Технология полупроводникового кремния
| Автор(ы): | Реньян В. Р.
21.02.2024
|
| Год изд.: | 1969 |
| Описание: | Приводится большой материал по физико-химическим, электрическим, оптическим и механическим свойствам кремния, технологическим процессам получения кремния (химическим методам получения кремния, выращиванию монокристаллов и пленок, легированию) и его использованию (приготовлению оптических элементов, диффузии, резки и т.д.). Предназначается для инженеров, конструкторов, проектировщиков металлургической и электронной промышленности. Может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области получения и использования кремния. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Глава I. Историческая справка [7] Глава II. Методы получения полупроводникового кремния [12] Глава III. Литье кремния [28] Глава IV. Выращивание кристаллов [44] Глава V. Ориентировка и форма кристаллов [115] Глава VI. Легирование [139] Глава VII. Диффузия [157] Глава VIII. Электрические свойства [218] Глава IX. Оптические свойства [239] Глава X. Общие физические свойства и механическая обработка кремния [267] Глава XI. Поведение примесей в кремнии [290] |
| Формат: | djvu + ocr |
| Размер: | 10980938 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
221
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |