Электронные явления переноса в полупроводниках

Автор(ы):Аскеров Б. М.
04.08.2015
Год изд.:1985
Описание: Книга посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках. Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.
Оглавление:
Электронные явления переноса в полупроводниках — обложка книги.
Предисловие [3]
Глава 1. Энергетический спектр носителей тока в полупроводниках [7]
  § 1. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке [7]
  § 2. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна [10]
  § 3. Структура краев энергетических зон некоторых полупроводников основные модели зон [15]
Глава 2. Статистика носителей заряда в полупроводниках [32]
  § 4. Концентрация электронов в зоне проводимости и уровень Ферми. Зависимость эффективной массы от концентрации [32]
  § 5. Статистика носителей заряда в собственных полупроводниках и полуметаллах [46]
  § 6. Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках [52]
Глава 3. Решение кинетического уравнения. Механизмы рассеяния [67]
  § 7. Феноменологическое определение кинетических коэффициентов и их взаимная связь [67]
  § 8. Кинетическое уравнение и условия его применимости [71]
  § 9. Решение кинетического уравнения для произвольной сферически-симметричной зоны в приближении времени релаксации [78]
  § 10. Рассеяние носителей заряда в полупроводниках с произвольной изотропной зоной. Примесное рассеяние [89]
  § 11. Рассеяние носителей заряда на фононах в полупроводниках с произвольной изотропной зоной [100]
  § 12. Теория рассеяния носителей заряда в полупроводниках с учетом блоховских волновых функций [123]
Глава 4. Электронные явления переноса в полупроводниках с изотропной зоной[136]
  § 13. Общие выражения основных кинетических коэффициентов [136]
  § 14. Явления переноса в отсутствие магнитного поля [141]
  § 15. Явления переноса в магнитном поле [156]
  § 16. Явления переноса в полупроводниках типа р-Ge [187]
  § 17. Увлечение носителей заряда фононами в полупроводниках с произвольной изотропной зоной [197]
Глава 5. Явления переноса в полупроводниках с анизотропной непараболической зоной. Анизотропное рассеяние [206]
  § 18. Решение кинетического уравнения для анизотропной зоны в приближении тензора времени релаксации [207]
  § 19. Тензоры проводимости в полупроводниках с анизотропным законом дисперсии [210]
  § 20. Основные кинетические эффекты в кубических полупроводниках с изотропным законом дисперсии [214]
Глава 6. Явления переноса в квантующих магнитных полях [223]
  § 21. Энергетический спектр и статистика носителей заряда в квантующих магнитных полях [224]
  § 22. Гальваномагнитные явления в квантующем магнитном поле [243]
  § 23. Термомагнитные явления в поперечном квантующем магнитном поле [262]
Глава 7. Электронные явления переноса в полупроводниковых [278]
  § 24. Решение кинетического уравнения в пленках с учетом граничных условий [278]
  § 25. Явления переноса в пленках с произвольным изотропным [285]
  § 26. Квантовые размерные эффекты [294]
Список литературы [310]
Формат: djvu
Размер:4766353 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 197 Рейтинг
Открыть: