Технология полупроводникового кремния

Автор(ы):Реньян В. Р.
21.02.2024
Год изд.:1969
Описание: Приводится большой материал по физико-химическим, электрическим, оптическим и механическим свойствам кремния, технологическим процессам получения кремния (химическим методам получения кремния, выращиванию монокристаллов и пленок, легированию) и его использованию (приготовлению оптических элементов, диффузии, резки и т.д.). Предназначается для инженеров, конструкторов, проектировщиков металлургической и электронной промышленности. Может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области получения и использования кремния.
Оглавление:
Технология полупроводникового кремния — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие автора [5]
Глава I. Историческая справка [7]
Глава II. Методы получения полупроводникового кремния [12]
Глава III. Литье кремния [28]
Глава IV. Выращивание кристаллов [44]
Глава V. Ориентировка и форма кристаллов [115]
Глава VI. Легирование [139]
Глава VII. Диффузия [157]
Глава VIII. Электрические свойства [218]
Глава IX. Оптические свойства [239]
Глава X. Общие физические свойства и механическая обработка кремния [267]
Глава XI. Поведение примесей в кремнии [290]
Формат: djvu + ocr
Размер:10980938 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 205 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)