Практикум по химии и технологии полупроводников

Автор(ы):Анохин В. З., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Пшестанчик В. Р., Маршакова Т. А.
09.01.2024
Год изд.:1978
Описание: В практикуме описаны лабораторные работы по химии и технологии полупроводников. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химического исследования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построение Р-Г-х-диаграмм, методы микроструктурного анализа и микротвердости), различных методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений, а также знакомит с основными технологическими операциями в производстве полупроводниковых приборов (окисление, диффузия, эпитаксия, травление). В каждой работе дано теоретическое введение, приводятся схемы приборов и оборудования, методы количественной обработки экспериментальных результатов.
Оглавление:
Практикум по химии и технологии полупроводников — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [3]
Часть I. Основные методы физико-химического анализа. [7]
  Работа 1. Дифференциальный термический анализ [7]
  Работа 2. Изучение зависимости давления диссоциации соединений с летучим компонентом от температуры [24]
  Работа 3. Построение Р-Т-x-диаграмм состояния [36]
  Работа 4. Изучение микроструктуры и микротвердости [47]
Часть II. Методы синтеза и очистки полупроводниковых соединений. Выращивание монокристаллов. [56]
  Работа 5. Получение соединений с малым давлением диссоциации (одно-температурный синтез) [63]
  Работа 6. Получение соединений с высоким давлением диссоциации (двухтемпературный синтез) [67]
  Работа 7. Получение соединений с высоким давлением диссоциации из индифферентного растворителя [71]
  Работа 8. Получение полупроводниковых материалов методом газотранспортных реакций [75]
  Работа 9. Получение монокристаллов из расплава (направленная кристаллизация) [84]
  Работа 10. Получение монокристаллов из раствора-расплава (направленная кристаллизация) [88]
  Работа 11. Зонная плавка [91]
Часть III. Технологические приемы обработки полупроводниковых материалов [96]
  Работа 12. Химическое травление [100]
  Работа 13. Окисление кремния [109]
  Работа 14. Эпитаксиальное наращивание [139]
  Работа 15. Диффузия примесей в кремнии [150]
Приложение [168]
Формат: djvu + ocr
Размер:22578965 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 4 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)