Библиотечка "Квант". Выпуск 65. Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)
Автор(ы): | Левинштейн М. Е., Симин Г. С.
09.06.2010
|
Год изд.: | 1987 |
Описание: | Популярный рассказ о полупроводниковых приборах — о том, как они устроены, как работают, где применяются, как выращивают и очищают полупроводники, как изготавливают интегральные схемы, как зарождалась полупроводниковая электроника и какие удивительные перемены произошли в мире с ее появлением. В основе работы полупроводниковых приборов лежат свойства кристалла, из которого прибор изготовлен, и свойства барьеров, возникающих на границе между различными частями кристалла. Поняв свойства полупроводников и преодолев барьеры, можно разобраться в том, как работает любой прибор — от простейшего диода до самой сложной интегральной схемы. Для учащихся старших классов, студентов, преподавателей. |
Оглавление: |
Обложка книги.
От авторов [6]Введение. Дорогу осилит идущий [7] Часть I. ПОЛУПРОВОДНИКИ [10] Глава 1. Что такое полупроводник [11] Металлы, диэлектрики, полупроводники [12] Собственные полупроводники [16] «Свободные» электроны в кристалле [17] Дырки [18] Генерация и рекомбинация [20] Тепловая генерация электронов и дырок [21] Рекомбинация электронов и дырок [22] Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике [23] Бестигельная зонная плавка [24] Примесные полупроводники [26] Донорная примесь [26] Примесное истощение [28] Зависимость концентрации электронов от температуры [29] Дырки в электронном полупроводнике [30] Акцепторная примесь [32] Послушайте теперь ту же мелодию в исполнении фагота [33] Компенсация [37] Moralite [40] Глава 2. Рождение, жизнь и смерть электрона и дырки [41] Рождение и смерть [41] Глубокие центры: компенсаторы, ступеньки, убийцы [41] Жизнь и движение [53] Тепловое движение: средняя скорость, шарики для настольного тенниса на подносе и в ведре с водой [53] Движение в электрическом поле: подвижность, зависимость дрейфовой скорости от поля, энергетическая диаграмма [65] История самых главных понятий [74] Диффузия (коэффициент диффузии, диффузионный ток, соотношение Эйнштейна, скорость диффузии, диффузия неравновесных носителей) [75] Moralite [84] Часть II. БАРЬЕРЫ [86] Глава 3. Барьер на границе кристалла [87] Работа выхода [88] Вернись, я вновь и вновь зову — вернись [91] Двойной заряженный слой [93] Как определяется работа выхода и чему она равна [94] С полупроводниками, как всегда, дело обстоит непросто [99] Поверхностные состояния [103] Уровни Тамма [104] Реальная поверхность [104] Изгибы зон, поверхностный потенциал [105] Moralite [111] Глава 4. Основные параметры энергетических барьеров в полупроводниках [112] Как внешнее электрическое поле проникает в металл, диэлектрик, полупроводник [113] Металл [113] Диэлектрик [115] Полупроводник [116] Закон изменения поля с координатой [117] Распределение поля в барьере. Ширина барьера [120] Трансмутационное легирование полупроводников [125] Несколько слов о прямоугольных треугольниках [127] Moralite [128] Глава 5. р — n переход [129] Способы получения р — n переходов [130] Сплавление [132] Диффузия [133] Ионная имплантация [138] Барьер на границе [141] Высота барьера [144] Обедненный слой [147] Распределение поля в барьере. Ширина барьера [149] Чудесное равновесие [154] Обратное смещение [161] Высота и форма барьера [163] Обратный ток [164] Фотодиоды [170] Барьерная емкость [175] Варикапы [181] Ударная ионизация [188] Первая похвала терпению [198] Прямое смещение [199] Высота барьера [199] Прямой ток [200] Инжекция [205] Снова прямой ток [208] Светодиоды [210] Солнечные батареи [217] Выпрямительные диоды [222] Вторая похвала терпению [230] Moralite [231] Часть III. ТРАНЗИСТОРЫ [233] Глава 6. Биполярные транзисторы [234] Принцип работы биполярного транзистора [234] Усиление по току [238] Притча о главном и деталях [240] Быстродействие транзистора [240] Как выглядят биполярные транзисторы и как они изготавливаются [251] Фотолитография [258] Простейшие транзисторные схемы [260] Схема усилителя с общим эмиттером [260] Схема усилителя с общей базой [270] Moralite [274] Глава 7. Полевой транзистор [275] На варе туманной юности [275] Основная идея [275] Простые оценки [277] Старые друзья [278] Зрелость и расцвет [279] Полевой транзистор с р — n переходом [279] Эпитаксия [281] Усердие все превозмогает: МДП транзисторы [285] Несколько важных деталей [289] Физическая картина работы полевого транзистора в реальных рабочих режимах [290] Основные параметры полевых транзисторов [295] Крутизна [295] Быстродействие [298] Полевой транзистор как элемент радиотехнических схем [299] Moralite [300] Глава 8. Транзисторы и жизнь [301] Первая королева [302] Гадкий утенок [305] Да здравствует король! [307] Король исчезает. Да здравствует король! [309] Претенденты на трон [316] Объемные интегральные схемы [317] Полупроводниковые элементы оптических ЭВМ [317] Биорадиоэлектроника [318] Заключение [319] |
Формат: | djvu |
Размер: | 4326947 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 167 |
Открыть: | Ссылка (RU) |