Основы теории транзисторов (Спиридонов Н. С.)

Основы теории транзисторов

Автор(ы):Спиридонов Н. С.
22.03.2022
Год изд.:1969
Описание: Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя р-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых транзисторов. Предназначена для инженеров, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, и может быть полезной студентам вузов.
Оглавление:
Основы теории транзисторов — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [3]
Глава 1. Электропроводность полупроводников [5]
  1. Энергетические диаграммы кристаллов [5]
  2. Электронная и дырочная проводимости полупроводника [11]
  3. Квантовая статистика электронов и дырок в полупроводнике. Уровень Ферми [16]
  4. Подвижность носителей тока в полупроводнике [25]
  5. Зависимость проводимости полупроводника от концентрации примесей и температуры [27]
  6. Рекомбинация и время жизни неравновесных носителей [29]
  7. Прохождение тока в полупроводнике [32]
  8. Изготовление монокристаллов германия и кремния [36]
Глава 2. Теория электронно-дырочного перехода [41]
  1. Потенциальный барьер в равновесном p-n-переходе [41]
  2. Потенциальный барьер p-n-перехода при постоянном смещении [47]
  3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода [51]
  4. Ширина перехода. Напряженность поля и распределение потенциала в p-n-переходе [56]
  5. Емкостные свойства p-n-перехода [60]
  6. Пробой p-n-перехода [62]
Глава 3. Общие сведения о плоскостных транзисторах [66]
  1. Принцип действия плоскостного транзистора в усилительном режиме [66]
  2. Бездрейфовый транзистор [69]
  3. Дрейфовый транзистор [72]
  4. Коэффициент усиления по току [74]
  5. Понятие об эквивалентных схемах транзисторов [78]
  6. Общие вопросы конструирования транзисторов [79]
  7. Технологические методы изготовления транзисторов [82]
Глава 4. Анализ процессов переноса носителей в базовой области [88]
  1. Постановка задачи и основные допущения [88]
  2. Общее решение уравнения переноса носителей плоскостного транзистора [90]
  3. Распределение постоянной составляющей неравновесных носителей в базе плоскостного транзистора [94]
  4. Решение уравнения переноса носителей для составляющих плотности избыточных дырок [100]
Глава 5. Статические характеристики транзисторов [108]
  1. Основные уравнения вольт-амперных характеристик транзистора [108]
  2. Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой [112]
  3. Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером [118]
Глава 6. Частотные свойства плоскостного транзистора [124]
  1. Предельная частота коэффициента переноса Wa [124]
  2. Предельная частота дрейфового транзистора при переменной подвижности носителей в базе [129]
  3. Аппроксимация частотной зависимости коэффициента переноса транзистора [132]
  4. Предельная частота усиления по току реального транзистора [138]
  5. Определение предельной частоты сор теоретической модели по известной предельной частоте реального транзистора wa [145]
  6. Частотная зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером [148]
  7. Максимальная частота усиления по току [151]
  8. Максимальная частота генерации транзистора [155]
  9. Время переноса носителей через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора [158]
Глава 7. Анализ электрических свойств транзистора методом четырехполюсника [161]
  1. Методы анализа электрических свойств транзистора [161]
  2. Параметры транзистора как четырехполюсника [162]
  3. Применение уравнений четырехполюсника для расчета транзисторных схем [169]
Глава 8. Эквивалентные схемы транзистора [171]
  1. Методы составления эквивалентных схем транзистора [171]
  2. Эквивалентные схемы замещения четырехполюсника [174]
  3. Матрица проводимости теоретической модели транзистора [176]
  4. Омические сопротивления базы и коллектора [183]
  5. Барьерные емкости p-n-переходов и индуктивности выводов транзистора [192]
  6. П-образная эквивалентная схема плоскостного транзистора [196]
  7. Эквивалентная схема для Z-параметров транзистора (Т-образная эквивалентная схема) [204]
Глава 9. Шумы транзисторов [209]
  1. Методика оценки шумовых свойств транзистора [209]
  2. Основные источники шума в транзисторе [214]
  3. Эквивалентные шумовые схемы транзисторов. Зависимость коэффициента шума от режима транзистора и частоты [219]
Глава 10. Работа транзистора в импульсном режиме [226]
  1. Статические характеристики транзистора в режиме большого сигнала [226]
  2. Анализ транзистора в режиме отсечки [228]
  3. Анализ транзистора в режиме насыщения [237]
  4. Общие сведения о переходных процессах в транзисторе [246]
  5. Анализ переходных процессов в транзисторе методом решения дифференциальных уравнений [251]
  6. Анализ переходных процессов в транзисторе методом эквивалентных схем [257]
  7. Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда [262]
  8. Влияние электронных токов и емкостей переходов на переходные процессы в транзисторе [266]
Глава 11. Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры [269]
  1. Зависимость коэффициента усиления по току плоскостного транзистора от тока эмиттера [269]
  2. Влияние температуры на статические характеристики транзистора [277]
  3. Температурная зависимость параметров эквивалентной схемы транзистора [281]
  4. Тепловые характеристики транзистора в стационарном режиме [284]
  5. Динамический тепловой режим транзистора [288]
ЛИТЕРАТУРА [292]
Формат: djvu
Размер:33239871 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 176 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)