Структурная электронография
| Автор(ы): | Вайнштейн Б. К.
18.09.2015
|
| Год изд.: | 1956 |
| Описание: | Состояние теории и методики электронографического структурного анализа позволяет в настоящее время дать систематическое изложение этого предмета, не затрагивая других применений диффракции электронов. Этой цели и служит предлагаемая вниманию читателя книга. В ней рассмотрены, прежде всего, особенности и возможности электронографии в ряду других диффракционных методов исследования вещества и сформулированы общие положения о связи структуры рассеивающего объекта с диффракционной картиной. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Глава I. Диффракционные методы анализа структуры вещества [5] § 1. Электронография, рентгенография и нейтронография [6] § 2. Применения диффракции электронов. Структурная электронография [9] § 3. Основные положения теории рассеяния и структурного анализа кристаллов [12] Амплитуда рассеяния. Обратное пространство [13] Обратимость преобразования Фурье [15] Диффракция на кристалле и обратная решетка [16] Структурная амплитуда и ряды Фурье [20] Атомная амплитуда [20] Тепловое движение [21] Внешняя форма кристалла [23] Функция межатомных расстояний [25] Литература к главе I [27] Глава II. Геометрическая теория электронограмм [28] § 1. Основная формула. Типы электронограмм [28] Типы электронограмм [30] § 2. Образование точечных электронограмм [31] Форма и размер кристаллов [32] Мозаичность образцов [35] Сходимость и немонохроматичность начального пучка [30] Динамическая теория [37] § 3. Геометрия точечных электронограмм и определение по ним элементарной ячейки [38] Симметрия точечных электронограмм [39] Индицирование точечных электронограмм [41] Метод вращения [44] Определение элементарных ячеек по точечным электронограммам [49] Определение пространственной группы. Особенности некоторых точечных электронограмм [51] § 4. Электронограммы от текстур [54] Геометрический механизм образования электронограмм от текстур [57] Отображение узла обратной решетки на электронограмме [59] Эллипсы электронограмм от текстур [62] Слоевые линии [63] Осевые прямые электронограмм от текстур [65] Гиперболы электронограмм от текстур [67] Отображение на электронограммах от текстур обратной решетки в целом [69] § 5. Расшифровка электронограмм от текстур [70] Определение сетки проекций, периодов а*, Ь* и угла у* [71] Определение периода с* и углов а* и a* и * [76] Некоторые приемы расшифровки и индицирования электронограмм от текстур [79] § 6. Электронограммы поликристалла [82] Геометрии снимков от поликристалла. Возможности их использования [83] Метод шкалы обратных квадратов [85] Литература к главе II [88] Глава III. Интенсивности рефлексов электронограмм [89] § 1. Общие положения [89] Волновая функция и интенсивность пучков [89] Решение уравнения Шредингера для кинематического рассеяния [91] Об аналогии в рассеянии электронов и рентгеновых лучей [93] § 2. Атомное рассеяние [93] Основная формула [93] Потенциал атома [95] Связь атомных факторов рассеяния электронов и рентгеновых лучей [97] Таблицы атомных факторов fэл [99] Атомные факторы рассеяния fэл для легких атомов [100] Атомные факторы рассеяния fэл для средних и тяжелых атомов [100] Характер хода fэл-кривых в зависимости от атомного номера [103] Закономерность «обратного хода» для легких атомов [106] § 3. Рассеяние электронов на ионах [108] Потенциал иона [108] fэл-кривые ионов [108] О рассеянии при s=0 [111] § 4. Температурный фактор [111] Общие положения [111] Температурный фактор fT для изотропных колебаний [112] Температурный фактор в электронографии [113] § 5. Структурная амплитуда [114] Вычисление структурной амплитуды через атомные амплитуды [114] Учет элементов симметрии кристалла [115] Единичные амплитуды [116] § 6. Интенсивность отражений от идеального монокристалла [117] Интегральная интенсивность пучка, рассеянного одиночным идеальным монокристаллом [119] Критерий перехода от кинематического рассеяния к динамическому [120] О немонохроматичности и расходимости пучка [124] § 7. Интенсивность отражений от мозаичной монокристальной пленки [126] Распределение кристалликов по углам в мозаичной пленке [126] Общая формула интегральной интенсивности для мозаичной пленки [128] Случай равномерного распределения кристалликов по углам [130] Случай неравномерного распределения кристалликов по углам [131] Явления, сопровождающие переход от кинематического рассеяния к динамическому [134] § 8. Интенсивность отражений от монокристальных пленок из крупных блоков [135] Интенсивность отражения от крупного идеального кристалла [136] Интегральная интенсивность отражения от мозаичной пленки из крупных идеальных блоков [138] Интегральная интенсивность отражения от полидисперсной мозаичной пленки [140] Вторичное отражение [141] § 9. Интенсивность отражений от текстурированных пленок [143] Формула интегральной интенсивности для «прямых текстур» [145] Формула интегральной интенсивности для «косых текстур» [146] Локальная интенсивность рефлексов на снимках от текстур [148] Фактор повторяемости р для электронограмм от текстур [150] § 10. Интенсивность отражений от поликристаллических пленок [152] § 11. Сводка и обсуждение формул интенсивностей рефлексов электронограмм [154] § 12. Об экспериментальных измерениях интенсивности [158] Литература к главе III [163] Глава IV. Метод Фурье в электронографии [164] § 1. Специфика электронографического структурного анализа [165] § 2. Некоторые методы структурного анализа [168] Метод проб и ошибок [168] Статистические методы [168] Прямые методы определения знаков [169] Алгебраические методы [169] Метод Фурье-трансформаций [170] Методы Ф-и Ф2-рядов [170] § 3. Ряды Фурье-потенциала и размерности в них [170] Трехмерные ряды потенциала [170] Размерность в трехмерных рядах [173] Двумерные ряды потенциала [175] Условные (обобщенные) проекции [177] Поясные проекции [181] Одномерные ряды [182] Использование Ф-рядов при анализе структур и принципы их расчета [182] § 4. Ф2-ряды [184] Основные свойства Ф2-рядов [184] Сечения Харкера [186] Прямые методы расшифровки Ф2-рядов [187] § 5. Интегральные характеристики распределения потенциала в атомах [191] Вычисление интегральных характеристик через fэлТ-кривые [191] Метод подсчета характеристик [193] § 6. Средний внутренний потенциал кристаллов [196] § 7. Нормировка рядов Фурье-потенциала [199] Нормировка амплитуд известной структуры [199] Статистический метод Вильсона [200] Среднее квадратичное значение потенциала кристалла [201] Пример нормировки [204] § 8. Потенциал в центре атома [205] *(0) как критерий обнаруживаемости атомов [205] Формулы, определяющие *(0) и *(0) [206] Сравнение обнаруживаемости атомов в электронографии и в рентгенографии [208] *(0) легких атомов [209] § 9. Точность определения значений потенциала [210] Волны обрыва и волны ошибок [210] Средние квадратичные значения * и * [211] Точность, необходимая для обнаружения легких атомов [212] Средняя точность определения амплитуд b и «коэффициент достоверности» R [213] § 10. Точность определения координат атомов [216] Основная формула [216] Интегральные характеристики точности [218] Формулы точности [223] Обсуждение формул точности. Сравнение точности определения координат атомов в электронографии и в рентгенографии [228] Точность определения межатомных расстояний по Ф2-рядам [231] Определение ошибки координат атомов по совокупности условных проекций [233] Возможные систематические ошибки. Обрыв рядов в электронографии [235] § 11. Некоторые искусственные приемы в использовании рядов Фурье [287] Разностные ряды [237] Введение в синтезы расчетных амплитуд [239] «Обострение» рядов [239] Метод «расчетной температуры» [240] О роли метода Фурье в структурном анализе [241] Литература к главе IV [242] Глава V. Экспериментальные электронографические структурные исследования [244] § 1. Краткие сведения об экспериментальной технике [245] Электронограф [245] Приготовление препаратов [248] § 2. Определение структуры ВаСl2 * Н20 [249] Кубическая структура безводного ВаСl2 [249] Элементарная ячейка и пространственная группа ВаСl2 * Н20 [250] Установление расположения атомов в проекции [251] Размещение атомов по высоте. Описание структуры ВаСl2 * Н20 [253] § 3. Определение структур гидратов хлоридов переходных металлов [265] Исследование СоСl2 * 2Н20 [255] Исследование МпСl2 * 2Н20 [259] Исследование NiCl2 * 2Н20. Определение элементарной ячейки [200] Установление размещения атомов в структуре NiCl2 * 2Н20 [261] Точность определения координат атомов. Некоторые кристаллохимические замечания [266] § 4. Электронографические исследования плотноупакованных структур [268] Плотнейшие шаровые упаковки [268] Структура одного из нитридов железа [269] Определение структуры Bi3Se4 [271] Определение структуры CsNiCl3 [272] § 5. Локализация атомов водорода в кристаллических структурах электронографическим методом [274] Возможности диффракционных методов структурного анализа в изучении атомов водорода в кристаллических решетках [274] Локализация атомов водорода в структуре дикетопиперазина. Экспериментальные данные [280] Ряды Фурье потенциала структуры дикетопиперазина [282] Результаты исследования структуры дикетопиперазина [287] Уточнение строения группы NH4 в структуре хлористого аммония [291] § 6. О возможностях структурной электронографии [294] Литература к главе V [298] Приложения [301] Приложение I. Геометрические соотношения в атомной и обратной решетке [301] Приложение II. Интеграл Фурье в сферических координатах [303] Приложение III. Таблицы атомных факторов рассеяния электронов fэл [304] Предметный указатель [309] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 9488953 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
276
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |