Основы туннельно-зондовой нанотехнологии

Автор(ы):Неволин В. К.
23.06.2010
Год изд.:1996
Описание: Прогресс в микроэлектронике связывают с уменьшением линейных размеров функциональных элементов. Если размеры этих элементов достигают порядка нанометра, то существенными становятся квантовые эффекты, принципиально меняющие физику явлений, лежащих в основе работы приборов. Создание таких элементов и интегральных квантовых схем на их основе является предметом нанотехнологии. В пособии изложены физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии на базе сканирующих туннельных микроскопов, показаны основные достижения, обсуждаются проблемы, требующие решения. Предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, желающих познакомиться с новым научным направлением и попробовать свои силы в развитии технологии 21 века.
Оглавление:
Основы туннельно-зондовой нанотехнологии — обложка книги.
Введение [3]
1. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОМЕТРОВЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ ТУННЕЛЬНОГО ЗОНДА [9]
  1.1. Физические эффекты в туннельно-зондовой нанотехнологии [9]
  1.2. Концепция ТЗН в газах и жидкостях [14]
  1.3. Контактное формирование нанорельефа поверхности подложек [25]
  1.4. Бесконтактное формирование нанорельефа поверхности подложек [29]
  1.5. Локальная глубинная модификация полупроводниковых подложек в туннельном микроскопе [34]
  1.6. Локальная электродинамическая модификация поверхности подложек [39]
  1.7. Межэлектродный массоперенос с нанометровым разрешением [44]
  1.8. Модификация свойств среды в зазоре между туннельным зондом и подложкой [51]
  1.9. Электрохимический массоперенос [65]
  1.10. Массоперенос из газовой среды [68]
2. РАСТРОВЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ МИКРОСКОПЫ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ [71]
  2.1. Механическая часть РТМ [72]
  2.2. Система защиты [79]
Заключение [81]
Литература [82]
Формат: djvu
Размер:762717 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 211 Рейтинг
Открыть: