Микроэлектроника

Автор(ы):Овечкин Ю. В.
31.05.2013
Год изд.:1982
Описание: В книге рассматриваются характеристики и параметры различных классов цифровых и аналоговых интегральных микросхем; излагаются методы изготовления полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем; даются методы сборки и их конструкции. Обсуждаются вопросы надежности и особенности испытаний ИС. Приводятся сведения по перспективным направлениям микроэлектроники: БИС, микропроцессорам, функциональной электронике. Издание для учащихся техникумов по специальности «Электронные вычислительные машины, приборы и устройства». Может быть полезен учащимся радиотехнических специальностей техникумов.
Оглавление:
Микроэлектроника — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [3]
Введение [4]
Глава 1. Технологические процессы изготовления интегральных микросхем [11]
  1.1. Диффузия [11]
  1.2. Эпитаксиальный процесс [14]
  1.3. Окисление [16]
  1.4. Фотолитография [17]
  1.5. Осаждение тонких пленок [19]
Глава 2. Полупроводниковые интегральные микросхемы [24]
  2.1. Последовательность изготовления полупроводниковой микросхемы [24]
  2.2. Методы изоляции элементов [29]
  2.3. Транзисторы. [32]
  2.4. Диоды [39]
  2.5. Резисторы [44]
  2.6. Конденсаторы [52]
  2.7. Проводящие соединения и контактные площадки [56]
  2.8. Элементы микросхем на МДП-структурах [58]
  2.9. Принципы изготовления МДП ИС [64]
  2.10. Приборы с зарядовой связью [69]
  2.11. Топология полупроводниковых ИС [74]
Глава 3. Гибридные интегральные микросхемы [78]
  3.1. Принципы изготовления [78]
  3.2. Подложки [82]
  3.3. Проводники и контактные площадки [83]
  3.4. Тонкопленочные резисторы [85]
  3.5. Тонкопленочные конденсаторы [89]
  3.6. Тонкопленочные RС-элементы [92]
  3.7. Тонкопленочные индуктивности [93]
  3.8. Гибридные толстопленочные микросхемы [94]
  3.9. Толстопленочные элементы [97]
  3.10. Компоненты гибридных микросхем [101]
  3.11. Разработка топологии гибридных микросхем [104]
  3.12. Совмещенные интегральные микросхемы [107]
Глава 4. Сборка интегральных микросхем. Конструктивное исполнение [110]
  4.1. Сборка полупроводниковых микросхем [110]
  4.2. Сборка гибридных микросхем [116]
Глава 5. Цифровые интегральные микросхемы [120]
  5.1. Логические элементы [120]
  5.2. Интегральные микросхемы с непосредственными связями [128]
  5.3. Диодно-транзисторные микросхемы [132]
  5.4. Транзисторно-транзисторные микросхемы [135]
  5.5. Эмиттерно-связанные микросхемы [142]
  5.6. Микросхемы с инжекционным питанием [145]
  5.7. Интегральные микросхемы на МДП-транзисторах [148]
  5.8. Микросхемы средней степени интеграции [154]
Глава 6. Аналоговые интегральные микросхемы [168]
  6.1. Функциональные классы [168]
  6.2. Дифференциальные усилители [170]
  6.3. Узкополосные усилители [172]
  6.4. Усилители низкой частоты [174]
  6.5. Операционные усилители [177]
Глава 7. Большие интегральные схемы [180]
  7.1. Понятие о больших интегральных схемах [180]
  7.2. Соединение элементов БИС [181]
  7.3. Схемотехника и технология БИС [182]
  7.4. Конструктивно-технологические особенности создания БИС [186]
  7.5. БИС — функциональные блоки [194]
Глава 8. Микропроцессоры [195]
  8.1. Определение [195]
  8.2. Структура микропроцессоров [197]
  8.3. Технология микропроцессоров [202]
  8.4. Поколения микропроцессоров [203]
  8.5. Секционированный микропроцессорный комплект серии К589 [212]
Глава 9. БИС запоминающих устройств [224]
  9.1. Классификация и параметры ЗУ [224]
  9.2. Организация полупроводниковых ЗУ [228]
  9.3. ОЗУ с произвольной выборкой [230]
  9.4. ОЗУ с последовательной выборкой [244]
  9.5. Полупроводниковые постоянные запоминающие устройства [248]
Глава 10. Функциональная микроэлектроника [252]
  10.1. Перспективы развития микроэлектроники [252]
  10.2. Функциональные приборы на четырехслойных структурах [254]
  10.3. Функциональные приборы, использующие эффекты накопления и задержки носителей [255]
  10.4. Молекулярная электроника [257]
  10.5. Оптоэлектроника [258]
  10.6. Акустоэлектроника [259]
  10.7. Криогенная электроника [260]
  10.8. Теплоэлектроника [261]
Глава 11. Надежность. Испытание микросхем [261]
  11.1. Надежность микросхем [261]
  11.2. Испытания микросхем [270]
Заключение [275]
Приложение [281]
Список литературы [283]
Формат: djvu
Размер:7796109 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 357 Рейтинг
Открыть: