Электронная теория неупорядоченных полупроводников

Автор(ы):Бонч-Бруевич В., Л., Звягин И. П., Кайпер Р. и др.
19.08.2015
Год изд.:1981
Описание: Книга содержит изложение основных представлений современной теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи, возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях, характеристики которых заданы только статистически. Выясняется, какие представления стандартной зонной теории сохраняют силу и в применении к неупорядоченным полупроводникам. Рассматриваются развитые в последнее десятилетие методы расчета энергетических, электрических и оптических характеристик неупорядоченных систем. Рассматриваются также приложения этих представлений для решения ряда задач кинетики и оптики неупорядоченных материалов.
Оглавление:
Электронная теория неупорядоченных полупроводников — обложка книги.
Предисловие [6]
Глава I. Введение [9]
  § 1. Определение неупорядоченной системы. Примеры [9]
  § 2. Случайная сетка атомов [15]
  § 3. Сводка некоторых экспериментальных данных [17]
  § 4. Общие особенности неупорядоченных систем [24]
  § 5. Плотность состояний (предварительные соображения) [28]
  § 6. Плотность состояний (строгое рассмотрение) [34]
  § 7. Самоусредняющиеся величины [41]
Глава II. Энергетический спектр неупорядоченного полупроводника [44]
  § 1. Спектр электронов (качественные соображения) [44]
  § 2. «Подводные камни» [53]
  § 3. Андерсеновская локализация [57]
  § 4. Спектр фононов (качественные соображения) [61]
  § 5. Химические связи в неупорядоченных полупроводниках и модели плотности состояний [65]
  § 6. Неупорядоченный полупроводник без случайного поля [70]
  § 7. Статистические характеристики случайного поля [73]
  § 8. Собственное случайное поле в неупорядоченных полупроводниках [87]
  § 9. Теорема существования дискретных флуктуационных уровней в запрещенной зоне неупорядоченного полупроводника [98]
  § 10. Оценка концентрации флуктуационных уровней [109]
  § 11. Радиус локализации. Степенная локализация [113]
  § 12. Плавное искривление зон [116]
  § 13. Квазиоднородные системы [120]
  § 14. Корреляционные эффекты [123]
  § 15. Экситон в неупорядоченном полупроводнике [124]
  § 16. Кулоновская щель [129]
  § 17. Экранирование локализованными носителями заряда при наличии мягкой щели [136]
  § 18. Низкотемпературная термодинамика носителей заряда при наличии мягкой щели [140]
  § 19. Термодинамика локализованных носителей заряда при наличии двухэлектронных уровней [145]
Глава III. Плотность состояний и двухуровневая функция корреляции [152]
  § 1. Введение [152]
  § 2. Метод оптимальной флуктуации [154]
  § 3. Функция корреляции уровней [160]
  § 4. Функция корреляции уровней электрона в гауссовом случайном поле [163]
  § 5. Представление функции Грина в виде континуального интеграла [169]
  § 6. Качественное исследование усредненной одночастичной функции Грина [173]
  § 7. Вычисление континуального интеграла для Gr(t). Плотность состояний [180]
Глава IV. Явления переноса [190]
  § 1. Основные механизмы переноса [190]
  § 2. Гамильтониан в *-представлении [195]
  § 3. Кинетическое уравнение [200]
  § 4. Отклик системы на внешнее электрическое поле и градиент температуры [206]
  § 5. Плотность тока в *-представлении [213]
  § 6. Метод функций Грина в теории прыжковой проводимости [220]
  § 7. Многофононные перескоки [223]
  § 8. Общее обсуждение методов решения кинетического уравнения для локализованных электронов [228]
  § 9. Критерий связей [234]
  § 10. Температурная зависимость прыжковой проводимости [240]
  § 11. Бесфононная проводимость [245]
  § 12. Температурная зависимость прыжковой термоэдс [249]
  § 13. Кинетическое уравнение при учете электрон-электронного взаимодействия [256]
  § 14. Учет динамической корреляции между электронами при расчете проводимости и термоэдс [267]
  § 15. Проводимость неоднородных полупроводников с крупномасштабными флуктуациями потенциала [272]
  § 16. Критическое поведение в задачах протекания [278]
Глава V. Междузонные оптические переходы в неупорядоченных полупроводниках [282]
  § 1. Общие соотношения. Роль случайного поля [282]
  § 2. Поглощение света в гладком гауссовом случайном поле [289]
  § 3. Электропоглощение в гладком поле [297]
  § 4. Поглощение в примесном случайном поле [305]
  § 5. Экситонное поглощение света в слабом случайном поле [310]
  § 6. Влияние экситонных эффектов на хвост коэффициента поглощения [314]
Глава VI. Резонансное комбинационное рассеяние света в неупорядоченных полупроводниках [319]
  § 1. Введение. Общее выражение для сечения рассеяния и конфигурационное усреднение [319]
  § 2. Влияние гладкого случайного поля на комбинационное рассеяние света при (формула) [323]
  § 3. Влияние гладкого поля на комбинационное рассеяние в случае (формула) [336]
Приложения [344]
  I. Теоремы о корреляции [344]
  II. Поле упругих деформаций [350]
  III. Характеристический функционал гауссова случайного поля [354]
  IV. Непосредственный расчет бинарной корреляционной функции пуассоновского случайного поля [354]
  V. Характеристический функционал лоренцева случайного поля [355]
  VI. Вычисление интеграла, фигурирующего в формуле (П. 9.31) [356]
  VII. Функции Грина в задаче с гамильтонианом (П. 16.1') при Т=0 [356]
  VIII. Диагонализация формы *** [358]
  IX. Вычисление величин П*(к) и П*(к) [361]
  X. Поведение решения кинетического уравнения в области малых частот [364]
  XI. Некоторые результаты стандартной теории протекания [366]
  ХII. Квазиклассический расчет функции Грина для электрона в гладком гауссовом случайном поле [369]
  XIII. Вычисление интеграла по * в формуле для *(*) (V.2.1) [374]
  XIV. Квазиклассический расчет функции Грина для электрона в примесном случайном поле [375]
  XV. Преобразование выражения (VI. 2.23) [378]
Литература [381]
Формат: djvu
Размер:3068561 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 262 Рейтинг
Открыть: