Полупроводниковые приборы. Учебник для радиотехнических специальностей техникумов, изд. 3

Автор(ы):	Овечкин Ю. А. 12.05.2025
Год изд.:	1986
Издание:	3
Описание:	В Основных направлениях развития народного хозяйства СССР на 1986 — 1990 годы и на период до 2000 года предусмотрено ускоренное развитие производства современной быстродействующей электронно-вычислительной техники, приборов радиоэлектронной аппаратуры, лазерной и другой новейшей техники. Это поставило перед радиоэлектронной промышленностью ряд серьезных задач, для решения которых потребовались разработка и выпуск новых конструкций приборов, используемых в радиоэлектронной промышленности, в том числе малогабаритных и надежных полупроводниковых приборов. В третьем издании настоящей книги наряду с полупроводниковыми приборами, существующими уже многие годы, рассмотрены новые виды полупроводниковых приборов: приборы с зарядовой связью, мощные транзисторы СВЧ, оптроны. Рассмотрению наиболее сложных для понимания приборов предшествует упрощенное изложение эффекта или физического явления, лежащего в основе данного прибора.
Оглавление:	Обложка книги. Предисловие [3] Введение [4] Глава 1. Полупроводники и их физические свойства [8] §1.1. Собственный полупроводник [8] §1.2. Примесный полупроводник [12] §1.3. Диффузионный ток в полупроводниках [16] Глава 2. Электронно-дырочный переход [17] §2.1. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода [17] §2.2. Инжекция неосновных носителей заряда. Диффузионная емкость [22] §2.3. Зарядная емкость p-n-перехода [25] §2.4. Пробой p-n-перехода [25] §2.5. Контакт металл - полупроводник. Переход Шоттки [26] Глава 3. Полупроводниковые диоды [30] §3.1. Устройство полупроводниковых диодов [30] §3.2. Основные характеристики и параметры диодов [33] §3.3. Выпрямительные диоды [37] §3.4. Импульсные диоды [38] §3.5. Высокочастотные диоды [41] §3.6. Детекторные СВЧ-диоды [41] §3.7. Смесительные СВЧ-диоды [44] §3.8. Переключательные СВЧ-диоды [45] §3.9. Стабилитроны [49] §3.10. Варикапы [50] §3.11. Туннельные диоды [52] §3.12. Обращенные диоды [57] §3.13. Лавинно-пролетные диоды [58] §3.14. Диоды Ганна [64] Глава 4. Биполярные транзисторы [68] §4.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов [68] §4.2. Схемы включения транзисторов [71] §4.3. Статические характеристики транзисторов [73] §4.4. Рабочий режим транзисторов [79] §4.5. Эквивалентные схемы транзисторов [82] §4.6. Частотные свойства транзисторов [86] §4.7. Импульсные свойства транзисторов [89] §4.8. Параметры предельных режимов работы транзистора и влияние температуры на его параметры [93] §4.9. Основные типы транзисторов [96] §4.10. Высокочастотные и сверхвысокочастотные транзисторы [100] §4.11. Высоковольтные транзисторы [105] §4.12. Мощные транзисторы [108] §4.13. Лавинные транзисторы [117] §4.14. Однопереходные транзисторы [121] Глава 5. Тиристоры [124] §5.1. Принцип работы тиристора [124] §5.2. Параметры тиристоров [129] §5.3. Конструирование и изготовление тиристоров [130] §5.4. Симметричный триодный тиристор [132] Глава 6. Полевые транзисторы [136] §6.1. Принцип действия полевого транзистора [136] §6.2. Эквивалентная схема, параметры и характеристики полевых транзисторов [139] §6.3. Конструкции полевых транзисторов [141] Глава 7. Варисторы [142] Глава 8. Термоэлектрические полупроводниковые приборы [146] §8.1. Термоэлектрогенераторы [146] §8.2. Термоэлектрические батареи [149] §8.3. Терморезисторы [155] §8.4. Полупроводниковые болометры [164] Глава 9. Элементы оптоэлектроники [166] §9.1. Полупроводниковые фотоэлектрические приемники излучения. Фоторезисторы [166] §9.2. Фотогальванические приемники излучения [173] §9.3. Фотодиоды [181] §9.4. Фототранзисторы [188] §9.5. Фототиристоры [194] §9.6. Светоизлучающие диоды [198] §9.7. Оптроны [202] Глава 10. Магнитоэлектрические полупроводниковые приборы [210] §10.1. Датчики Холла [210] §10.2. Магниторезисторы [216] §10.3. Магнитодиоды [220] Глава 11. Полупроводниковые тензометры [224] §11.1. Тензорезисторы [224] §11.2. Тензодиоды [226] §11.3. Тензотранзисторы [228] §11.4. Тензотиристоры [230] Глава 12. Интегральные микросхемы [231] §12.1. Общие сведения [231] §12.2. Полупроводниковые интегральные микросхемы [234] §12.3. Гибридные интегральные микросхемы [254] §12.4. Совмещенные интегральные микросхемы [269] §12.5. Большие интегральные микросхемы [270] §12.6. Функциональная электроника [278] Глава 13. Надежность полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [284] §13.1. Надежность полупроводниковых приборов [284] §13.2. Надежность микросхем [287] Заключение [290] Приложение [292] Литература [296] Условные обозначения основных физических величин, принятые в книге [297] Предметный указатель [299]
Формат:	djvu + ocr
Размер:	44129767 байт
Язык:	РУС
Рейтинг:	257


Открыть:	Ссылка (RU)