Полупроводники

Автор(ы):Смит Р.
26.02.2016
Год изд.:1982
Издание:2
Описание: Книга известного английского физика Р. Смита «Полупроводники», впервые изданная в русском переводе в 1962 г., приобрела в СССР широкую известность и долгое время была одним из лучших пособий по физике полупроводников. Сейчас она стала библиографической редкостью. В Англии книга выдержала четыре стереотипных издания. В 1978 г. вышло новое английское издание, которое выгодно отличается от прежнего. Книга подверглась существенной переработке. В ней были учтены современные достижения физики полупроводников.
Оглавление:
Полупроводники — обложка книги.
Предисловие редактора перевода [5]
Предисловие [8]
Из предисловия автора к первому изданию [11]
I. ПРОСТЕЙШИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ [15]
  Ранние исследования, посвященные полупроводникам [15]
  Применение полупроводников [21]
  Элементарная теория пат у проводников [24]
  Способы управления концентрацией носителей [37]
  Литература [39]
2. УРОВНИ ЭНЕРГИИ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ [40]
  Волновая механика свободных электронов [40]
  Движение в пространстве с периодическим потенциалом [41]
  Форма энергетических зон [45]
  Положительные дырки [54]
  Движение электронов и дырок в кристалле под действием внешних силовых полей [55]
  Схема энергетических уровней [59]
  Влияние нарушений периодичности кристаллической решетки на движение электронов и дырок в кристалле [62]
  Литература [63]
3. ПРИМЕСИ И НЕСОВЕРШЕНСТВА В КРИСТАЛЛАХ [64]
  Типы несовершенств решетки [64]
  Химическая связь в полупроводниках [71]
  Другое определение полупроводников [78]
  Примеси замещения в полупроводниках [79]
  Экситоны [92]
  Литература [97]
4. РАВНОВЕСНЫЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА [99]
  Распределение электронов по энергетическим уровням [99]
  Собственные полупроводники [102]
  Примесные полупроводники [109]
  Литература [121]
5. ЯВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕНОСА [122]
  Рассеяние электронов на дефектах в кристалле. Время релаксации [122]
  Время релаксации, не зависящее от энергии [127]
  Время релаксации, зависящее от энергии [142]
  Электропроводность при очень низких температурах [171]
  Литература [173]
6. ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕПЛОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ [175]
  Теплопроводность [175]
  Термоэлектродвижущая сила [180]
  Термомагнитные явления [187]
  Термомагнитные явления в условиях сильного вырождения [197]
  Случай сильных магнитных полей [198]
  Относительные величины гальваномагнитных и термомагнитных эффектов [199]
  Литература [200]
7. ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК [202]
  Неоднородные полупроводники [202]
  Соотношение Эйнштейна [203]
  Отклонения от теплового равновесия [206]
  Электронно-дырочная рекомбинация [209]
  Диффузия и проводимость в примесных полупроводниках [210]
  Дрейф облака неосновных носителей заряда в электрическом поле [221]
  Полупроводники с проводимостью, близкой к собственной [222]
  Сопоставление различных контактных явлений [232]
  p—n-переход [233]
  Переходы [249]
  Поверхностные свойства полупроводников [251]
  Контакты металл—полупроводник [256]
  Дрейфовая подвижность электронов и дырок [261]
  Гетеропереходы [263]
  Литература [266]
8. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК [268]
  Изменение состояния [268]
  Механизмы рассеяния [268]
  Рассеяние на колебаниях атомов решетки [269]
  Фононы [275]
  Рассеяние на колебаниях решетки [279]
  Рассеяние на оптических колебаниях в полярных кристаллах [284]
  Междолинное рассеяние [285]
  Межэлектронное рассеяние [288]
  Рассеяние на ионизованных примесях [287]
  Рассеяние на нейтральных примесях [291]
  Рассеяние на дислокациях [295]
  Вклад различных видов рассеяния в величину подвижности [296]
  Литература [297]
9. РЕКОМБИНАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК [299]
  Механизмы рекомбинации [299]
  Излучательная рекомбинация [301]
  Рекомбинация Оже [304]
  Рекомбинация через ловушки [307]
  Рекомбинация через экситоны [314]
  Рекомбинация на дислокациях [315]
  Рекомбинация через доноры или акцепторы при низких температурах [316]
  Поверхностная рекомбинация [317]
  Среднее время жизни в нитевидных образцах н тонких полосках [320]
  Литература [324]
10. ОПТИЧЕСКИЕ И ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ [326]
  Оптические характеристики полупроводников [326]
  Поглощение свободными носителями заряда [329]
  Плазменный резонанс [337]
  Высокочастотные эффекты в магнитном поле [338]
  Собственное поглощение [344]
  Экситонное поглощение [363]
  Примесное поглощение [369]
  Решеточное поглощение [373]
  Фотопроводимость [377]
  Диффузионная фото-э.д.с. [392]
  Фотоэлектромагннтный эффект [392]
  Увлечение свободных носителей заряда фотонами [396]
  Электропоглощение и электроотражение [397]
  Излучение полупроводников [401]
  Литература [406]
11. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И МЕТОД ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ [411]
  Концепция эффективной массы [411]
  Функции Блоха и Ванье [412]
  Методы расчета зонной структуры [413]
  Вычисления зонной структуры [417]
  Метод эффективной массы [418]
  Квантование в магнитном поле [420]
  Литература [421]
12. ВЛИЯНИЕ СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА [423]
  Изменение функции распределения [423]
  Обмен энергией между электронами и решеткой [424]
  Горячие электроны [430]
  Эффекты междолинного переброса электронов [434]
  Квантовая теория движения электронов в сильном магнитном поле [439]
  Спиновое расщепление уровней [445]
  Влияние магнитного поля на межзонные переходы [446]
  Явления электронного переноса в сильных магнитных полях [450]
  Вымораживание носителей [455]
  Литература [456]
13. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ [458]
  Материалы, используемые в полупроводниковых приборах и исследованиях [458]
  Приготовление полупроводниковых материалов и измерение их свойств [459]
  Кремний и германий [461]
  Другие элементарные полупроводники [466]
  Соединения типа A4IBV [468]
  Соединения типа AHBV1 [412]
  Тройные и четверные соединения [475]
  Очень узкозонные полупроводники [478]
  Оксидные полупроводники [481]
  Тугоплавкие полупроводники [484]
  Сверхпроводящие полупроводники [485]
  Магнитные полупроводники [486]
  Органические полупроводники [487]
  Полупроводники с низкой подвижностью носителей заряда [488]
  Другие полупроводники [489]
  Литература [489]
14. НЕКОТОРЫЕ СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ [492]
  Экситонные молекулы [492]
  Конденсация экситонов в электронно-дырочные капли [493]
  Поляроны и поляритоны [496]
  Сильнолегированные полупроводники [500]
  Эффекты, связанные с высоким давлением [508]
  Лазерный эффект в полупроводниках [511]
  Рассеяние излучения, обусловленное переворачиванием спина, лазеры на этой основе [518]
  Комбинационное рассеяние на колебаниях атомов решетки [522]
  Литература [522]
15. АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ [525]
  Новые теоретические представления [525]
  Электронные состояния [527]
  Колебания атомов решетки [531]
  Аморфные Si и Ge [531]
  Другие элементарные аморфные полупроводники [535]
  Некоторые аморфные полупроводниковые соединения [536]
  Стеклообразные полупроводники [536]
  Заключение [541]
  Литература [542]
Литература [544]
Дополнительный список литературы [547]
Предметный указатель [549]
Формат: djvu
Размер:5516256 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 381 Рейтинг
Открыть: