Основы физики приборов с зарядовой связью

Автор(ы):Носов Ю. Р., Шилин В. А.
14.11.2022
Год изд.:1986
Описание: Изложены физические основы новых перспективных элементов микроэлектроники и оптоэлектроники - полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Приведены результаты теоретического анализа и экспериментального исследования статических, динамических, фотоэлектрических, шумовых характеристик этих приборов. Рассмотрена зависимость основных параметров приборов с зарядовой связью от электрофизических свойств исходного полупроводникового материала. Проведена оценка предельных возможностей нового направления интегральной электроники, в основе которого лежит использование полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Для физиков и инженеров, занимающихся исследованием, разработкой, применением полупроводников и полупроводниковых приборов, а также для студентов старших курсов.
Оглавление:
Основы физики приборов с зарядовой связью — обложка книги. Обложка книги.
ПРЕДИСЛОВИЕ [5]
Глава 1. Приборы с зарядовой связью. Основные положения и определения [9]
  §1.1. Принцип действия ППЗ [9]
  §1.2. Динамика переноса зарядов [17]
  §1.3. Применение ППЗ [24]
м§1.4. Разновидности ППЗ [28]
  §1.5. Историческая справка [33]
Глава 2. Основы теории ПЗС (поверхностный канал) [38]
  §2.1. Квазистационарное состояние МДП-структуры [38]
  §2.2. Термогенерация [42]
  §2.3. Передача зарядовых пакетов [55]
  §2.4. Передача при управлении двухступенчатыми импульсами [59]
  §2.5. Передача при управлении трапецеидальными импульсами [73]
  §2.6. Аналитические оценки [81]
  §2.7. Особенности асимметричных ПЗС-структур [97]
  §2.8. Асимметричные структуры с управлением трапецеидальными импульсами [104]
  §2.9. Двухмерные эффекты [116]
  §2.10. Учет поверхностных состояний [122]
  §2.11. Некоторые экспериментальные результаты [132]
Глава 3. Теория объемных ПЗС [138]
  §3.1. МДП-структура с объемным каналом [ступенчатый профиль распределения примесей) [139]
  §3.2. Структуры с произвольным профилем распределения примесей [152]
  §3.3. Двухмерные эффекты [167]
  §3.4. Передача зарядов в объемных ПЗС [174]
  §3.5. Влияние объемных ловушек [178]
  §3.6. Экспериментальные результаты [183]
Глава 4. Фотоэлектрические характеристики [195]
  §4.1. Поглощение света в МДП-структурах [196]
  §4.2. Спектральные характеристики [203]
  §4.3. Частотно-контрастная характеристика [205]
  §4.4. ЧКХ приборов с произвольной апертурой [215]
  §4.5. Фотоэлектрические свойства различных типов ФПЗС [228]
  §4.6. Экспериментальные результаты [233]
  §4.7. ФПЗС в ИК-диапазоне [238]
Глава 5. Шумы ПЗС [242]
  §5.1. Источники шума и его расчет [243]
  §5.2. Влияние шумов на характеристики ПЗС-устройств [251]
  §5.3. Экспериментальные результаты [264]
  §5.4. Неоднородности в элементах ПЗС [271]
Глава 6. Прикладные вопросы [276]
  §6.1. ПЗС - изделие функциональной электроники [276]
  §6.2. Применение ПЗС [278]
  §6.3. Автоматизация проектирования ПЗС [290]
  §6.4. Расчеты квазистатического состояния цепей ПЗС [294]
  §6.5. Оптимальное проектирование ПЗС [300]
ЗАКЛЮЧЕНИЕ [305]
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ [311]
Формат: djvu
Размер:38534340 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 87 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)