Основы теории транзисторов
Автор(ы): | Спиридонов Н. С.
22.03.2022
|
Год изд.: | 1969 |
Описание: | Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя р-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых транзисторов. Предназначена для инженеров, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, и может быть полезной студентам вузов. |
Оглавление: |
Обложка книги.
Предисловие [3]Глава 1. Электропроводность полупроводников [5] 1. Энергетические диаграммы кристаллов [5] 2. Электронная и дырочная проводимости полупроводника [11] 3. Квантовая статистика электронов и дырок в полупроводнике. Уровень Ферми [16] 4. Подвижность носителей тока в полупроводнике [25] 5. Зависимость проводимости полупроводника от концентрации примесей и температуры [27] 6. Рекомбинация и время жизни неравновесных носителей [29] 7. Прохождение тока в полупроводнике [32] 8. Изготовление монокристаллов германия и кремния [36] Глава 2. Теория электронно-дырочного перехода [41] 1. Потенциальный барьер в равновесном p-n-переходе [41] 2. Потенциальный барьер p-n-перехода при постоянном смещении [47] 3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода [51] 4. Ширина перехода. Напряженность поля и распределение потенциала в p-n-переходе [56] 5. Емкостные свойства p-n-перехода [60] 6. Пробой p-n-перехода [62] Глава 3. Общие сведения о плоскостных транзисторах [66] 1. Принцип действия плоскостного транзистора в усилительном режиме [66] 2. Бездрейфовый транзистор [69] 3. Дрейфовый транзистор [72] 4. Коэффициент усиления по току [74] 5. Понятие об эквивалентных схемах транзисторов [78] 6. Общие вопросы конструирования транзисторов [79] 7. Технологические методы изготовления транзисторов [82] Глава 4. Анализ процессов переноса носителей в базовой области [88] 1. Постановка задачи и основные допущения [88] 2. Общее решение уравнения переноса носителей плоскостного транзистора [90] 3. Распределение постоянной составляющей неравновесных носителей в базе плоскостного транзистора [94] 4. Решение уравнения переноса носителей для составляющих плотности избыточных дырок [100] Глава 5. Статические характеристики транзисторов [108] 1. Основные уравнения вольт-амперных характеристик транзистора [108] 2. Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой [112] 3. Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером [118] Глава 6. Частотные свойства плоскостного транзистора [124] 1. Предельная частота коэффициента переноса Wa [124] 2. Предельная частота дрейфового транзистора при переменной подвижности носителей в базе [129] 3. Аппроксимация частотной зависимости коэффициента переноса транзистора [132] 4. Предельная частота усиления по току реального транзистора [138] 5. Определение предельной частоты сор теоретической модели по известной предельной частоте реального транзистора wa [145] 6. Частотная зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером [148] 7. Максимальная частота усиления по току [151] 8. Максимальная частота генерации транзистора [155] 9. Время переноса носителей через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора [158] Глава 7. Анализ электрических свойств транзистора методом четырехполюсника [161] 1. Методы анализа электрических свойств транзистора [161] 2. Параметры транзистора как четырехполюсника [162] 3. Применение уравнений четырехполюсника для расчета транзисторных схем [169] Глава 8. Эквивалентные схемы транзистора [171] 1. Методы составления эквивалентных схем транзистора [171] 2. Эквивалентные схемы замещения четырехполюсника [174] 3. Матрица проводимости теоретической модели транзистора [176] 4. Омические сопротивления базы и коллектора [183] 5. Барьерные емкости p-n-переходов и индуктивности выводов транзистора [192] 6. П-образная эквивалентная схема плоскостного транзистора [196] 7. Эквивалентная схема для Z-параметров транзистора (Т-образная эквивалентная схема) [204] Глава 9. Шумы транзисторов [209] 1. Методика оценки шумовых свойств транзистора [209] 2. Основные источники шума в транзисторе [214] 3. Эквивалентные шумовые схемы транзисторов. Зависимость коэффициента шума от режима транзистора и частоты [219] Глава 10. Работа транзистора в импульсном режиме [226] 1. Статические характеристики транзистора в режиме большого сигнала [226] 2. Анализ транзистора в режиме отсечки [228] 3. Анализ транзистора в режиме насыщения [237] 4. Общие сведения о переходных процессах в транзисторе [246] 5. Анализ переходных процессов в транзисторе методом решения дифференциальных уравнений [251] 6. Анализ переходных процессов в транзисторе методом эквивалентных схем [257] 7. Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда [262] 8. Влияние электронных токов и емкостей переходов на переходные процессы в транзисторе [266] Глава 11. Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры [269] 1. Зависимость коэффициента усиления по току плоскостного транзистора от тока эмиттера [269] 2. Влияние температуры на статические характеристики транзистора [277] 3. Температурная зависимость параметров эквивалентной схемы транзистора [281] 4. Тепловые характеристики транзистора в стационарном режиме [284] 5. Динамический тепловой режим транзистора [288] ЛИТЕРАТУРА [292] |
Формат: | djvu + ocr |
Размер: | 33239871 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 226 |
Открыть: | Ссылка (RU) |