Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование

Автор(ы):	Коледов Л. А и др. 23.05.2013
Год изд.:	1984
Описание:	Пособие содержит данные, необходимые для самостоятельного выполнения студентами курсового проекта по разработке топологии и конструкции одного из типов интегральных микросхем: полупроводниковых (на биполярных или полевых транзисторах) и гибридных (по тонкопленочной или толстопленочной технологии). В книге приведены данные об элементах и компонентах, материалах и технологии производства, конструктивно-технологических ограничениях и правилах разработки топологии интегральных микросхем; рассмотрены методы обеспечения их надежности, влагостойкости, тепловых режимов и др. Данная книга предназначена для студентов специальностей «Конструирование и производство радиоаппаратуры», «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры». Она будет полезна также студентам смежных специальностей электронной и вычислительной техники, приборостроения и автоматики при изучении курсов по основам микроэлектроники.
Оглавление:	Обложка книги. Предисловие [3] Введение [5] ЧАСТЬ I. КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ [11] Глава 1. Конструирование и технология полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах [11] § 1.1. Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах [11] § 1.2. Изоляция элементов и технологические процессы производства ИМС [28] § 1.3. Конструирование и расчет параметров элементов ИМС на биполярных транзисторах [34] § 1.4. Разработка топологии ИМС [45] Глава 2. Конструирование и технология полупроводниковых ИМС на униполярных транзисторах [56] § 2.1. Механизм работы и классификация МДП-транзисторов [56] § 2.2. Особенности использования МДП-транзистора как типового схемного элемента ИМС [58] § 2.3. Технологические процессы производства МДП-ИМС [59] § 2.4. Основные параметры МДП-структур и МДП-транзисторов [61] § 2.5. Режимы работы и связь между конструктивными и электрическими параметрами МДП-транзисторов в цифровых ИМС [66] § 2.6. Конструирование транзисторов и топологии кристалла МДП-ИМС [75] § 2.7. Порядок расчета конструктивных и электрических параметров элементов МДП-ИМС [83] ЧАСТЬ II. КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ [89] Глава 3. Конструирование и технология тонкопленочных ГИС [89] § 3.1. Подложки тонкопленочных ГИС [89] § 3.2. Материалы элементов тонкопленочных ГИС [91] § 3.3. Методы формирования конфигураций элементов тонкопленочных ГИС [98] § 3.4. Компоненты ГИС [101] § 3.5. Конструктивные и технологические ограничения при проектировании тонкопленочных ГИС [112] § 3.6. Расчет конструкций элементов тонкопленочных ГИС [117] § 3.7. Разработка топологии тонкопленочных ГИС [134] Глава 4. Конструирование и технология толстопленочных ГИС [137] § 4.1. Платы толстопленочных ГИС [137] § 4.2. Пасты для толстопленочных ГИС [138] § 4.3. Основные технологические операции изготовления толстопленочных ГИС [141] § 4.4. Разработка топологии толстопленочных ГИС [146] § 4.5. Конструктивный расчет элементов толстопленочных ГИС [151] ЧАСТЬ III. ОБЩИЕ ВОПРОСЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ [155] Глава 5. Конструктивные и технологические методы обеспечения требований к ИМС [155] § 5.1. Технические условия на ИМС [155] § 5.2. Конструктивные меры защиты ИМС от воздействия дестабилизирующих факторов [157] § 5.3. Обеспечение тепловых режимов работы ИМС [173] § 5.4. Обеспечение влагозащиты ИМС [179] Глава 6. Автоматизация конструирования ИМС [184] § 6.1. Специализированная система автоматического проектирования топологии ИМС [184] § 6.2. Работа с системой «Кулон» [190] § 6.3. Использование ЭВМ для расчета элементов ГИС [192] Приложения [207] Приложение I. Примеры выполнения конструкторских документов [207] Приложение II. Состав и литерность технологических документов [225] Приложение III. Перечень основных стандартов на ИМС [226] Список литературы [229]
Формат:	djvu
Размер:	6518251 байт
Язык:	РУС
Рейтинг:	236


Открыть:	Ссылка (RU)