Технология и конструирование интегральных микросхем
| Автор(ы): | Березин А. С., Мочалкина О. Р.
18.07.2013
|
| Год изд.: | 1983 |
| Описание: | Данное учебное пособие является одной из трех книг по микроэлектронике, в которой получили дальнейшее развитие такие разделы, как «Технологические основы микроэлектроники» и «Элементы интегральных микросхем». Здесь изложены также вопросы практической реализации интегральных микросхем (ИС) после их схемотехнического проектирования. В книге рассмотрены основные вопросы технологии и конструирования интегральных микросхем. Описаны процессы планарной технологии полупроводниковых ИС, технологические процессы производства пленочных ИС, методы проектирования элементной базы и конструирования ИС в целом, конструктивно-технологические особенности БИС. Книга предназначена для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, занимающихся созданием интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Глава 1. Основы планарной технологии [4] § 1.1. Введение [4] § 1.2. Структура приборов и основные процессы планарной технологии [5] § 1.3. Особенности и преимущества планарной технологии [7] Глава 2. Обработка кремниевых подложек [9] § 2.1. Введение [9] § 2.2. Механическая обработка кремния [10] § 2.3. Очистка поверхности кремния [12] § 2.4. Травление кремния [15] Глава 3. Легирование кремния [18] § 3.1. Введение [18] § 3.2. Теория диффузионных процессов [20] § 3.3 Характеристики диффузантов [23] § 3.4. Практические способы проведения диффузии [25] § 3.5. Легирование кремния ионным внедрением [27] § 3.6. Методы изучения характеристик легированных слоев [33] Глава 4. Эпитаксиальное наращивание слоев кремния [35] § 4.1. Введение [35] § 4.2. Автоэпитаксия кремния [36] § 4.3. Гетероэпитаксия кремния на сапфире [40] § 4.4. Методы изучения параметров эпитаксиальных слоев [41] Глава 5. Получение тонких пленок [43] § 5.1. Введение [43] § 5.2. Термическое окисление кремния [44] § 5.3. Вакуумное термическое напыление [47] § 5.4. Ионно-плазменное напыление [52] § 5.5. Методы определения толщины пленок [57] Глава 6. Фотолитография [63] § 6.1. Введение [63] § 6.2. Фоторезисты [64] § 6.3. Технология фотолитографического процесса [66] § 6.4. Фотошаблоны и методы их изготовления [70] Глава 7. Технологический процесс изготовления полупроводниковых интегральных микросхем [73] § 7.1. Введение [73] § 7.2. Методы изоляции элементов [74] § 7.3. Типовые технологические процессы изготовления полупроводниковых интегральных микросхем [79] Глава 8. Технологические процессы изготовления тонкопленочных и толстопленочных гибридных интегральных микросхем [83] § 8.1. Введение [83] § 8.2. Материалы подложек [84] § 8.3. Материалы пленок в тонкопленочных интегральных микросхемах [87] § 8.4. Получение рисунков в тонких пленках [90] § 8.5. Материалы для толстых пленок и методы их нанесения на подложки [91] § 8.6 Типовые технологические процессы изготовления тонкопленочных и толстопленочных интегральных микросхем [94] § 9.1. Введение [97] § 9.2. Методы получения субмикронных размеров элементов [98] § 9.3. Ионное травление [102] § 9.4. Многоуровневая металлическая разводка [106] § 9.5. Многоуровневые коммутационные платы для гибридных БИС [109] Глава 10. Предмет и исходные предпосылки конструирования интегральных микросхем [111] § 10.1. Принципы конструирования интегральных микросхем [111] § 10.2. Типы интегральных микросхем, их элементы и компоненты [112] § 10.3. Задачи расчета параметров элементов [113] Глава 11. Электрофизические параметры структуры интегральных микросхем [116] § 11.1. Рабочие слои интегральных микросхем [116] § 11.2. Удельная барьерная емкость р—n-переходов [117] § 11.3. Напряжение пробоя р—n-перехода [121] § 11.4. Удельное сопротивление слоев [122] § 11.5. Тепловые токи р—n-переходов [125] § 11.6. Разброс параметров слоев [126] Глава 12. Проектирование биполярных транзисторов и диодов интегральных полупроводниковых микросхем [129] § 12.1. Специфика интегральных n—р—n-транзисторов [129] § 12.2. Проектирование n—р—n-транзисторов [135] § 12.3. Расчет коэффициента передачи n—р—n-транзистора [140] § 12.4. Проектирование р—п—р-транзисторов [144] § 12.5. Проектирование интегральных диодов на основе р—n-переходов [148] § 12.6 Проектирование диодов и транзисторов с барьером Шотки [151] § 12.7. Проектирование многоэмиттерных n—р—n-транзисторов [156] Глава 13. Проектирование пассивных элементов биполярных интегральных полупроводниковых микросхем [159] § 13.1 Проектирование диффузионных конденсаторов [159] § 13.2. Проектирование резисторов [161] Глава 14. Проектирование элементов МДП-интегральных полупроводниковых микросхем [167] § 14.1. Проектирование МДП-конденсаторов [167] § 14.2. Проектирование МДП-транзисторов [171] § 14.3. Проектирование межэлементных соединений [175] Глава 15. Конструирование полупроводниковых интегральных микросхем [178] § 15.1 Разработка топологии полупроводниковых интегральных микросхем [178] § 15.2. Разработка топологии цифровых интегральных микросхем на МДП-транзисторах с каналами одного типа проводимости [181] § 15.3. Особенности проектирования топологии аналоговых интегральных микросхем с дифференциальным каскадом на входе [186] § 15.4. Документация на интегральные микросхемы [187] Глава 16. Конструирование гибридных интегральных микросхем [191] § 16.1. Проектирование пленочных элементов гибридных интегральных микросхем [191] § 16.2. Разработка топологии гибридных интегральных микросхем [203] § 17.1. Особенности конструирования [205] § 17.2. Особенности структуры элементов [206] § 17.3. Задачи машинного конструирования [211] § 17.4. Физико-топологические модели элементов [212] § 17.5. Математические модели элементов [213] § 17.6. Машинная разработка топологии [214] § 17.7. Машинная разработка конструкторской документации [219] Приложение [223] Список литературы [227] Предметный указатель [228] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 5826306 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
360
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |