теория эффектов запаздывания, формы экситонных полос поглощения света, феноменологическая теория переноса энергии экситонами, феноменологическая теория поверхностных экситонов, теория тензора диэлектрической проницаемости, нелинейных поляризуемостей в экситонной области спектра и некоторые другие, носят более общий характер и могут быть использованы применительно к экситонам произвольной структуры. Книга рассчитана на студентов старших курсов, аспирантов и научных работников, занимающихся теоретической физикой, а также оптикой, кристаллооптикой, изучением электрических свойств твердых тел, биофизикой и т. д.
Оглавление:
Теория экситонов — обложка книги.
Предисловие [7]
Введение [9]
ГЛАВА I. ЭКСИТОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В ПРИБЛИЖЕНИИ ГАЙТЛЕРА-ЛОНДОНА.
  § 1. Экситоны в кристалле с неподвижными молекулами. Расщепление молекулярных термов в кристалле [21]
  § 2. Кулоновские и механические экситоны [27]
  § 3. Применение теории групп для определения поляризации и правит отбора при экситонном поглощении света. Вырождение экситонных термов [35]
  § 4. Теория триплетных экситонов [44]
ГЛАВА II. ТЕОРИЯ ЭКСИТОНОВ МАЛОГО РАДИУСА В ПРЕДСТАВЛЕНИИ ВТОРИЧНОГО КВАНТОВАНИЯ.
  § 1. Оператор энергии кристалла с неподвижными молекулами в представлении вторичного квантования [49]
  § 2. Экситонные состояния при учете только одного возбужденного уровня молекулы. Переход к приближению Гайтлера—Лондона [52]
  § 3. Экситонные состояния (при учете только одного возбужденного уровня молекулы) без использования приближения Гайтлера—Лондона [58]
  § 4. Экситонные состояния при учете нескольких молекулярных уровней (смешивание молекулярных конфигураций) [61]
  § 5. Теория возмущений. Сравнение с результатами, полученными в приближении Гайтлера—Лондона [69]
  § 6. Правила сумм для сил осцилляторов экситонных переходов и гипохромный эффект [71]
  § 7. Экситон-фононное взаимодействие. «Локализованные» экситоны [77]
  § 8. Электронно-колебательные (вибронные) возбуждения в молекулярных кристаллах [82]
  § 9. Расчет экситонных зон в антрацене [90]
ГЛАВА III. ТЕОРИЯ ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИ УЧЕТЕ ЗАПАЗДЫВАЮЩЕГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МЕЖДУ ЗАРЯДАМИ.
  § 1. Оператор энергии кристалла при учете запаздывающего взаимодействия [101]
  § 2. Дисперсия элементарных возбуждений и коэффициент преломления электромагнитных волн в кристалле. Операторы напряженности электрического и магнитного поля [106]
  § 3. О радиационной ширине экситонных состояний [117]
  § 4. Тензор диэлектрической проницаемости и феноменологическое рассмотрение длинноволновых экситонов в кристаллах [119]
  § 5. Радиационная ширина и спектр экситонных состояний в одномерных и двумерных молекулярных кристаллах [127]
ГЛАВА IV. ТЕНЗОР ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ КРИСТАЛЛОВ В ЭКСИТОННОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА И ФОРМА ЭКСИТОННЫХ ПОЛОС ПОГЛОЩЕНИЯ.
  § 1. Методы расчета тензора диэлектрической проницаемости [136]
  § 2. Вычисление тензора диэлектрической проницаемости для экситонной области спектра [142]
  § 3. Комплексный поперечный тензор диэлектрической проницаемости и дисперсия электромагнитных волн в кристалле [145]
  § 4. Теория формы линий экситонного поглощения и правило Урбаха [152]
ГЛАВА V. ТЕОРИЯ НЕЛИНЕЙНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ ДЛЯ ЭКСИТОННОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА.
  § 1. Методы теоретического изучения нелинейных оптических эффектов [172]
  § 2. Оператор энергии кубического энгармонизма в молекулярных кристаллах [177]
  § 3. Вероятности нелинейных оптических процессов третьего порядка. Правила отбора. Роль конечности размеров кристалла [185]
  § 4. Расчет тензора нелинейной поляризуемости кристалла для экситонной области спектра [194]
ГЛАВА VI. ТЕОРИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В МОЛЕКУЛЯРНЫХ КРИСТАЛЛАХ.
  § 1. Введение [202]
  § 2. Основные соотношения. Смешивание молекулярных конфигураций в примесной молекуле [204]
  § 3. Локальные состояния в окрестности вакансий и молекул примеси. Роль резонансного взаимодействия между примесью и молекулами основного вещества [207]
  § 4. Поляризация примесного поглощения в молекулярных кристаллах [212]
  § 5. Экситонные состояния в смешанных молекулярных кристаллах [215]
ГЛАВА VII. ЕСТЕСТВЕННАЯ ОПТИЧЕСКАЯ АКТИВНОСТЬ И КРУГОВОЙ ДИХРОИЗМ.
  § 1. Введение [219]
  § 2. Тензор (формула) в молекулярных кристаллах [221]
  § 3. Некоторые соотношения для дипольно-разрешенных экситонных состояний в гиротропных кристаллах. Форма зон при малых к и свойства волновых функций [224]
  § 4. Тензор (формула) в кристаллах, состоящих из негиротропных молекул [228]
  § 5. Тензор (формула) в кристаллах, состоящих из гиротропных молекул [233]
  § 6. Дисперсия оптической активности молекулярных кристаллов и круговой дихроизм [235]
  § 7. Экспериментальные исследования дисперсии оптической активности кристаллов [243]
ГЛАВА VIII. ТЕОРИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭКСИТОНОВ.
  § 1. Введение [246]
  § 2. Феноменологическая теория поверхностных экситонов без учета запаздывания [247]
  § 3. Феноменологическая теория поверхностных экситонов при учете запаздывания [257]
  § 4. Микроскопическая теория поверхностных экситонов в молекулярных кристаллах без учета запаздывающего взаимодействия [261]
  § 5. Микроскопическая теория поверхностных экситонов в молекулярных кристаллах при учете запаздывающего взаимодействия [269]
ГЛАВА IX. МИГРАЦИЯ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ.
  § 1. Механизмы переноса [274]
  § 2. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии локализованных экситонов в молекулярных кристаллах [278]
  § 3. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии свободных экситонов в молекулярных кристаллах [282]
  § 4. Рассеяние свободных экситонов на примесях и дефектах кристаллической структуры [288]
  § 5. Захват экситонов в молекулярном кристалле примесными молекулами [294]
  § 6. Феноменологические уравнения диффузии экситонов [308]
  § 7. Макроскопические характеристики экситонной люминесценции в условиях сильной реабсорбции [319]
  § 8. Экспериментальные исследования кинетических параметров, определяющих перенос энергии электронного возбуждения в молекулярных кристаллах, и сравнение результатов этих исследований с теорией [337]
ГЛАВА X. СТАТИСТИКА И КОЛЛЕКТИВНЫЕ СВОЙСТВА ФРЕНКЕЛЕВСКИХ ЭКСИТОНОВ.
  § 1. Метод приближенного вторичного квантования [349]
  § 2. Представление операторов Паули через операторы Бозе [352]
  § 3. Коллективные свойства идеального газа паулионов [356]
  § 4. Коллективные свойства френкелевских экситонов при учете динамического взаимодействия между ними [361]
  § 5. Фермиевский характер френкелевских экситонов в одномерных молекулярных кристаллах [366]
Приложение. Диагонализаиия гамильтониана, квадратичного относительно бозе-амплитуд [369]
Литература [372]
Формат: djvu
Размер:4702073 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 157 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU) Ссылка (FR)