Дрейфовые транзисторы
Автор(ы): | Спиридонов Н. С., Вертоградов В. И.
13.05.2022
|
Год изд.: | 1964 |
Описание: | Рассматривается теория, технология изготовления, эквивалентные схемы, частотные свойства и температурные зависимости параметров маломощных дрейфовых транзисторов. Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением схем на транзисторах, производством и конструированием транзисторов, а также для студентов высших учебных заведений. |
Оглавление: |
Обложка книги.
Предисловие [3]Принятые обозначения [6] Глава первая. Понятие о бездрейфовых и дрейфовых транзисторах [13] Глава вторая. Технология изготовления дрейфовых транзисторов [21] 2.1. Диффузия примесей в твердый полупроводник [21] 2.2. Изготовление p-n перехода методом диффузии примесей в полупроводник [25] 2.3. Методы изготовления высокочастотных дрейфовых транзисторов [30] 2.4. Расчет распределения примесей в базе и коллекторном переходе дрейфового транзистора [43] Глава третья. Теория дрейфового транзистора [54] 3.1. Основные допущения [54] 3.2. Электрическое поле в базовой области. Уравнение переноса носителей дрейфового транзистора [56] 3.3. Решение уравнения переноса носителей дрейфового транзистора [63] 3.4. Матрица проводимости теоретической модели дрейфового транзистора [71] Глава четвертая. Частотные свойства дрейфового транзистора [80] 4.1. Частотная зависимость коэффициента передачи дрейфового транзистора [80] 4.2. Расчет предельной частоты коэффициента переноса дрейфового транзистора при постоянной подвижности носителей в базе [86] 4.3. Предельная частота коэффициента переноса при переменной подвижности носителей в базовой области [92] 4.4. Расчет предельной частоты реального транзистора [103] 4.5. Расчет соотношения предельных частот теоретической модели и реального транзистора при известной предельной частоте реального транзистора [115] 4.6. Время переноса дырок через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора [120] 4.7. Максимальная частота усиления по току дрейфового транзистора wT [123] Глава пятая. Эквивалентная схема дрейфового транзистора [127] 5.1. Введение [127] 5.2. П-образная эквивалентная схема теоретической модели дрейфового транзистора [128] 6.3. П-образная эквивалентная схема дрейфового транзистора [136] 5.4. Т-образная эквивалентная схема дрейфового транзистора [144] 5.5. Низкочастотная эквивалентная схема дрейфового транзистора [148] 5.6. Емкости переходов дрейфового транзистора [155] Глава шестая. Работа дрейфового транзистора в импульсном режиме [163] 6.1. Особенности импульсного режима транзисторов [163] 6.2. Коэффициент передачи тока дрейфового транзистора при большой плотности тока [166] 6.3. Переходная характеристика дрейфового транзистора [172] 6.4. Длительность переходных процессов дрейфового транзистора [179] 6.5. Влияние емкостей переходов на переходные процессы в транзисторе [183] Глава седьмая. Влияние температуры на физические параметры дрейфовых транзисторов [190] 7.1. Общие сведения [190] 7.2. Концентрация основных и неосновных носителей в базе дрейфового транзистора в диапазоне температур [191] 7.3. Температурная зависимость подвижности носителей [196] 7.4. Температурная зависимость времени пролета носителей и предельной частоты дрейфового транзистора [207] 7.5. Температурная зависимость проводимости слоя полупроводника [212] 7.6. Температурная зависимость времени жизни неосновных носителей в базе [214] 7.7. Диффузионная длина дырок [217] 7.8. Температурная зависимость параметров дрейфовых триодов, изготовленных из высокоомного германия [219] Глава восьмая. Влияние температуры на параметры эквивалентной схемы дрейфового транзистора [227] 8.1. Предварительные замечания [227] 8.2. Температурные зависимости активных сопротивлений базы и коллекторной области [228] 8.3. Температурная зависимость емкостей переходов [238] 8.4. Влияние температуры на коэффициент передачи тока на высоких частотах [242] 8.5. Влияние температуры на максимальную частоту генерации дрейфового транзистора [247] 8.6. Температурные зависимости низкочастотных параметров дрейфовых транзисторов [249] 8.7. Расчет влияния температуры на параметры высокочастотной эквивалентной схемы дрейфового транзистора [254] 8.8. Температурная зависимость параметров постоянного тока [262] 8.9. Сравнение температурных свойств дрейфовых и бездрейфовых транзисторов [270] Приложение. Технические данные отечественных транзисторов дрейфового типа (П401 - П403А, П410 - П411, П414 - П415Б, П416 - П416Б) [273] Литература [299] |
Формат: | djvu + ocr |
Размер: | 29529992 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 182 |
Открыть: | Ссылка (RU) |