Эффект Ганна

Автор(ы):Левинштейн М. Е., Пожела Ю. К., Шур М. С.
06.10.2007
Год изд.:1975
Описание: В книге описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна — одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов, открытых за последнее десятилетие в физике полупроводников. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы действия, технические характеристики и возможности использования многочисленных приборов на основе эффекта Ганна: генераторов и усилителей СВЧ, аналоговых приборов, логических схем, оптоэлектронных устройств. Монография рассчитана на инженеров и физиков, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Оглавление:
Эффект Ганна — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие редактора [3]
Предисловие [5]
Список основных обозначений [6]
Глава 1. Основные черты физической картины эффекта Ганна [7]
  1.1. Введение [7]
  1.2. Домен сильного поля [10]
  1.3. Нарастающие волны объемного заряда [17]
Глава 2. Эффекты переноса в арсениде галлия в сильных электрических полях [21]
  2.1. Введение [21]
  2.2. Теоретические исследования эффектов переноса в сильных электрических полях в арсениде галлия [22]
  2.3. Экспериментальные исследования эффектов переноса в арсениде галлия в сильном электрическом ноле [34]
Глава 3. Феноменологическая теория эффекта Ганна [38]
  3.1. Введение [38]
  3.2. Основные уравнения [39]
  3.3. Линейная теория [40]
  3.4. Нелинейная теория стабильного домена [47]
  3.5. Динамика ганновских доменов [63]
  3.6. «Мощностная» и температурная модели [77]
Глава 4. Эффект Ганна в различных соединениях [83]
  4.1. Эффект Ганна в полупроводниках типа AIIIBV, AIIBVI [83]
  4.2. Эффект Ганна в твердых растворах GaAs—GaP, GaAs—AlAs и GaSb—InSb [88]
  4.3. Эффект Ганна в германии [90]
  4.4. Эффект Ганна в кремнии [95]
Глава 5. Влияние на параметры эффекта Ганна внешних физических условий [95]
  5.1. Влияние магнитного поля [95]
  5.2. Влияние давления [101]
  5.3. Влияние температуры [102]
  5.4. Влияние освещения [102]
  5.5. Влияние гамма-излучения [105]
  5.6. Влияние на эффект Ганна захвата электронов глубокими примесными центрами [105]
  5.7. Особенности эффекта Ганна в тонких образцах и образцах с диэлектрическим покрытием [112]
Глава 6. Влияние на эффект Ганна контактов и неоднородностей [117]
  6.1. Экспериментальные результаты [117]
  6.2. Теоретические исследования влияния контактов и неоднородностей [124]
Глава 7. Основные физические явления, связанные с эффектом Ганна [137]
  7.1. Модуляция света диодом Ганна [137]
  7.2. Генерация ультразвука [139]
  7.3. Явления, возникающие при пробое в домене сильного поля [142]
  7.4. Эффект Ганна в полупроводниках с двумя сортами носителей (в присутствии дырок) [156]
Глава 8. СВЧ генераторы Ганна (пролетные режимы работы) [164]
  8.1. Классификация режимов работы СВЧ генераторов на основе эффекта Ганна [164]
  8.2. Теория генераторов- СВЧ, работающих в ганиовских модах колебаний [167]
  8.3. Технические характеристики ганновских генераторов СВЧ [180]
  8.4 Некоторые другие типы генераторов Ганна [193]
Глава 9. Ганновские генераторы СВЧ, работающие в режиме ОНОЗ и гибридном режиме [195]
  9.1. Введение [195]
  9.2. Принцип работы диода Ганна в режиме ОНОЗ [196]
  9.3. Теория ганновских генераторов СВЧ, работающих в режиме ОНОЗ [198]
  9.4. Технические характеристики диодов Ганна, работающих в режиме ОНОЗ [205]
  9.5. Гибридный режим работы генераторов Ганна [209]
Глава 10. Усилители СВЧ на основе эффекта Ганна [212]
  10.1. Введение [212]
  10.2. Классификация усилителей на основе эффекта Ганна [212]
  10.3. Стабильные усилители [216]
  10.4. Усилители Тима с бегущим доменом [222]
  10.5. Параметрические усилители с бегущим доменом [223]
  10.6. Усилители ОНОЗ. Усилители, основанные на использовании падающего участка характеристики (?) [226]
  10.7. Синхронизированные генераторы Ганна [227]
  10.8. Специальные типы усилителей [229]
Глава 11. Логические, функциональные и оптоэлектронные приборы на основе эффекта Ганна [231]
  11.1. Логические приборы [231]
  11.2. Функциональные элементы на основе диодов Ганна [237]
  11.3. Оптоэлектронные приборы на основе эффекта Ганна [242]
Глава 12. Основы технологии и конструирования ганновских приборов [244]
  12.1. Введение [244]
  12.2. Получение и свойства исходного материала [244]
  12.3. Изготовление контактов [248]
  12.4. Проблемы теплоотвода [251]
Приложение. Некоторые сведения о зонной структуре полупроводников [261]
  П.1. Зонная структура бинарных соединений [261]
  П.2. Тройные соединения [263]
  П.3. Влияние давления на положение долин [263]
Список литературы [264]
Формат: djvu
Размер:4535085 байт
Язык:RUS
Рейтинг: 419 Рейтинг
Открыть: