Физика полупроводниковых приборов. Книга 1.

Автор(ы):Зи С.
10.02.2016
Год изд.:1981
Описание: Развитие полупроводниковой электроники и расширение областей ее применения происходят столь бурными темпами, что кажется почти невероятным появление книги по физическим основам функционирования полупроводниковых приборов, которая в течение длительного времени удовлетворяла бы исследователей и разработчиков полупроводниковых устройств. Тем не менее такая книга существует, и она перед вами. Ее автор — известный специалист в области полупроводниковой электроники, сотрудник фирмы Bell Laboratories, д-р С. Зи. Первое издание его монографии, ставшее настольным для специалистов, вышло в свет в 1969 г. О' популярности этой книги свидетельствует огромное число ссылок, встречающихся до сих пор в оригинальных статьях. Ее перевод в нашей стране уже давно стал библиографической редкостью.
Оглавление:
Физика полупроводниковых приборов. Книга 1. — обложка книги. Обложка книги.
ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА [5]
ПРЕДИСЛОВИЕ АВТОРА [6]
ВВЕДЕНИЕ [8]
ЧАСТЬ I. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ [11]
  Глава 1. Физика и свойства полупроводников [11]
    Введение [11]
    Кристаллическая структура [11]
    Энергетические зоны [16]
    Концентрация носителей при термодинамическом равновесии [20]
    Явления переноса [33]
    Фононные спектры. Оптические и тепловые свойства полупроводников. Поведение полупроводников при сильных электрических полях [45]
    Основные уравнения для анализа работы полупроводниковых приборов [58]
    Литература [65]
ЧАСТЬ II. БИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ [69]
  Глава 2. Плоскостные диоды [69]
    Введение [69]
    Основы технологии [69]
    Обедненный слой и барьерная емкость [80]
    Вольт-амперные характеристики [91]
    Пробой p — n-перехода [103]
    Переходные процессы и шумы [117]
    Схемные функции [121]
    Гетеропереходы [132]
    Литература [139]
  Глава 3. Биполярные транзисторы [142]
    Введение [142]
    Статические характеристики [143]
    СВЧ-транзисторы [166]
    Мощные транзисторы [180]
    Переключающие транзисторы [186]
    Разновидности биполярных транзисторов [192]
    Литература [198]
  Глава 4. Тиристоры [202]
    Введение [202]
    Основные характеристики [202]
    Диодный и триодный тиристоры [221]
    Мощные тиристоры [235]
    Диак и триак [243]
    Однопереходные транзисторы и переключающие тиристоры [247]
    Полевые тиристоры [252]
    Литература [254]
ЧАСТЬ III. УНИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ [257]
  Глава 5. Контакты металл — полупроводник [257]
    Введение [257]
    Зонные диаграммы [258]
    Эффект Шоттки [262]
    Теории процессов переноса заряда [266]
    Высота барьера [283]
    Структуры приборов [310]
    Омический контакт [318]
    Литература [321]
  Глава 6. Полевые транзисторы с p — n-переходом в качестве затвора и полевые транзисторы типа металл — полупроводник [325]
    Введение [325]
    Основные характеристики приборов [327]
    Особенности характеристик реальных приборов [338]
    Высокочастотные характеристики [355]
    Другие полевые приборы [366]
    Литература [374]
  Глава 7. МДП-структуры. Приборы с зарядовой связью [377]
    Введение [377]
    Идеальная МДП-структура [378]
    Si — Si02 — МОП-структуры [394]
    Приборы с зарядовой связью [429]
    Литература [450]
Формат: djvu
Размер:9448637 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 1801 Рейтинг
Открыть: