Основы туннельно-зондовой нанотехнологии
Автор(ы): | Неволин В. К.
23.06.2010
|
Год изд.: | 1996 |
Описание: | Прогресс в микроэлектронике связывают с уменьшением линейных размеров функциональных элементов. Если размеры этих элементов достигают порядка нанометра, то существенными становятся квантовые эффекты, принципиально меняющие физику явлений, лежащих в основе работы приборов. Создание таких элементов и интегральных квантовых схем на их основе является предметом нанотехнологии. В пособии изложены физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии на базе сканирующих туннельных микроскопов, показаны основные достижения, обсуждаются проблемы, требующие решения. Предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, желающих познакомиться с новым научным направлением и попробовать свои силы в развитии технологии 21 века. |
Оглавление: |
Обложка книги.
Введение [3]1. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОМЕТРОВЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ ТУННЕЛЬНОГО ЗОНДА [9] 1.1. Физические эффекты в туннельно-зондовой нанотехнологии [9] 1.2. Концепция ТЗН в газах и жидкостях [14] 1.3. Контактное формирование нанорельефа поверхности подложек [25] 1.4. Бесконтактное формирование нанорельефа поверхности подложек [29] 1.5. Локальная глубинная модификация полупроводниковых подложек в туннельном микроскопе [34] 1.6. Локальная электродинамическая модификация поверхности подложек [39] 1.7. Межэлектродный массоперенос с нанометровым разрешением [44] 1.8. Модификация свойств среды в зазоре между туннельным зондом и подложкой [51] 1.9. Электрохимический массоперенос [65] 1.10. Массоперенос из газовой среды [68] 2. РАСТРОВЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ МИКРОСКОПЫ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ [71] 2.1. Механическая часть РТМ [72] 2.2. Система защиты [79] Заключение [81] Литература [82] |
Формат: | djvu |
Размер: | 762717 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 263 |
Открыть: | Ссылка (RU) |