Структурная электронография

Автор(ы):Вайнштейн Б. К.
18.09.2015
Год изд.:1956
Описание: Состояние теории и методики электронографического структурного анализа позволяет в настоящее время дать систематическое изложение этого предмета, не затрагивая других применений диффракции электронов. Этой цели и служит предлагаемая вниманию читателя книга. В ней рассмотрены, прежде всего, особенности и возможности электронографии в ряду других диффракционных методов исследования вещества и сформулированы общие положения о связи структуры рассеивающего объекта с диффракционной картиной.
Оглавление:
Структурная электронография — обложка книги.
Предисловие [3]
Глава I. Диффракционные методы анализа структуры вещества [5]
  § 1. Электронография, рентгенография и нейтронография [6]
  § 2. Применения диффракции электронов. Структурная электронография [9]
  § 3. Основные положения теории рассеяния и структурного анализа кристаллов [12]
    Амплитуда рассеяния. Обратное пространство [13]
    Обратимость преобразования Фурье [15]
    Диффракция на кристалле и обратная решетка [16]
    Структурная амплитуда и ряды Фурье [20]
    Атомная амплитуда [20]
    Тепловое движение [21]
    Внешняя форма кристалла [23]
    Функция межатомных расстояний [25]
  Литература к главе I [27]
Глава II. Геометрическая теория электронограмм [28]
  § 1. Основная формула. Типы электронограмм [28]
    Типы электронограмм [30]
  § 2. Образование точечных электронограмм [31]
    Форма и размер кристаллов [32]
    Мозаичность образцов [35]
    Сходимость и немонохроматичность начального пучка [30]
    Динамическая теория [37]
  § 3. Геометрия точечных электронограмм и определение по ним элементарной ячейки [38]
    Симметрия точечных электронограмм [39]
    Индицирование точечных электронограмм [41]
    Метод вращения [44]
    Определение элементарных ячеек по точечным электронограммам [49]
    Определение пространственной группы. Особенности некоторых точечных электронограмм [51]
  § 4. Электронограммы от текстур [54]
    Геометрический механизм образования электронограмм от текстур [57]
    Отображение узла обратной решетки на электронограмме [59]
    Эллипсы электронограмм от текстур [62]
    Слоевые линии [63]
    Осевые прямые электронограмм от текстур [65]
    Гиперболы электронограмм от текстур [67]
    Отображение на электронограммах от текстур обратной решетки в целом [69]
  § 5. Расшифровка электронограмм от текстур [70]
    Определение сетки проекций, периодов а*, Ь* и угла у* [71]
    Определение периода с* и углов а* и a* и * [76]
    Некоторые приемы расшифровки и индицирования электронограмм от текстур [79]
  § 6. Электронограммы поликристалла [82]
    Геометрии снимков от поликристалла. Возможности их использования [83]
    Метод шкалы обратных квадратов [85]
  Литература к главе II [88]
Глава III. Интенсивности рефлексов электронограмм [89]
  § 1. Общие положения [89]
    Волновая функция и интенсивность пучков [89]
    Решение уравнения Шредингера для кинематического рассеяния [91]
    Об аналогии в рассеянии электронов и рентгеновых лучей [93]
  § 2. Атомное рассеяние [93]
    Основная формула [93]
    Потенциал атома [95]
    Связь атомных факторов рассеяния электронов и рентгеновых лучей [97]
    Таблицы атомных факторов fэл [99]
    Атомные факторы рассеяния fэл для легких атомов [100]
    Атомные факторы рассеяния fэл для средних и тяжелых атомов [100]
    Характер хода fэл-кривых в зависимости от атомного номера [103]
    Закономерность «обратного хода» для легких атомов [106]
  § 3. Рассеяние электронов на ионах [108]
    Потенциал иона [108]
    fэл-кривые ионов [108]
    О рассеянии при s=0 [111]
  § 4. Температурный фактор [111]
    Общие положения [111]
    Температурный фактор fT для изотропных колебаний [112]
    Температурный фактор в электронографии [113]
  § 5. Структурная амплитуда [114]
    Вычисление структурной амплитуды через атомные амплитуды [114]
    Учет элементов симметрии кристалла [115]
    Единичные амплитуды [116]
  § 6. Интенсивность отражений от идеального монокристалла [117]
    Интегральная интенсивность пучка, рассеянного одиночным идеальным монокристаллом [119]
    Критерий перехода от кинематического рассеяния к динамическому [120]
    О немонохроматичности и расходимости пучка [124]
  § 7. Интенсивность отражений от мозаичной монокристальной пленки [126]
    Распределение кристалликов по углам в мозаичной пленке [126]
    Общая формула интегральной интенсивности для мозаичной пленки [128]
    Случай равномерного распределения кристалликов по углам [130]
    Случай неравномерного распределения кристалликов по углам [131]
    Явления, сопровождающие переход от кинематического рассеяния к динамическому [134]
  § 8. Интенсивность отражений от монокристальных пленок из крупных блоков [135]
    Интенсивность отражения от крупного идеального кристалла [136]
    Интегральная интенсивность отражения от мозаичной пленки из крупных идеальных блоков [138]
    Интегральная интенсивность отражения от полидисперсной мозаичной пленки [140]
    Вторичное отражение [141]
  § 9. Интенсивность отражений от текстурированных пленок [143]
    Формула интегральной интенсивности для «прямых текстур» [145]
    Формула интегральной интенсивности для «косых текстур» [146]
    Локальная интенсивность рефлексов на снимках от текстур [148]
    Фактор повторяемости р для электронограмм от текстур [150]
  § 10. Интенсивность отражений от поликристаллических пленок [152]
  § 11. Сводка и обсуждение формул интенсивностей рефлексов электронограмм [154]
  § 12. Об экспериментальных измерениях интенсивности [158]
  Литература к главе III [163]
Глава IV. Метод Фурье в электронографии [164]
  § 1. Специфика электронографического структурного анализа [165]
  § 2. Некоторые методы структурного анализа [168]
    Метод проб и ошибок [168]
    Статистические методы [168]
    Прямые методы определения знаков [169]
    Алгебраические методы [169]
    Метод Фурье-трансформаций [170]
    Методы Ф-и Ф2-рядов [170]
  § 3. Ряды Фурье-потенциала и размерности в них [170]
    Трехмерные ряды потенциала [170]
    Размерность в трехмерных рядах [173]
    Двумерные ряды потенциала [175]
    Условные (обобщенные) проекции [177]
    Поясные проекции [181]
    Одномерные ряды [182]
    Использование Ф-рядов при анализе структур и принципы их расчета [182]
  § 4. Ф2-ряды [184]
    Основные свойства Ф2-рядов [184]
    Сечения Харкера [186]
    Прямые методы расшифровки Ф2-рядов [187]
  § 5. Интегральные характеристики распределения потенциала в атомах [191]
    Вычисление интегральных характеристик через fэлТ-кривые [191]
    Метод подсчета характеристик [193]
  § 6. Средний внутренний потенциал кристаллов [196]
  § 7. Нормировка рядов Фурье-потенциала [199]
    Нормировка амплитуд известной структуры [199]
    Статистический метод Вильсона [200]
    Среднее квадратичное значение потенциала кристалла [201]
    Пример нормировки [204]
  § 8. Потенциал в центре атома [205]
    *(0) как критерий обнаруживаемости атомов [205]
    Формулы, определяющие *(0) и *(0) [206]
    Сравнение обнаруживаемости атомов в электронографии и в рентгенографии [208]
    *(0) легких атомов [209]
  § 9. Точность определения значений потенциала [210]
    Волны обрыва и волны ошибок [210]
    Средние квадратичные значения * и * [211]
    Точность, необходимая для обнаружения легких атомов [212]
    Средняя точность определения амплитуд b и «коэффициент достоверности» R [213]
  § 10. Точность определения координат атомов [216]
    Основная формула [216]
    Интегральные характеристики точности [218]
    Формулы точности [223]
    Обсуждение формул точности. Сравнение точности определения координат атомов в электронографии и в рентгенографии [228]
    Точность определения межатомных расстояний по Ф2-рядам [231]
    Определение ошибки координат атомов по совокупности условных проекций [233]
    Возможные систематические ошибки. Обрыв рядов в электронографии [235]
  § 11. Некоторые искусственные приемы в использовании рядов Фурье [287]
    Разностные ряды [237]
    Введение в синтезы расчетных амплитуд [239]
    «Обострение» рядов [239]
    Метод «расчетной температуры» [240]
    О роли метода Фурье в структурном анализе [241]
  Литература к главе IV [242]
Глава V. Экспериментальные электронографические структурные исследования [244]
  § 1. Краткие сведения об экспериментальной технике [245]
    Электронограф [245]
    Приготовление препаратов [248]
  § 2. Определение структуры ВаСl2 * Н20 [249]
    Кубическая структура безводного ВаСl2 [249]
    Элементарная ячейка и пространственная группа ВаСl2 * Н20 [250]
    Установление расположения атомов в проекции [251]
    Размещение атомов по высоте. Описание структуры ВаСl2 * Н20 [253]
  § 3. Определение структур гидратов хлоридов переходных металлов [265]
    Исследование СоСl2 * 2Н20 [255]
    Исследование МпСl2 * 2Н20 [259]
    Исследование NiCl2 * 2Н20. Определение элементарной ячейки [200]
    Установление размещения атомов в структуре NiCl2 * 2Н20 [261]
    Точность определения координат атомов. Некоторые кристаллохимические замечания [266]
  § 4. Электронографические исследования плотноупакованных структур [268]
    Плотнейшие шаровые упаковки [268]
    Структура одного из нитридов железа [269]
    Определение структуры Bi3Se4 [271]
    Определение структуры CsNiCl3 [272]
  § 5. Локализация атомов водорода в кристаллических структурах электронографическим методом [274]
    Возможности диффракционных методов структурного анализа в изучении атомов водорода в кристаллических решетках [274]
    Локализация атомов водорода в структуре дикетопиперазина. Экспериментальные данные [280]
    Ряды Фурье потенциала структуры дикетопиперазина [282]
    Результаты исследования структуры дикетопиперазина [287]
    Уточнение строения группы NH4 в структуре хлористого аммония [291]
  § 6. О возможностях структурной электронографии [294]
  Литература к главе V [298]
Приложения [301]
  Приложение I. Геометрические соотношения в атомной и обратной решетке [301]
  Приложение II. Интеграл Фурье в сферических координатах [303]
  Приложение III. Таблицы атомных факторов рассеяния электронов fэл [304]
Предметный указатель [309]
Формат: djvu
Размер:9488953 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 235 Рейтинг
Открыть: