Приемники инфракрасного излучения
| Автор(ы): | Бараночников М. Л.
11.02.2010
|
| Год изд.: | 1985 |
| Описание: | В обзоре, составленном по материалам открытой советской и зарубежной печати сообщается о различных областих: применения изделий микрофотоэлектроники, приводятся сведения о составе продукции основных зарубежных фирм выпускающих фотонные и тепловые приемники ИК-излучения. Приводятся основные сведения о конструкциях фотоприемников и ФПУ, а также об уровне фотоэлектрических параметров основных типов фото- и тепловых приемников излучения выпускаемых ведущими зарубежными фирмами, оценивается перспективы разработки и выпуска приемников излучения. Обзор рассчитан на инженерно-технических работников, молодых специалистов и руководителей подразделений, занимающихся разработкой и эксплуатацией приемников ИК-излучения. |
| Оглавление: |
Введение [2] Характеристики основных типов фотоприемников [18] Фотоприемники на основе кремния [18] Фотоприемники на основе германия [20] Фотоприемники для волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) [21] Фотоприемники на основе широкозонных полупроводников типа: галлий-мышьяк, галлий-мышьяк-фосфор, галлий-индий-арсенид [21] Фотоприемники на основе сернистого свинца [24] Фотоприемники на основе селенида свинца [26] Фотоприемники на основе антимонида индия [28] Фотоприемники на основе соединения кадмий-ртуть-теллур [31] Фотоприемники на основе соединений свинец-олово-теллур [35] Фотоприемники на основе арсенида индия [37] Фотоприемники на основе легированного германия и кремния [39] Фотоприемники на основе легированного германия [39] Фотоприемники на основе легированного кремния [42] Многодиапазонные фотоприемники [44] Тепловые приемники излучения [46] Фотоприемные устройства [49] Предусилители для фотоприемников [52] Формирователи сигналов изображения [54] Фотоприемники типа SPRITE [59] Выводы, тенденции, перспективы [62] Литература [67] Приложение [71] Таблица П1. Зарубежные фирмы-изготовители изделий микрофотоэлектроники [72] Таблица П2. Структура продукции основных стран изготовителей изделий микрофотоэлектроники [79] Таблица П3. Номенклатура приборов основных фирм [80] Рис. П1 и П2. Статистические сведения о продукции, выпускаемой зарубежными фирмами [81] Рис. ПЗ и П4. Статистические сведения о продукции, выпускаемой зарубежными фирмами [82] Рис. П5. Основные направления развития микрофотоэлектроники [83] Рис. П6. Теоретические параметры идеального фотопримника [84] Рис. П7. Основные характеристики типового фоторезистора на основе InSb [85] Рис. П8. Основные характеристики типового фотодиода на основе InSb [86] Рис. П9. Основные характеристики типового фотодиода на основе InAs [87] Рис. П10. Основные характеристики типового фоторезистора на основе PbS [88] Рис. П11. Основные характеристики типового фоторезистора на основе Ge:Hg [89] Рис. П12. Основные характеристики типового фоторезистора на основе Ge:Cu [90] Рис. П13. Основные характеристики типового термисторного болометра [91] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 7497990 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
47
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |