Специальный физический практикум. Часть 2, изд. 3
| Автор(ы): | ред. Харламов А. А.
23.05.2024
|
| Год изд.: | 1977 |
| Издание: | 3 |
| Описание: | Вторая часть издания - переработанное и расширенное руководство к практическим занятиям по современной электронике. В книге собраны описания практических работ по электронной оптике, по газовой, эмиссионной и полупроводниковой электронике и физике плазмы, составляющие экспериментальную основу для теоретических курсов но этим разделам. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
I. Электронная оптика. 1. Электронная пушка [7] 2. Исследование структуры электронного луча методом вибрирующего зонда [20] 3. Автоматический траектограф и исследование устройств, фокусирующих интенсивный электронный пучок [30] 4. Просвечивающий электронный микроскоп [46] 5. Электронограф [61] 6. Растровый электронный микроскоп [89] II. Газовая электроника. 1. Электрические зонды Ленгмюра [109] 2. Исследование свойств плазмы с помощью СВЧ-радиоволн [121] 3. Деионизация плазмы [134] 4. Измерение концентрации возбужденных атомов в плазме спектральным методом [145] 5. Винтовая неустойчивость положительного столба разряда и аномальная диффузия в продольном магнитном поле [164] 6. Эффективные сечения возбуждения энергетических уровней гелия [173] 7. Резонанс ограниченной плазмы [182] 8. Плотная нестационарная плазма импульсного разряда [193] 9. Высотно-частотные характеристики ионосферы [208] III. Полупроводниковая электроника. Равновесные концентрации и подвижности носителей заряда [222] 1. Определение ширины запрещенной зоны германия [237] 2. Исследование температурного хода подвижности электронов в германии с малым содержанием примесей [241] 3. Определение энергии ионизации основной примеси и концентрации разнозаряженных центров [244] Рекомбинация, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда [247] 4. Определение времени жизни и дрейфовой подвижности неравновесных носителей заряда импульсным методом [254] 5. Измерение параметров дрейфа и рекомбинации неравновесных носителей заряда, возбужденных светом [260] p-n-переходы в полупроводниках и некоторые приборы на их основе [267] 6. Исследование электрических свойств p-n-переходов [277] 7. p-n-переходы в вырожденных полупроводниках и характеристики туннельных диодов [288] 8. Исследование электрических характеристик транзисторов с p-n-переходами [307] 9. Излучательная рекомбинация в p-n-переходах и характеристики светодиодов [324] IV. Эмиссионная электроника. 1. Изучение энергетической структуры полупроводников с помощью внешнего фотоэффекта [348] 2. Термоэлектронная эмиссия металлов [360] ПРИЛОЖЕНИЕ. Изучение газового разряда [368] |
| Формат: | djvu + ocr |
| Размер: | 48625979 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
335
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |