Эффект Ганна
Автор(ы): | Левинштейн М. Е., Пожела Ю. К., Шур М. С.
06.10.2007
|
Год изд.: | 1975 |
Описание: | В книге описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна — одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов, открытых за последнее десятилетие в физике полупроводников. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы действия, технические характеристики и возможности использования многочисленных приборов на основе эффекта Ганна: генераторов и усилителей СВЧ, аналоговых приборов, логических схем, оптоэлектронных устройств. Монография рассчитана на инженеров и физиков, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей. |
Оглавление: |
Обложка книги.
Предисловие редактора [3]Предисловие [5] Список основных обозначений [6] Глава 1. Основные черты физической картины эффекта Ганна [7] 1.1. Введение [7] 1.2. Домен сильного поля [10] 1.3. Нарастающие волны объемного заряда [17] Глава 2. Эффекты переноса в арсениде галлия в сильных электрических полях [21] 2.1. Введение [21] 2.2. Теоретические исследования эффектов переноса в сильных электрических полях в арсениде галлия [22] 2.3. Экспериментальные исследования эффектов переноса в арсениде галлия в сильном электрическом ноле [34] Глава 3. Феноменологическая теория эффекта Ганна [38] 3.1. Введение [38] 3.2. Основные уравнения [39] 3.3. Линейная теория [40] 3.4. Нелинейная теория стабильного домена [47] 3.5. Динамика ганновских доменов [63] 3.6. «Мощностная» и температурная модели [77] Глава 4. Эффект Ганна в различных соединениях [83] 4.1. Эффект Ганна в полупроводниках типа AIIIBV, AIIBVI [83] 4.2. Эффект Ганна в твердых растворах GaAs—GaP, GaAs—AlAs и GaSb—InSb [88] 4.3. Эффект Ганна в германии [90] 4.4. Эффект Ганна в кремнии [95] Глава 5. Влияние на параметры эффекта Ганна внешних физических условий [95] 5.1. Влияние магнитного поля [95] 5.2. Влияние давления [101] 5.3. Влияние температуры [102] 5.4. Влияние освещения [102] 5.5. Влияние гамма-излучения [105] 5.6. Влияние на эффект Ганна захвата электронов глубокими примесными центрами [105] 5.7. Особенности эффекта Ганна в тонких образцах и образцах с диэлектрическим покрытием [112] Глава 6. Влияние на эффект Ганна контактов и неоднородностей [117] 6.1. Экспериментальные результаты [117] 6.2. Теоретические исследования влияния контактов и неоднородностей [124] Глава 7. Основные физические явления, связанные с эффектом Ганна [137] 7.1. Модуляция света диодом Ганна [137] 7.2. Генерация ультразвука [139] 7.3. Явления, возникающие при пробое в домене сильного поля [142] 7.4. Эффект Ганна в полупроводниках с двумя сортами носителей (в присутствии дырок) [156] Глава 8. СВЧ генераторы Ганна (пролетные режимы работы) [164] 8.1. Классификация режимов работы СВЧ генераторов на основе эффекта Ганна [164] 8.2. Теория генераторов- СВЧ, работающих в ганиовских модах колебаний [167] 8.3. Технические характеристики ганновских генераторов СВЧ [180] 8.4 Некоторые другие типы генераторов Ганна [193] Глава 9. Ганновские генераторы СВЧ, работающие в режиме ОНОЗ и гибридном режиме [195] 9.1. Введение [195] 9.2. Принцип работы диода Ганна в режиме ОНОЗ [196] 9.3. Теория ганновских генераторов СВЧ, работающих в режиме ОНОЗ [198] 9.4. Технические характеристики диодов Ганна, работающих в режиме ОНОЗ [205] 9.5. Гибридный режим работы генераторов Ганна [209] Глава 10. Усилители СВЧ на основе эффекта Ганна [212] 10.1. Введение [212] 10.2. Классификация усилителей на основе эффекта Ганна [212] 10.3. Стабильные усилители [216] 10.4. Усилители Тима с бегущим доменом [222] 10.5. Параметрические усилители с бегущим доменом [223] 10.6. Усилители ОНОЗ. Усилители, основанные на использовании падающего участка характеристики (?) [226] 10.7. Синхронизированные генераторы Ганна [227] 10.8. Специальные типы усилителей [229] Глава 11. Логические, функциональные и оптоэлектронные приборы на основе эффекта Ганна [231] 11.1. Логические приборы [231] 11.2. Функциональные элементы на основе диодов Ганна [237] 11.3. Оптоэлектронные приборы на основе эффекта Ганна [242] Глава 12. Основы технологии и конструирования ганновских приборов [244] 12.1. Введение [244] 12.2. Получение и свойства исходного материала [244] 12.3. Изготовление контактов [248] 12.4. Проблемы теплоотвода [251] Приложение. Некоторые сведения о зонной структуре полупроводников [261] П.1. Зонная структура бинарных соединений [261] П.2. Тройные соединения [263] П.3. Влияние давления на положение долин [263] Список литературы [264] |
Формат: | djvu |
Размер: | 4535085 байт |
Язык: | RUS |
Рейтинг: | 184 |
Открыть: | Ссылка (RU) |