Основы теории транзисторов, изд. 2 (Спиридонов Н. С.)

Основы теории транзисторов, изд. 2

Автор(ы):Спиридонов Н. С.
20.04.2022
Год изд.:1975
Издание:2
Описание: Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.
Оглавление:
Основы теории транзисторов — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [3]
Глава 1. Физические процессы в биполярных транзисторах [5]
  1. Носители зарядов в равновесном полупроводнике [5]
  2. Явления переноса носителей в полупроводнике [9]
  3. Электронно-дырочный переход [15]
  4. Устройство и принцип действия биполярного транзистора [27]
  5. Схемы включения. Коэффициент усиления по току [36]
  6. Технологические методы изготовления транзисторов [40]
Глава 2. Математические модели биполярных транзисторов [48]
  1. Требования, предъявляемые к математическим моделям транзистора [48]
  2. Классификация моделей транзисторов [52]
  3. Модели транзисторов с параметрами цепи [61]
  4. Построение математических моделей транзистора на основе решения уравнений физических процессов [72]
  5. Модель транзистора, полученная прямым решением уравнения переноса [79]
  6. Модель с сосредоточенными параметрами (модель Линвилла [5, 33, 154]) [84]
  7. Зарядоуправляемая модель [89]
  8. Модель Эберса — Молла [92]
Глава 3. Анализ процессов в биполярном транзисторе на постоянном токе. Статические модели транзистора [94]
  1. Распределение плотности инжектированных носителей в базе транзистора в одномерном приближении [94]
  2. Распределение плотностей диффузионного и дрейфового токов в базовой области биполярного транзистора [101]
  3. Решение уравнения переноса носителей в базовой области биполярного транзистора при постоянном токе [104]
  4. Распределение плотности неравновесных носителей в пассивной области базы. Токи в пассивной области [108]
  5. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в активном режиме [112]
  6. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в режиме насыщения [118]
  7. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в режиме запирания [122]
  8. Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой [124]
  9. Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером [135]
Глава 4. Частотные свойства биполярного транзистора [144]
  1. Время пролета неосновных носителей в базе [144]
  2. Решение уравнения переноса носителей биполярного транзистора для переменного тока [153]
  3. Частотная зависимость коэффициента переноса носителей биполярного транзистора. Предельная частота w? [159]
  4. Частотная зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером [173]
  5. Граничная частота усиления по току [176]
  6. Время переноса носителей через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора [179]
  7. Максимальная частота генерации транзистора [181]
  8. Предельная частота усиления по току реального транзистора [184]
  9. Определение предельной частоты w? теоретической модели по известной предельной частоте реального транзистора wa [190]
Глава 5. Малосигнальные модели биполярного транзистора [193]
  1. Методы составления электрических моделей транзисторов на малом сигнале [193]
  2. Частотные зависимости характеристических проводимостей внутреннего транзистора [195]
  3. П-образная эквивалентная схема внутреннего транзистора [201]
  4. Т-образная эквивалентная схема внутреннего транзистора [208]
  5. Омические сопротивления базы и коллектора [211]
  6. Барьерные емкости p-n-переходов и индуктивности выводов транзистора [222]
  7. Эквивалентные схемы биполярного транзистора, учитывающие внешние параметры [226]
Глава 6. Переходные процессы в биполярных транзисторах. Динамические модели транзисторов для большого сигнала [233]
  1. Принцип действия транзисторного ключа [233]
  2. Стационарные состояния транзисторного ключа [235]
  3. Общие сведения о переходных процессах в транзисторе [240]
  4. Длительность задержки включения транзисторного ключа [247]
  5. Анализ переходных процессов в транзисторе методом прямого решения дифференциальных уравнений в частных производных [251]
  6. Анализ переходных процессов методом заряда [256]
  7. Нелинейная динамическая модель транзистора для большого сигнала при однополюсной аппроксимации частотной зависимости а [263]
Глава 7. Особенности интегрального биполярного транзистора [269]
  1. Конструкция и технология изготовления интегральных транзисторов [5, 18,58, 167] [269]
  2. Модели трехпереходного интегрального транзистора [273]
  3. Влияние паразитных связей на параметры интегральных транзисторов [281]
Глава 8. Анализ процессов в транзисторе с участком тормозящего поля в базе [284]
  1. Особенности распределения примесей в транзисторах, изготовляемых многократной диффузией [284]
  2. Транзистор с тормозящим полем в базовой области [285]
  3. Коэффициент переноса носителей в транзисторе с участком тормозящего поля [291]
  4. Расчет времени пролета носителей и граничной частоты усиления дрейфового транзистора с участками тормозящего и ускоряющего полей в базовой области [295]
Глава 9. Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры [299]
  1. Анализ процессов переноса носителей в базе транзистора при большом уровне инжекции на постоянном токе [299]
  2. Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером при большом уровне инжекции [305]
  3. Зависимость граничной частоты усиления транзистора от уровня инжекции [308]
  4. Влияние температуры на параметры транзистора [310]
  5. Тепловые характеристики транзистора [316]
Глава 10. Полевые транзисторы с изолированным затвором [322]
  1. Физические процессы в МДП-транзисторах [322]
  2. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора [333]
  3. Параметры и эквивалентные схемы МДП-транзисторов в режиме усиления малых сигналов [339]
  4. Работа МДП-транзистора в переключающих устройствах [345]
Литература [351]
Формат: djvu
Размер:39793949 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 146 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)