Физика полупроводниковых приборов. Книга 2.
Автор(ы): | Зи С.
10.02.2016
|
Год изд.: | 1984 |
Описание: | Второе издание столь существенно отличается от первого, что его следует рассматривать как новую книгу. И дело здесь не только и не столько в том, что переработана и дополнена большая часть текста, библиографии и иллюстраций. За время, прошедшее с момента выпуска первого издания, полупроводниковая электроника вышла на качественно новый уровень — создана и прочно вошла в жизнь техника интегральных схем. Теперь полупроводниковый прибор не рассматривается как нечто отдельное — он мыслится как составная часть ансамбля приборов, изготовленных на .одном кристалле полупроводника, т. е.как элемент интегральной схемы. Это обстоятельство нашло четкое отражение в новом издании книги. |
Оглавление: |
Обложка книги.
Глава 8. МОП-транзисторы [5]Введение [5] Основные характеристики [7] Неоднородное легирование и приборы со скрытым каналом [32] Короткоканальные эффекты [47] МОП-транзисторные структуры [67] Энергонезависимые элементы памяти [78] Литература [90] ЧАСТЬ IV. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА [94] Глава 9. Туннельные приборы [94] Введение [94] Туннельный диод [96] Обращенный диод [119] Туннельный МДП-диод [122] Переключающий МДП-диод [133] Туннельный МДМ-диод [137] Туннельный транзистор [142] Литература [147] Глава 10. Лавинно-пролетные диоды и другие приборы на пролетных эффектах [150] Введение [150] Статические характеристики [152] Динамические характеристики [162] Мощность и коэффициент полезного действия [171] Шумы ЛПД [186] Конструкция прибора и характеристики [191] Инжекционно-пролетные диоды и двухскоростные пролетные диоды [201] Пролетный диод с захваченным объемным зарядом лавины [216] Литература [221] Глава 11. Приборы на эффекте междолинного перехода электронов [226] Введение [226] Эффект междолинного перехода электронов [227] Режимы работы [341] Характеристики приборов на эффекте междолинного перехода электронов [257] Литература [267] ЧАСТЬ V. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ [270] Глава 12. Светодиоды и полупроводниковые лазеры [270] Введение [270] Излучательные переходы [271] Светодиоды [278] Физика полупроводниковых лазеров [295] Рабочие характеристики лазеров [319] Литература [335] Глава 13. Фотодетекторы [339] Введение [339] Фоторезистор [339] Фотодиод [345] Лавинный фотодиод [363] Фототранзистор [382] Литература [386] Глава 14. Солнечные батареи [389] Введение [389] Солнечное излучение и идеальная эффективность преобразования [390] Солнечные элементы на p — n-переходах [398] Солнечные элементы с гетеропереходами. Поверхностные и тонкопленочные солнечные элементы [418] Концентрирование света [434] Литература [440] Приложения [443] Предметный указатель [449] |
Формат: | djvu |
Размер: | 10393887 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 349 |
Открыть: | Ссылка (RU) |