Физика полупроводников
Автор(ы): | Стильбанс Л. С.
12.02.2016
|
Год изд.: | 1967 |
Описание: | Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектических свойств и контактных явлений. В первой главе эти вопросы рассмотрены в качественной форме, а в последующих дается количественный анализ, но при этом везде делается упор на физическую сущность явлений; необходимые для понимания этого материала сведения из теоретической физики (квантовой механики, статистики и термодинамики) приводятся в тексте попутно с основным материалом. Книга рассчитана на широкий круг читателей — инженеров, научных работников и студентов старших курсов технических вузов. |
Оглавление: |
Предисловие [3] Глава первая. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ [6] 1. 1. Некоторые сведения о строении атома [6] 1. 2. Энергия и движение электрона в твердом теле [10] 1. 3. Электропроводность полупроводников [36] 1. 4. Теплопроводность полупроводников [43] 1. 5. Контактные явления [55] 1. 6. Термоэлектрические явления [75] 1. 7. Гальваномагнитные и термомагнитные явления [83] 1. 8. Фотопроводимость [100] Глава вторая. СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ [113] 2. 1. Некоторые вопросы квантовой теории [113] 2. 2. Геометрия кристаллической решетки [147] 2. 3. Дефекты в кристаллах [163] 2. 4. Тепловые колебания кристаллов [174] 2. 5. Теплоемкость [184] Глава третья. ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕОРИИ КРИСТАЛЛОВ [190] 3. 1. Адиабатическое приближение [190] 3. 2. Одноэлектронное приближение [194] 3. 3. Приближение почти свободных электронов [198] 3. 4. Приближение сильно связанных электронов [207] 3. 5. Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников [209] Глава четвертая. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ [217] 4. 1. Некоторые понятия статистики и термодинамики [217] 4. 2. Распределение Ферми [224] 4. 3. Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках [226] 4. 4. Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение [235] Глава пятая. НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ТЕОРИИ ЯВЛЕНИЙ ПЕРЕНОСА [244] 5. 1. Элементарный расчет электропроводности и подвижности [245] 5. 2. Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации)[260] 5. 3. Феноменологический анализ явлений переноса [270] 5. 4. Вычисление времени релаксации [271] 5. 5. Явления в сильных электрических полях [278] Глава шестая. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ [292] 6. 1. Термоэлектродвижущая сила [294] 6. 2. Вывод коэффициента из кинетического уравнения [296] 6. 3. Увлечение электронов фононами [299] 6. 4. Зависимость от температуры и концентрации носителей [304] 6. 5. Электронная теплопроводность [311] 6. 6. Теплопроводность кристаллической решетки [317] 6. 7. Фотонная теплопроводность [329] Глава седьмая. ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ [331] 7. 1. Общие сведения [331] 7. 2. Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле [341] 7. 3. Эффект Эттингсгаузена [350] 7. 4. Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях [351] 7. 5. Термомагнитные явления [355] Глава восьмая. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ [362] 8. 1. Особенности контактных явлений [362] 8. 2. Контакт полупроводника и металла [366] 8. 3. Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником) [368] 8. 4. Диодная теория Бете [373] 8. 5. Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) [375] 8. 6. Теория p-n перехода [378] Глава девятая. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ [400] 9. 1. Поглощение света [400] 9. 2. Фотопроводимость [409] 9. 3. Фотовольтаические эффекты [421] 9. 4. Циклотронный резонанс [426] 9. 5. Стимулированное излучение [430] Литература [441] Предметный указатель [443] |
Формат: | djvu |
Размер: | 3606965 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 192 |
Открыть: | Ссылка (RU) |