Приемники инфракрасного излучения

Автор(ы):Бараночников М. Л.
11.02.2010
Год изд.:1985
Описание: В обзоре, составленном по материалам открытой советской и зарубежной печати сообщается о различных областих: применения изделий микрофотоэлектроники, приводятся сведения о составе продукции основных зарубежных фирм выпускающих фотонные и тепловые приемники ИК-излучения. Приводятся основные сведения о конструкциях фотоприемников и ФПУ, а также об уровне фотоэлектрических параметров основных типов фото- и тепловых приемников излучения выпускаемых ведущими зарубежными фирмами, оценивается перспективы разработки и выпуска приемников излучения. Обзор рассчитан на инженерно-технических работников, молодых специалистов и руководителей подразделений, занимающихся разработкой и эксплуатацией приемников ИК-излучения.
Оглавление: Введение [2]
Характеристики основных типов фотоприемников [18]
  Фотоприемники на основе кремния [18]
  Фотоприемники на основе германия [20]
  Фотоприемники для волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) [21]
  Фотоприемники на основе широкозонных полупроводников типа: галлий-мышьяк, галлий-мышьяк-фосфор, галлий-индий-арсенид [21]
  Фотоприемники на основе сернистого свинца [24]
  Фотоприемники на основе селенида свинца [26]
  Фотоприемники на основе антимонида индия [28]
  Фотоприемники на основе соединения кадмий-ртуть-теллур [31]
  Фотоприемники на основе соединений свинец-олово-теллур [35]
  Фотоприемники на основе арсенида индия [37]
  Фотоприемники на основе легированного германия и кремния [39]
  Фотоприемники на основе легированного германия [39]
  Фотоприемники на основе легированного кремния [42]
  Многодиапазонные фотоприемники [44]
  Тепловые приемники излучения [46]
  Фотоприемные устройства [49]
  Предусилители для фотоприемников [52]
  Формирователи сигналов изображения [54]
  Фотоприемники типа SPRITE [59]
  Выводы, тенденции, перспективы [62]
Литература [67]
Приложение [71]
  Таблица П1. Зарубежные фирмы-изготовители изделий микрофотоэлектроники [72]
  Таблица П2. Структура продукции основных стран изготовителей изделий микрофотоэлектроники [79]
  Таблица П3. Номенклатура приборов основных фирм [80]
  Рис. П1 и П2. Статистические сведения о продукции, выпускаемой зарубежными фирмами [81]
  Рис. ПЗ и П4. Статистические сведения о продукции, выпускаемой зарубежными фирмами [82]
  Рис. П5. Основные направления развития микрофотоэлектроники [83]
  Рис. П6. Теоретические параметры идеального фотопримника [84]
  Рис. П7. Основные характеристики типового фоторезистора на основе InSb [85]
  Рис. П8. Основные характеристики типового фотодиода на основе InSb [86]
  Рис. П9. Основные характеристики типового фотодиода на основе InAs [87]
  Рис. П10. Основные характеристики типового фоторезистора на основе PbS [88]
  Рис. П11. Основные характеристики типового фоторезистора на основе Ge:Hg [89]
  Рис. П12. Основные характеристики типового фоторезистора на основе Ge:Cu [90]
  Рис. П13. Основные характеристики типового термисторного болометра [91]
Формат: djvu
Размер:7497990 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 244 Рейтинг
Открыть: