Специальный физический практикум. Часть 2, изд. 3

Автор(ы):ред. Харламов А. А.
23.05.2024
Год изд.:1977
Издание:3
Описание: Вторая часть издания - переработанное и расширенное руководство к практическим занятиям по современной электронике. В книге собраны описания практических работ по электронной оптике, по газовой, эмиссионной и полупроводниковой электронике и физике плазмы, составляющие экспериментальную основу для теоретических курсов но этим разделам.
Оглавление:
Специальный физический практикум. Часть 2 — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [5]
I. Электронная оптика.
  1. Электронная пушка [7]
  2. Исследование структуры электронного луча методом вибрирующего зонда [20]
  3. Автоматический траектограф и исследование устройств, фокусирующих интенсивный электронный пучок [30]
  4. Просвечивающий электронный микроскоп [46]
  5. Электронограф [61]
  6. Растровый электронный микроскоп [89]
II. Газовая электроника.
  1. Электрические зонды Ленгмюра [109]
  2. Исследование свойств плазмы с помощью СВЧ-радиоволн [121]
  3. Деионизация плазмы [134]
  4. Измерение концентрации возбужденных атомов в плазме спектральным методом [145]
  5. Винтовая неустойчивость положительного столба разряда и аномальная диффузия в продольном магнитном поле [164]
  6. Эффективные сечения возбуждения энергетических уровней гелия [173]
  7. Резонанс ограниченной плазмы [182]
  8. Плотная нестационарная плазма импульсного разряда [193]
  9. Высотно-частотные характеристики ионосферы [208]
III. Полупроводниковая электроника.
  Равновесные концентрации и подвижности носителей заряда [222]
    1. Определение ширины запрещенной зоны германия [237]
    2. Исследование температурного хода подвижности электронов в германии с малым содержанием примесей [241]
    3. Определение энергии ионизации основной примеси и концентрации разнозаряженных центров [244]
  Рекомбинация, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда [247]
    4. Определение времени жизни и дрейфовой подвижности неравновесных носителей заряда импульсным методом [254]
    5. Измерение параметров дрейфа и рекомбинации неравновесных носителей заряда, возбужденных светом [260]
  p-n-переходы в полупроводниках и некоторые приборы на их основе [267]
    6. Исследование электрических свойств p-n-переходов [277]
    7. p-n-переходы в вырожденных полупроводниках и характеристики туннельных диодов [288]
    8. Исследование электрических характеристик транзисторов с p-n-переходами [307]
    9. Излучательная рекомбинация в p-n-переходах и характеристики светодиодов [324]
IV. Эмиссионная электроника.
  1. Изучение энергетической структуры полупроводников с помощью внешнего фотоэффекта [348]
  2. Термоэлектронная эмиссия металлов [360]
ПРИЛОЖЕНИЕ. Изучение газового разряда [368]
Формат: djvu + ocr
Размер:48625979 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 291 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)