Фотоэлектрические явления в полупроводниках

Автор(ы):Рывкин С. М.
14.11.2022
Год изд.:1963
Описание: В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниках. Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры, прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и магнитном полях и в связи с этим описанию явлений фотопроводимости (собственной и примесной), фотоэлектродвижущих сил, а также методов экспериментального исследования кинетики фотоэлектрических процессов. Книга рассчитана на физиков и инженеров, занимающихся полупроводниками.
Оглавление:
Фотоэлектрические явления в полупроводниках — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [9]
Глава 1. Феноменологическое описание фотопроводимости
  § 1. Равновесные и неравновесные носители тока, неравновесная проводимость [15]
  § 2. Некоторые характеристики равновесной проводимости [20]
  § 3. Распределение неравновесных носителей по энергиям [22]
  § 4. Время жизни неравновесных носителей тока [24]
  § 5. Релаксация неравновесной проводимости [27]
    A. Линейная рекомбинация [28]
    Б. Квадратичная рекомбинация [29]
    B. Мгновенное значение времени жизни [31]
  § 6. Фотопроводимость образцов конечных размеров [34]
Глава 2. Методы измерения стационарной фотопроводимости
  § 7. Методы с постоянным и модулированным освещением [37]
  § 8. Вычисление фотопроводимости из данных опыта [39]
    A. Режим постоянного поля [40]
    Б. Режим постоянного тока [41]
    B. Режим максимальной чувствительности [41]
    Г. Случай малой относительной фотопроводимости [42]
  § 9. О пороге чувствительности [44]
  § 10. Об оптимальных размерах образцов для измерения фотопроводимости [45]
  § 11. Исключение влияния контактов [47]
    А. Критерий исключения влияния нейтральных контактов [48]
    Б. Зондовый метод измерения фотопроводимости [51]
  § 12. Исключение влияния неоднородности освещения [53]
Глава 3. Определение основных феноменологических параметров b и t по исследованию кинетики фотопроводимости
  § 13. Частотная зависимость фотопроводимости [56]
    А. Прямоугольная модуляция интенсивности света [57]
        1. Симметричные прямоугольные волны света [57]
        2. Несимметричные прямоугольные волны света [62]
    Б. Синусоидальная модуляция интенсивности света [66]
  § 14. Определение времени жизни методом компенсации сдвига фаз [68]
    A. Синусоидальная модуляция [68]
    Б. Прямоугольная модуляция [71]
    B. О чувствительности метода компенсации сдвига фаз [74]
  § 15. Исследование релаксации в нелинейном случае [84]
  § 16. Некоторые методы модуляции интенсивности световых пучков [91]
Глава 4. Процессы генерации неравновесных носителей тока
  § 17. Внутренний фотоэффект (возбуждение, связанное с поглощением света) [104]
  § 18. Ионизация квантами и частицами больших энергий [115]
  § 19. Другие методы «генерации» неравновесных носителей тока [120]
    А. Использование «анейтральных» контактов [120]
    Б. Образование неравновесных носителей при ударной ионизации [122]
Глава 5. Рекомбинация через простые локальные центры
  § 20. Введение. Ограничения, налагаемые законами сохранения энергии и импульса [123]
  § 21. Рекомбинация через локальные центры (ловушки). Захват локальными центрами носителей тока [126]
  § 22. Полупроводник с одним типом ловушек [128]
  § 23. Схема с одним типом ловушек. Стационарный случай [135]
    A. Случай малой концентрации ловушек [136]
    Б. Случай любой концентрации ловушек [154]
    B. Заключение [159]
  § 24. Случай нескольких типов ловушек [160]
  § 25. Релаксация неравновесной проводимости [161]
    А. Малая концентрация ловушек [161]
    Б. Большая концентрация ловушек [164]
Глава 6. Процессы прилипания неравновесных носителей
  § 26. Центры рекомбинации и центры прилипания [166]
    А. Демаркационные уровни [168]
  Раздел I. Монополярная фотопроводимость [171]
    § 27. Влияние уровней прилипания на стационарные характеристики и релаксацию неравновесной проводимости (слабое заполнение уровней — линейный случай) [171]
      A. Релаксация при наличии альфа-центров прилипания [173]
      Б. Релаксация при наличии бета-центров прилипания [177]
      B. О критерии для разделения альфа- и бета-прилипания [179]
    § 28. Влияние а-прилипания на феноменологический выход и время жизни в общем случае любой степени заполнения уровней прилипания [180]
    § 29. Влияние постоянной подсветки на релаксацию фотопроводимости при наличии а-прилипания [183]
  Раздел II. Биполярная фотопроводимость [184]
    § 30. Влияние уровней прилипания на стационарную фотопроводимость и стационарные времена жизни электронов и дырок [184]
    § 31. Влияние уровней прилипания на релаксацию неравновесной биполярной проводимости [193]
  Раздел III. Нелинейные» процессы релаксации при сильном заполнении уровней прилипания [197]
    § 32. Влияние сильного заполнения уровней прилипания на начальные стадии нарастания фотопроводимости [197]
    § 33. Влияние уровней прилипания на общий характер релаксационных кривых фотопроводимости [202]
    § 34. Заключение [205]
Глава 7. Рекомбинация через многозарядные центры
  § 35. О спектре сложных центров [206]
  § 36. Время жизни при рекомбинации через многозарядные центры [208]
Глава 8. Собственная (межзонная) рекомбинация
  § 37. Излучательная рекомбинация свободных электронов и дырок [216]
  § 38. Исследование спектров излучательной рекомбинации [226]
    А. Индуцированная излучательная рекомбинация [229]
  § 39. Влияние прилипания на излучательную рекомбинацию [231]
  § 40. Ударная рекомбинация [234]
    А. Высокий уровень возбуждения [236]
    Б. Низкий уровень возбуждения [237]
Глава 9. «Примесная фотопроводимость»
  § 41. Особенности примесной фотопроводимости [241]
  § 42. Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней [245]
    A. Люкс-амперные характеристики [250]
    Б. Кривые релаксации [251]
    B. Влияние прилипания [255]
  § 43. Критерий монополярности примесной фотопроводимости [257]
    А. Термооптические переходы [257]
    Б. Двойные оптические переходы [259]
Глава 10. Некоторые эффекты комбинированного возбуждения
  § 44. Индуцированная примесная фотопроводимость [260]
  § 45. Оптическая перезарядка примесных центров и кинетика примесной фотопроводимости [267]
    А. Влияние перезарядки на кинетику примесной фотопроводимости [269]
    Б. О «предельной» оптической перезарядке примесных центров [274]
  § 46. Термостимулированная проводимость [277]
  § 47. О знаке фотопроводимости плохо проводящих полупроводников [280]
  § 48. Метод длинноволнового зондирования локальных уровней [283]
Глава 11. О смысле используемых понятий о «времени жизни»
  § 49. Время жизни носителей тока в зонах [294]
  § 50. Микроскопическое и релаксационное время жизни [296]
    A. Примесная фотопроводимость [299]
    Б. Собственная фотопроводимость. Рекомбинация через ловушки [300]
    B. Смысл релаксационного времени жизни [304]
Глава 12. Диффузия и дрейф неравновесных носителей тока (монополярный случай)
  § 51. Общие соображения и основные уравнения [307]
  § 52. Распределение концентрации, заряда и поля при диффузии в случае низкого уровня возбуждения. Длина экранирования Дебая [309]
  § 53. Эффективное время установления диффузионного равновесия («постоянная времени Максвелла») [316]
  § 54. Распределение концентрации при наличии внешнего электрического поля [317]
  § 55. О длине экранирования Дебая в плохо проводящих полупроводниках и диэлектриках [318]
  § 56. О так называемом «вторичном» и сквозном фототоках в полупроводниках [322]
    A. Введение [322]
    Б. О кинетике фототока [324]
    B. О так называемом «первичном» фототоке [326]
    Г. О так называемом «вторичном» фототоке [329]
    Д. Некоторые вопросы терминологии [332]
Глава 13. Диффузия и дрейф неравновесных носителей тока (биполярный случай)
  § 57. Диффузия и дрейф неосновных носителей тока [335]
  § 58. Метод экспериментального определения длины диффузионного смещения и времени жизни неосновных носителей тока [343]
  § 59. Прямой метод определения подвижности неосновных носителей тока [345]
  § 60. Определение соотношения между подвижностью и коэффициентом диффузии для неравновесных неосновных носителей [349]
  § 61. Метод определения времени жизни и подвижности неосновных носителей с помощью движущегося светового пятна [352]
    А. Компенсационный (нулевой) метод измерения подвижности [358]
  § 62. Количественное рассмотрение диффузии и дрейфа при любых соотношениях между концентрациями электронов и дырок [362]
  § 63. ЭДС Дембера [367]
Глава 14. Некоторые фотомагнитоэлектрические и фотомагнитоконцентрационные эффекты
  Раздел I. Фотоэлектромагнитные эффекты 371]
    § 64. Биполярный фотоэлектромагнитный эффект Кикоина — Носкова [371]
      A. Фотомагнитная ЭДС и ток короткого замыкания [372]
      Б. Компенсационный метод измерения при низком уровне возбуждения [382]
      B. Использование фотомагнитного эффекта для определения скорости поверхностной рекомбинации [385]
      Г. Фотомагнитный эффект при любом соотношении между концентрациями неравновесных электронов и дырок 386]
    § 65. Монополярный нестационарный фотомагнитный эффект [387]
    § 66. Отрицательная фотопроводимость в магнитном поле [392]
  Раздел II. Магнитоконцентрационные эффекты [395]
    § 67. Продольный магнитоконцентрационный эффект [395]
    § 68. Магнитоконцентрационный эффект Суля [404]
Глава 15. Фотоэлектродвижущие силы в неоднородных полупроводниках
  § 69. Механизм действия электронно-дырочных фотоэлементов [409]
    А. Энергетическая схема элгктронно-дырочного перехода [409]
    Б. Основное уравнение фотодиода [412]
  § 70. Основные характеристики электронно-дырочных фотоэлементов [418]
    A. Вольт-амперная характеристика [420]
    Б. Люкс-амперная характеристика [421]
    B. Спектральное распределение фоточувствительности [423]
    Г. Температурная зависимость темнового тока, фототока и фото-ЭДС [424]
    Д. Экспериментальная проверка соотношения для вентильной фото-ЭДС [426]
  § 71. О кинетике фотодиодов [428]
    A. Фотодиодный режим [429]
    Б. Режим вентильной фото-ЭДС [432]
    B. «Гибридный режим» [439]
  § 72. Кинетика вентильной фото-ЭДС при наличии нагрузки и любых соотношениях между t и R0C [441]
  § 73. Влияние прилипания на релаксацию фототока фотодиода [447]
  § 74. Малоинерционные фотодиоды [450]
  § 75. Об оптимальном режиме использования фотодиодов для регистрации малых сигналов [453]
  § 76. Фотоэлектродвижущие силы в области примесного возбуждения [458]
  § 77. «Внешний» фотоэффект из металла в полупроводник [463]
  § 78. Фототриоды [467]
  § 79. Фотодиод как преобразователь световой энергии в электрическую [471]
Литература [478]
Формат: djvu
Размер:10029851 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 73 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)