Библиотечка "Квант". Выпуск 65. Барьеры (От кристалла до интегральной схемы) (Левинштейн М. Е., Симин Г. С.)

Библиотечка "Квант". Выпуск 65. Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

Автор(ы):Левинштейн М. Е., Симин Г. С.
09.06.2010
Год изд.:1987
Описание: Популярный рассказ о полупроводниковых приборах — о том, как они устроены, как работают, где применяются, как выращивают и очищают полупроводники, как изготавливают интегральные схемы, как зарождалась полупроводниковая электроника и какие удивительные перемены произошли в мире с ее появлением. В основе работы полупроводниковых приборов лежат свойства кристалла, из которого прибор изготовлен, и свойства барьеров, возникающих на границе между различными частями кристалла. Поняв свойства полупроводников и преодолев барьеры, можно разобраться в том, как работает любой прибор — от простейшего диода до самой сложной интегральной схемы. Для учащихся старших классов, студентов, преподавателей.
Оглавление:
Библиотечка "Квант". Выпуск 65. Барьеры (От кристалла до интегральной схемы) — обложка книги. Обложка книги.
От авторов [6]
Введение. Дорогу осилит идущий [7]
Часть I. ПОЛУПРОВОДНИКИ [10]
  Глава 1. Что такое полупроводник [11]
    Металлы, диэлектрики, полупроводники [12]
    Собственные полупроводники [16]
      «Свободные» электроны в кристалле [17]
      Дырки [18]
      Генерация и рекомбинация [20]
      Тепловая генерация электронов и дырок [21]
      Рекомбинация электронов и дырок [22]
      Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике [23]
    Бестигельная зонная плавка [24]
    Примесные полупроводники [26]
      Донорная примесь [26]
      Примесное истощение [28]
      Зависимость концентрации электронов от температуры [29]
      Дырки в электронном полупроводнике [30]
      Акцепторная примесь [32]
    Послушайте теперь ту же мелодию в исполнении фагота [33]
      Компенсация [37]
    Moralite [40]
  Глава 2. Рождение, жизнь и смерть электрона и дырки [41]
    Рождение и смерть [41]
    Глубокие центры: компенсаторы, ступеньки, убийцы [41]
    Жизнь и движение [53]
      Тепловое движение: средняя скорость, шарики для настольного тенниса на подносе и в ведре с водой [53]
      Движение в электрическом поле: подвижность, зависимость дрейфовой скорости от поля, энергетическая диаграмма [65]
    История самых главных понятий [74]
      Диффузия (коэффициент диффузии, диффузионный ток, соотношение Эйнштейна, скорость диффузии, диффузия неравновесных носителей) [75]
    Moralite [84]
Часть II. БАРЬЕРЫ [86]
  Глава 3. Барьер на границе кристалла [87]
    Работа выхода [88]
      Вернись, я вновь и вновь зову — вернись [91]
      Двойной заряженный слой [93]
      Как определяется работа выхода и чему она равна [94]
      С полупроводниками, как всегда, дело обстоит непросто [99]
    Поверхностные состояния [103]
      Уровни Тамма [104]
      Реальная поверхность [104]
    Изгибы зон, поверхностный потенциал [105]
    Moralite [111]
  Глава 4. Основные параметры энергетических барьеров в полупроводниках [112]
    Как внешнее электрическое поле проникает в металл, диэлектрик, полупроводник [113]
      Металл [113]
      Диэлектрик [115]
      Полупроводник [116]
    Закон изменения поля с координатой [117]
    Распределение поля в барьере. Ширина барьера [120]
    Трансмутационное легирование полупроводников [125]
    Несколько слов о прямоугольных треугольниках [127]
    Moralite [128]
  Глава 5. р — n переход [129]
    Способы получения р — n переходов [130]
      Сплавление [132]
      Диффузия [133]
      Ионная имплантация [138]
    Барьер на границе [141]
      Высота барьера [144]
      Обедненный слой [147]
      Распределение поля в барьере. Ширина барьера [149]
      Чудесное равновесие [154]
    Обратное смещение [161]
      Высота и форма барьера [163]
      Обратный ток [164]
      Фотодиоды [170]
      Барьерная емкость [175]
      Варикапы [181]
      Ударная ионизация [188]
    Первая похвала терпению [198]
    Прямое смещение [199]
      Высота барьера [199]
      Прямой ток [200]
      Инжекция [205]
      Снова прямой ток [208]
      Светодиоды [210]
      Солнечные батареи [217]
      Выпрямительные диоды [222]
    Вторая похвала терпению [230]
    Moralite [231]
Часть III. ТРАНЗИСТОРЫ [233]
  Глава 6. Биполярные транзисторы [234]
    Принцип работы биполярного транзистора [234]
      Усиление по току [238]
      Притча о главном и деталях [240]
      Быстродействие транзистора [240]
    Как выглядят биполярные транзисторы и как они изготавливаются [251]
    Фотолитография [258]
    Простейшие транзисторные схемы [260]
      Схема усилителя с общим эмиттером [260]
      Схема усилителя с общей базой [270]
    Moralite [274]
  Глава 7. Полевой транзистор [275]
  На варе туманной юности [275]
    Основная идея [275]
    Простые оценки [277]
    Старые друзья [278]
  Зрелость и расцвет [279]
    Полевой транзистор с р — n переходом [279]
  Эпитаксия [281]
  Усердие все превозмогает: МДП транзисторы [285]
  Несколько важных деталей [289]
  Физическая картина работы полевого транзистора в реальных рабочих режимах [290]
  Основные параметры полевых транзисторов [295]
    Крутизна [295]
    Быстродействие [298]
  Полевой транзистор как элемент радиотехнических схем [299]
  Moralite [300]
  Глава 8. Транзисторы и жизнь [301]
    Первая королева [302]
    Гадкий утенок [305]
    Да здравствует король! [307]
    Король исчезает. Да здравствует король! [309]
    Претенденты на трон [316]
      Объемные интегральные схемы [317]
      Полупроводниковые элементы оптических ЭВМ [317]
      Биорадиоэлектроника [318]
Заключение [319]
Формат: djvu
Размер:4326947 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 613 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)