Технология и конструирование интегральных микросхем

Автор(ы):Березин А. С., Мочалкина О. Р.
18.07.2013
Год изд.:1983
Описание: Данное учебное пособие является одной из трех книг по микроэлектронике, в которой получили дальнейшее развитие такие разделы, как «Технологические основы микроэлектроники» и «Элементы интегральных микросхем». Здесь изложены также вопросы практической реализации интегральных микросхем (ИС) после их схемотехнического проектирования. В книге рассмотрены основные вопросы технологии и конструирования интегральных микросхем. Описаны процессы планарной технологии полупроводниковых ИС, технологические процессы производства пленочных ИС, методы проектирования элементной базы и конструирования ИС в целом, конструктивно-технологические особенности БИС. Книга предназначена для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, занимающихся созданием интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе.
Оглавление:
Технология и конструирование интегральных микросхем — обложка книги.
Предисловие [3]
Глава 1. Основы планарной технологии [4]
  § 1.1. Введение [4]
  § 1.2. Структура приборов и основные процессы планарной технологии [5]
  § 1.3. Особенности и преимущества планарной технологии [7]
Глава 2. Обработка кремниевых подложек [9]
  § 2.1. Введение [9]
  § 2.2. Механическая обработка кремния [10]
  § 2.3. Очистка поверхности кремния [12]
  § 2.4. Травление кремния [15]
Глава 3. Легирование кремния [18]
  § 3.1. Введение [18]
  § 3.2. Теория диффузионных процессов [20]
  § 3.3 Характеристики диффузантов [23]
  § 3.4. Практические способы проведения диффузии [25]
  § 3.5. Легирование кремния ионным внедрением [27]
  § 3.6. Методы изучения характеристик легированных слоев [33]
Глава 4. Эпитаксиальное наращивание слоев кремния [35]
  § 4.1. Введение [35]
  § 4.2. Автоэпитаксия кремния [36]
  § 4.3. Гетероэпитаксия кремния на сапфире [40]
  § 4.4. Методы изучения параметров эпитаксиальных слоев [41]
Глава 5. Получение тонких пленок [43]
  § 5.1. Введение [43]
  § 5.2. Термическое окисление кремния [44]
  § 5.3. Вакуумное термическое напыление [47]
  § 5.4. Ионно-плазменное напыление [52]
  § 5.5. Методы определения толщины пленок [57]
Глава 6. Фотолитография [63]
  § 6.1. Введение [63]
  § 6.2. Фоторезисты [64]
  § 6.3. Технология фотолитографического процесса [66]
  § 6.4. Фотошаблоны и методы их изготовления [70]
Глава 7. Технологический процесс изготовления полупроводниковых интегральных микросхем [73]
  § 7.1. Введение [73]
  § 7.2. Методы изоляции элементов [74]
  § 7.3. Типовые технологические процессы изготовления полупроводниковых интегральных микросхем [79]
Глава 8. Технологические процессы изготовления тонкопленочных и толстопленочных гибридных интегральных микросхем [83]
  § 8.1. Введение [83]
  § 8.2. Материалы подложек [84]
  § 8.3. Материалы пленок в тонкопленочных интегральных микросхемах [87]
  § 8.4. Получение рисунков в тонких пленках [90]
  § 8.5. Материалы для толстых пленок и методы их нанесения на подложки [91]
  § 8.6 Типовые технологические процессы изготовления тонкопленочных и толстопленочных интегральных микросхем [94]
  § 9.1. Введение [97]
  § 9.2. Методы получения субмикронных размеров элементов [98]
  § 9.3. Ионное травление [102]
  § 9.4. Многоуровневая металлическая разводка [106]
  § 9.5. Многоуровневые коммутационные платы для гибридных БИС [109]
Глава 10. Предмет и исходные предпосылки конструирования интегральных микросхем [111]
  § 10.1. Принципы конструирования интегральных микросхем [111]
  § 10.2. Типы интегральных микросхем, их элементы и компоненты [112]
  § 10.3. Задачи расчета параметров элементов [113]
Глава 11. Электрофизические параметры структуры интегральных микросхем [116]
  § 11.1. Рабочие слои интегральных микросхем [116]
  § 11.2. Удельная барьерная емкость р—n-переходов [117]
  § 11.3. Напряжение пробоя р—n-перехода [121]
  § 11.4. Удельное сопротивление слоев [122]
  § 11.5. Тепловые токи р—n-переходов [125]
  § 11.6. Разброс параметров слоев [126]
Глава 12. Проектирование биполярных транзисторов и диодов интегральных полупроводниковых микросхем [129]
  § 12.1. Специфика интегральных n—р—n-транзисторов [129]
  § 12.2. Проектирование n—р—n-транзисторов [135]
  § 12.3. Расчет коэффициента передачи n—р—n-транзистора [140]
  § 12.4. Проектирование р—п—р-транзисторов [144]
  § 12.5. Проектирование интегральных диодов на основе р—n-переходов [148]
  § 12.6 Проектирование диодов и транзисторов с барьером Шотки [151]
  § 12.7. Проектирование многоэмиттерных n—р—n-транзисторов [156]
Глава 13. Проектирование пассивных элементов биполярных интегральных полупроводниковых микросхем [159]
  § 13.1 Проектирование диффузионных конденсаторов [159]
  § 13.2. Проектирование резисторов [161]
Глава 14. Проектирование элементов МДП-интегральных полупроводниковых микросхем [167]
  § 14.1. Проектирование МДП-конденсаторов [167]
  § 14.2. Проектирование МДП-транзисторов [171]
  § 14.3. Проектирование межэлементных соединений [175]
Глава 15. Конструирование полупроводниковых интегральных микросхем [178]
  § 15.1 Разработка топологии полупроводниковых интегральных микросхем [178]
  § 15.2. Разработка топологии цифровых интегральных микросхем на МДП-транзисторах с каналами одного типа проводимости [181]
  § 15.3. Особенности проектирования топологии аналоговых интегральных микросхем с дифференциальным каскадом на входе [186]
  § 15.4. Документация на интегральные микросхемы [187]
Глава 16. Конструирование гибридных интегральных микросхем [191]
  § 16.1. Проектирование пленочных элементов гибридных интегральных микросхем [191]
  § 16.2. Разработка топологии гибридных интегральных микросхем [203]
  § 17.1. Особенности конструирования [205]
  § 17.2. Особенности структуры элементов [206]
  § 17.3. Задачи машинного конструирования [211]
  § 17.4. Физико-топологические модели элементов [212]
  § 17.5. Математические модели элементов [213]
  § 17.6. Машинная разработка топологии [214]
  § 17.7. Машинная разработка конструкторской документации [219]
Приложение [223]
Список литературы [227]
Предметный указатель [228]
Формат: djvu
Размер:5826306 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 437 Рейтинг
Открыть: