Дрейфовые транзисторы (Спиридонов Н. С., Вертоградов В. И.)

Дрейфовые транзисторы

Автор(ы):Спиридонов Н. С., Вертоградов В. И.
13.05.2022
Год изд.:1964
Описание: Рассматривается теория, технология изготовления, эквивалентные схемы, частотные свойства и температурные зависимости параметров маломощных дрейфовых транзисторов. Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением схем на транзисторах, производством и конструированием транзисторов, а также для студентов высших учебных заведений.
Оглавление:
Дрейфовые транзисторы — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [3]
Принятые обозначения [6]
Глава первая. Понятие о бездрейфовых и дрейфовых транзисторах [13]
Глава вторая. Технология изготовления дрейфовых транзисторов [21]
  2.1. Диффузия примесей в твердый полупроводник [21]
  2.2. Изготовление p-n перехода методом диффузии примесей в полупроводник [25]
  2.3. Методы изготовления высокочастотных дрейфовых транзисторов [30]
  2.4. Расчет распределения примесей в базе и коллекторном переходе дрейфового транзистора [43]
Глава третья. Теория дрейфового транзистора [54]
  3.1. Основные допущения [54]
  3.2. Электрическое поле в базовой области. Уравнение переноса носителей дрейфового транзистора [56]
  3.3. Решение уравнения переноса носителей дрейфового транзистора [63]
  3.4. Матрица проводимости теоретической модели дрейфового транзистора [71]
Глава четвертая. Частотные свойства дрейфового транзистора [80]
  4.1. Частотная зависимость коэффициента передачи дрейфового транзистора [80]
  4.2. Расчет предельной частоты коэффициента переноса дрейфового транзистора при постоянной подвижности носителей в базе [86]
  4.3. Предельная частота коэффициента переноса при переменной подвижности носителей в базовой области [92]
  4.4. Расчет предельной частоты реального транзистора [103]
  4.5. Расчет соотношения предельных частот теоретической модели и реального транзистора при известной предельной частоте реального транзистора [115]
  4.6. Время переноса дырок через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора [120]
  4.7. Максимальная частота усиления по току дрейфового транзистора wT [123]
Глава пятая. Эквивалентная схема дрейфового транзистора [127]
  5.1. Введение [127]
  5.2. П-образная эквивалентная схема теоретической модели дрейфового транзистора [128]
  6.3. П-образная эквивалентная схема дрейфового транзистора [136]
  5.4. Т-образная эквивалентная схема дрейфового транзистора [144]
  5.5. Низкочастотная эквивалентная схема дрейфового транзистора [148]
  5.6. Емкости переходов дрейфового транзистора [155]
Глава шестая. Работа дрейфового транзистора в импульсном режиме [163]
  6.1. Особенности импульсного режима транзисторов [163]
  6.2. Коэффициент передачи тока дрейфового транзистора при большой плотности тока [166]
  6.3. Переходная характеристика дрейфового транзистора [172]
  6.4. Длительность переходных процессов дрейфового транзистора [179]
  6.5. Влияние емкостей переходов на переходные процессы в транзисторе [183]
Глава седьмая. Влияние температуры на физические параметры дрейфовых транзисторов [190]
  7.1. Общие сведения [190]
  7.2. Концентрация основных и неосновных носителей в базе дрейфового транзистора в диапазоне температур [191]
  7.3. Температурная зависимость подвижности носителей [196]
  7.4. Температурная зависимость времени пролета носителей и предельной частоты дрейфового транзистора [207]
  7.5. Температурная зависимость проводимости слоя полупроводника [212]
  7.6. Температурная зависимость времени жизни неосновных носителей в базе [214]
  7.7. Диффузионная длина дырок [217]
  7.8. Температурная зависимость параметров дрейфовых триодов, изготовленных из высокоомного германия [219]
Глава восьмая. Влияние температуры на параметры эквивалентной схемы дрейфового транзистора [227]
  8.1. Предварительные замечания [227]
  8.2. Температурные зависимости активных сопротивлений базы и коллекторной области [228]
  8.3. Температурная зависимость емкостей переходов [238]
  8.4. Влияние температуры на коэффициент передачи тока на высоких частотах [242]
  8.5. Влияние температуры на максимальную частоту генерации дрейфового транзистора [247]
  8.6. Температурные зависимости низкочастотных параметров дрейфовых транзисторов [249]
  8.7. Расчет влияния температуры на параметры высокочастотной эквивалентной схемы дрейфового транзистора [254]
  8.8. Температурная зависимость параметров постоянного тока [262]
  8.9. Сравнение температурных свойств дрейфовых и бездрейфовых транзисторов [270]
Приложение. Технические данные отечественных транзисторов дрейфового типа (П401 - П403А, П410 - П411, П414 - П415Б, П416 - П416Б) [273]
Литература [299]
Формат: djvu
Размер:29529992 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 85 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)