Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 8

Автор(ы):ред. Николаевский И. Ф.
25.06.2013
Год изд.:1971
Описание: ...Снижения мощностей, потребляемых и рассеиваемых радиоэлектронными схемами, можно добиться использованием переменного напряжения в качестве напряжения литания схемы. В таких схемах активные сопротивления удается заменить емкостными. Однако схемы переменного напряжения на биполярных транзисторах, хотя и характеризуются малыми потребляемыми мощностями, обладают рядом недостатков. К ним следует отнести малые входные сопротивления биполярных транзисторов, которые, во-первых, шунтируют выходные емкости ключей, что приводит к появлению искажений формы выходного импульса и снижению его амплитуды и, во-вторых, увеличивают потребляемую схемой мощность за счет входной цепи. Кроме того, из-за наличия на выходной емкости ключа переменного напряжения остаточного напряжения для надежного запирания последующего ключа при непосредственной связи часто используют дополнительный источник смещения. При запертом ключе выходное напряжение характеризуется большой пульсацией... Восьмой выпуск содержит материалы по схемному использованию полупроводниковых приборов.
Оглавление:
Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 8 — обложка книги. Обложка книги.
Л. Н. Пухлое. Транзисторный широтно-импульсный модулятор [4]
Н. П. Узберг. Некоторые вопросы проектирования импульсных стабилизаторов напряжения постоянного тока [9]
С. Д. Додик, В. И. Штильман. Транзисторные стабилизаторы напряжения с однокаскадным усилителем постоянного тока [18]
Я. Е. Марченко, В. М. Тузов. Усилитель постоянного тока с преобразованием сигнала [32]
Д. В. Игумнов, И. С. Громов, А. В. Карнеев. Ключ переменного напряжения на МДП-транзисторе [35]
С. Д. Додик. О параллельной и последовательной работе транзисторных стабилизаторов напряжения [38]
Б. К. Гальс. Некоторые вопросы анализа и расчета импульсных регуляторов с параллельным ключевым элементом [51]
A. П. Буденный. Анализ регенеративных параметрических усилителей постоянного напряжения [62]
Л. П. Карба, Ю. С. Карпов, В. И. Фомичев. Методика измерений и установка для исследований шумов полупроводниковых при боров-двухполюсников [75]
B. Е. Мельник. Быстродействующая логическая схема на туннельном и накопительном диодах [85]
Р. Г. Емельянов, В. В. Кобзев. Свч модулятор когерентного света с бегущей волной [92]
В. П. Попов, О. И. Яремчук, А. А. Ряполов. Анализ фазо-амплитудной стабильности высокочастотных усилителей-ограничителей [98]
В. А. Фин, Е. В. Казанский. Чувствительность по запуску транзисторных функциональных элементов [110]
К. А. Семенов. Анализ сложной схемы коррекции широкополосного транзисторного усилителя с двумя индуктивностями [118]
Д. П. Бриллиантов. Переходные процессы в выходном каскаде транзисторного генератора строчной развертки [132]
В. А. Рожанский, Ю. А. Скоморовский. Помехоустойчивость систем НИМ и НИМ в оптических линиях связи на ПКГ [142]
В. Б. Козырев. Однотактный ключевой генератор с фильтрующим контуром [152]
Н. Рябышкин. К вопросу о комплексной нагрузке транзисторного генератора [167]
Н. А. Павлов. О влиянии динамического пробоя p-n-перехода на эффективность варакгорных умножителей частоты [173]
В. М. Ицкович, В. Ф. Коновалов. Коррекция эмиттерного повторителя с помощью индуктивности в цепи коллектора [180]
В. Н. Рябышкин. Анализ несимметричного импульса коллекторного тока транзисторного генератора, работающего на расстроенный контур [184]
Формат: djvu
Размер:4949790 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 208 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)