Современные методы исследования поверхности
Автор(ы): | Вудраф Д., Делчар Т.
18.06.2010
|
Год изд.: | 1989 |
Описание: | В книге английских ученых излагаются физические основы более двадцати современных методов исследования поверхности (дифракция медленных электронов, ионная и электронная спектроскопия и т. д.). Дается сравнение и сопоставление методов друг с другом в зависимости от исследуемой проблемы физики поверхности. Книга предназначена для студентов и аспирантов физических, химических и материаловедческих специальностей, и также для широкого круга исследователей в области физики поверхности. |
Оглавление: |
Обложка книги.
Предисловие редактора перевода [5]Предисловие [7] Сокращения [9] Глава 1. ВВЕДЕНИЕ [11] 1.1. Почему поверхность? [11] 1.2. Сверхвысокий вакуум, загрязнения и очистка [14] 1.3. Адсорбция на поверхности [20] 1.4. Аналитические методы исследования поверхности [23] Глава 2. КРИСТАЛЛОГРАФИЯ ПОВЕРХНОСТИ И ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ [27] 2.1. Симметрия поверхности [27] 2.2. Описание структур верхних слоев [34] 2.3. Обратная решетка и дифракция электронов [37] 2.4. Дифракция электронов; качественное рассмотрение [42] 2.5. Домены, ступеньки и дефекты [45] 2.6. Определение структуры поверхности с помощью ДМЭ [65] 2.6.1. Общее рассмотрение и недостатки методов однократного рассеяния и фурье-преобразования [65] 2.6.2. Основные теории многократного рассеяния [77] 2.6.3. Применение расчетов многократного рассеяния [85] 2.7. Тепловые эффекты [92] 2.8. Дифракция отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) [95] Глава 3. МЕТОДЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ [101] 3.1. Общие замечания [101] 3.1.1. Введение [101] 3.1.2. Неупругое рассеяние электронов и поверхностная чувствительность [102] 3.1.3. Электронные спектрометры [108] 3.1.4. Распределение электронов по энергии в методах электронной спектроскопии [122] 3.1.5. Методы электронной спектроскопии: спектроскопия остовных уровней атомов [126] 3.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) [127] 3.2.1. Введение [127] 3.2.2. Источники фотонов [128] 3.2.3. Форма и сдвиги фотоэлектронных пиков [131] 3.2.4. РФЭС — спектроскопия остовных уровней [141] 3.2.5. Использование синхротронного излучения [149] 3.2.6. Структурные эффекты в РФЭС [153] 3.3. Электронная оже-спектроскопия (ЭОС) [164] 3.3.1. Введение: основные процессы [164] 3.3.2. Энергетические уровни, сдвиги и форма пиков [166] 3.3.3. ЭОС как метод анализа состава поверхности [179] 3.3.4. ЭОС и РФЭС — некоторые сопоставления [193] 3.4. Пороговые методы [195] 3.4.1. Спектроскопия потенциала появления (СПП) [195] 3.4.2. Спектроскопия ионизационных потерь (СИП) [204] 3.4.3. Структурные эффекты в пороговых методах [207] 3.5. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (УФЭС) [212] 3.5.1. Введение [212] 3.5.2. Использование УФЭС для изучения зонной структуры [214] 3.5.3. Применение УФЭС для изучения адсорбированных молекул [233] Глава 4. МЕТОДЫ ИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ [251] 4.1. Введение [251] 4.2. Обмен зарядом между ионами и поверхностью [253] 4.2.1. Ионно-нейтрализационная спектроскопия (ИНС) [257] 4.2.2. Ионно-нейтрализационная спектроскопия с участием метастабильных атомов [266] 4.2.3. Экспериментальное оборудование для ИНС [268] 4.2.4. Экспериментальные результаты, полученные при нейтрализации ионов на поверхности металлов [273] 4.2.5. Информация, получаемая при ИНС металлов [278] 4.3. Методы, основанные на изучении рассеяния ионов [281] 4.3.1. Рассеяние медленных ионов (РМИ): основные положения [282] 4.3.2. Структурные эффекты в РМИ [297] 4.3.3. Оборудование, проблемы и перспективы РМИ [302] 4.3.4. Рассеяние быстрых ионов (РБИ) [305] 4.4. Распыление и послойный анализ [314] 4.5. Вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС) [332] Глава 5. ДЕСОРБЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ [354] 5.1. Введение [354] 5.2. Термодесорбция [356] 5.2.1. Введение [356] 5.2.2. Качественный анализ зависимостей давления от времени [357] 5.2.3. Экспериментальное оборудование для импульсной десорбции и ТПД [368] 5.2.4. Спектры импульсной десорбции и ТПД [372] 5.3. Электронно-стимулированная десорбция [377] 5.3.1. Основные механизмы [377] 5.3.2. Оборудование и измерения [391] 5.3.3. Некоторые приложения и результаты [401] Глава 6. ПОЛЕВЫЕ МЕТОДЫ [408] 6.1. Полевая эмиссия [408] 6.2. Полевой электронный микроскоп [414] 6.2.1. Факторы, определяющие работу микроскопа [417] 6.2.2. Устройство микроскопа [418] 6.2.3. Экспериментальные результаты, полученные с помощью полевой электронной микроскопии (ПЭМ) [420] 6.3. Полевая ионизация [423] 6.4. Испарение и десорбция полем [433] 6.5. Полевой ионный микроскоп [436] 6.6. Полевой ионный микроскоп с атомным зондом [442] Глава 7. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ РАБОТЫ ВЫХОДА [445] 7.1. Введение [445] 7.2. Монокристаллические поверхности [446] 7.3. Поликристаллические поверхности [447] 7.4. Диодный метод измерения работы выхода [451] 7.5. Измерения работы выхода, основанные на КРП [459] 7.6. Методы полевой эмиссии [465] 7.7. Фотоэлектрические измерения [466] 7.8. Экспериментальные результаты [468] Глава 8. РАССЕЯНИЕ МОЛЕКУЛЯРНЫХ И АТОМНЫХ ПУЧКОВ [471] 8.1. Введение [471] 8.2. Взаимодействие нейтральной частицы с поверхностью [472] 8.3. Неупругое рассеяние, классическая точка зрения [476] 8.3.1. Неупругое рассеяние, квантовомеханическая точка зрения [481] 8.4. Упругое рассеяние [483] 8.5. Получение и использование молекулярных пучков [486] 8.6. Детекторы [493] 8.7. Экспериментальные установки [494] 8.8. Исследования, проводимые на основе изучения рассеяния атомных и молекулярных пучков [499] Глава 9. МЕТОДЫ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ [514] 9.1. Введение [514] 9.2. ОАИКС [522] 9.3. Спектроскопия потерь энергии электронов [525] 9.4. Экспериментальные методы ОАИКС [528] 9.4.1. Применения ОАИКС [530] 9.5. Экспериментальная методика СХПЭЭВР [535] 9.5.1. Экспериментальные результаты по СХПЭЭВР [536] Литература [545] Именной указатель [559] Указатель химических соединений [562] Предметный указатель [564] |
Формат: | djvu |
Размер: | 5787152 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 223 |
Открыть: | Ссылка (RU) |