Электронные свойства легированных полупроводников

Автор(ы):Шкловский Б. И., Эфрос А. Л.
14.11.2022
Год изд.:1979
Описание: В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсоновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метод вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построенная с помощью этого метода. Большое внимание уделяется сопоставлению ее результатов с экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории.
Оглавление:
Электронные свойства легированных полупроводников — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [3]
ЧАСТЬ I. СЛАБО ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
  Глава 1. Структура одиночных примесных состояний [7]
    § 1. Мелкие примеси [7]
    § 2. Примесные уровни вблизи невырожденной зоны [10]
    § 3. Примесные уровни вблизи точки вырождения зон [20]
    § 4. Асимптотика волновых функций примесных уровней [30]
  Глава 2. Локализация электронных состояний [38]
    § 5. Узкие зоны и переход Мотта [39]
    § 6. Переход Андерсона [45]
    § 7. Примеры переходов Андерсона. Электропроводность и волновые функции вблизи перехода [52]
    § 8. Некоторые аспекты теории перехода Андерсона [58]
    § 9. Локализация в модели Лифшица [61]
  Глава 3. Структура примесной зоны слабо легированных полупроводников [69]
    § 10. Общие замечания [69]
    § 11. Примесная зона в случае малой степени компенсации [74]
    § 12. Крупномасштабный потенциал при малой степени компенсации [83]
    § 13. Примесная зона при большой степени компенсации [88]
  Глава 4. Общее представление о прыжковой электропроводности слабо легированных полупроводников [100]
    § 14. Основные экспериментальные факты [100]
    § 15. Модель сетки сопротивлений Миллера и Абрахамса [111]
  Глава 5. Теория протекания [126]
    § 16. Решеточные задачи [126]
    § 17. Континуальные задачи [145]
    § 18. Задачи на случайных узлах [150]
    § 19. Теория критических индексов [159]
    § 20. Электропроводность случайных сеток из проводящих и непроводящих элементов и топология бесконечного кластера [166]
    § 21. Теория протекания и электропроводность сильно неоднородных сред [174]
  Глава 6. Зависимость прыжковой проводимости от концентрации примесей и деформации кристалла [184]
    § 22. Удельное сопротивление рз для полупроводников с изотропными волновыми функциями примесных состояний [184]
    § 23. Удельное сопротивление рз для полупроводников с анизотропными примесными состояниями [193]
  Глава 7. Прыжковая проводимость в магнитном поле [207]
    § 24. Сопротивление элемента в магнитном поле [207]
    § 25. Вычисление магнитосопротивления и обсуждение экспериментальных данных [218]
  Глава 8. Энергия активации прыжковой проводимости [237]
    § 26. Энергия активации ез при слабой компенсации [237]
    § 27. Энергии активации ej и вз при сильной компенсации [245]
    § 28. Метод малых возмущений в теории протекания и общая теория энергии активации [252]
  Глава 9. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка [263]
    § 29. Закон Мотта [263]
    § 30. Магнитосопротивление в области действия закона Мотта [273]
    § 31. Зависимость прыжковой проводимости аморфных плещок от толщины [276]
    § 32. Предэкспоненциальный множитель прыжковой проводимости [284]
  Глава 10. Влияние корреляционных эффектов на плотность состояний и прыжковую проводимость [288]
    § 33. Кулоновская щель в плотности состояний [289]
    § 34. Роль многочастичных корреляций в прыжковой проводимости [306]
ЧАСТЬ II. СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
  Введение [314]
  Глава 11. Состояния электронов в сильно легированных полупроводниках [316]
    § 35. Теория линейного экранирования [316]
    § 36. Плотность состояний вблизи дна зоны проводимости [321]
    § 37. Вывод квазиклассической формулы для плотности состояний [327]
  Глава 12. Глубокий хвост плотности состояний и межзонное поглощение света [333]
    § 38. Метод оптимальной флуктуации [333]
    § 39. Приближение равномерно заряженного шара. Спектр основных носителей [336]
    § 40. Точное распределение примесей в оптимальных флуктуациях [344]
    § 41. Спектр неосновных носителей [353]
    § 42. Теория межзонного поглощения света [357]
  Глава 13. Теория сильно легированных и сильно компенсированных полупроводников (СЛКП) [367]
    § 43. Некоррелированное распределение примесей [367]
    § 44. Коррелированное распределение примесей [378]
    § 45. Кинетические свойства СЛКП [381]
    § 46. Полностью компенсированный полупроводник [385]
  Приложения [390]
    1 Вычисление показателя экспоненты энергетического интеграла перекрытия в магнитном поле [390]
    2. Энергия активации в случае анизотропных волновых функций [391]
    3. Оценка коэффициентов в формулах (30.2) и (30.8) [393]
Литература [396]
Формат: djvu + ocr
Размер:24793515 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 375 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)