Физика полупроводниковых приборов. Книга 2.

Автор(ы):Зи С.
10.02.2016
Год изд.:1984
Описание: Второе издание столь существенно отличается от первого, что его следует рассматривать как новую книгу. И дело здесь не только и не столько в том, что переработана и дополнена большая часть текста, библиографии и иллюстраций. За время, прошедшее с момента выпуска первого издания, полупроводниковая электроника вышла на качественно новый уровень — создана и прочно вошла в жизнь техника интегральных схем. Теперь полупроводниковый прибор не рассматривается как нечто отдельное — он мыслится как составная часть ансамбля приборов, изготовленных на .одном кристалле полупроводника, т. е.как элемент интегральной схемы. Это обстоятельство нашло четкое отражение в новом издании книги.
Оглавление:
Физика полупроводниковых приборов. Книга 2. — обложка книги. Обложка книги.
  Глава 8. МОП-транзисторы [5]
    Введение [5]
    Основные характеристики [7]
    Неоднородное легирование и приборы со скрытым каналом [32]
    Короткоканальные эффекты [47]
    МОП-транзисторные структуры [67]
    Энергонезависимые элементы памяти [78]
    Литература [90]
ЧАСТЬ IV. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА [94]
  Глава 9. Туннельные приборы [94]
    Введение [94]
    Туннельный диод [96]
    Обращенный диод [119]
    Туннельный МДП-диод [122]
    Переключающий МДП-диод [133]
    Туннельный МДМ-диод [137]
    Туннельный транзистор [142]
    Литература [147]
  Глава 10. Лавинно-пролетные диоды и другие приборы на пролетных эффектах [150]
    Введение [150]
    Статические характеристики [152]
    Динамические характеристики [162]
    Мощность и коэффициент полезного действия [171]
    Шумы ЛПД [186]
    Конструкция прибора и характеристики [191]
    Инжекционно-пролетные диоды и двухскоростные пролетные диоды [201]
    Пролетный диод с захваченным объемным зарядом лавины [216]
    Литература [221]
  Глава 11. Приборы на эффекте междолинного перехода электронов [226]
    Введение [226]
    Эффект междолинного перехода электронов [227]
    Режимы работы [341]
    Характеристики приборов на эффекте междолинного перехода электронов [257]
    Литература [267]
ЧАСТЬ V. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ [270]
  Глава 12. Светодиоды и полупроводниковые лазеры [270]
    Введение [270]
    Излучательные переходы [271]
    Светодиоды [278]
    Физика полупроводниковых лазеров [295]
    Рабочие характеристики лазеров [319]
    Литература [335]
  Глава 13. Фотодетекторы [339]
    Введение [339]
    Фоторезистор [339]
    Фотодиод [345]
    Лавинный фотодиод [363]
    Фототранзистор [382]
    Литература [386]
  Глава 14. Солнечные батареи [389]
    Введение [389]
    Солнечное излучение и идеальная эффективность преобразования [390]
    Солнечные элементы на p — n-переходах [398]
    Солнечные элементы с гетеропереходами. Поверхностные и тонкопленочные солнечные элементы [418]
    Концентрирование света [434]
    Литература [440]
Приложения [443]
Предметный указатель [449]
Формат: djvu
Размер:10393887 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 494 Рейтинг
Открыть: