Аналоговые интегральные схемы

Автор(ы):Соклоф Сидней
06.10.2007
Год изд.:1988
Описание: В книге профессора Калифорнийского университета (США) рассмотрены физические, технологические и схемотехнические принципы проектирования и производства аналоговых ИС. Уровень изложения материала соответствует современным достижениям микроэлектроники. Последовательно описаны методы изготовления и структура ИС, интегральные схемы источников тока, дифференциальных и операционных усилителей, компараторов, микросхемы специального назначения. Для студентов, аспирантов и преподавателей вузов по специальностям электроника, радиотехника и связь, а также специалистов соответствующих отраслей.
Оглавление: От редактора перевода [5]
Предисловие [8]
Глава 1. Технология изготовления интегральных схем [11]
  1.1. Основные операции в технологии изготовления кремниевых приборов [11]
  1.2. Подготовка кремниевых пластин [11]
  1.3. Диффузия [18]
  1.4. Окисление [39]
  1.5. Фотолитография [46]
  1.6. Химическое осаждение из газовой фазы [52]
  1.7. Нанесение металлизации [59]
  Задачи [63]
  Литература [68]
Глава 2. Интегральные схемы [69]
  2.1. Характеристики pn-перехода [69]
  2.2. Эпитаксиальная структура [73]
  2.3. Технологический цикл изготовления пленарного эпитаксиального диода [77]
  2.4. Пленарный эпитаксиальный транзистор [78]
  2.5. Разделение пластин на кристаллы и присоединение кристалла к основанию [80]
  2.6. Технологический цикл изготовления полевого транзистора с pn-переходом [81]
  2.7. Технологический цикл изготовления МОП-транзистора [83]
  2.8. Изоляция элементов ИС [91]
  2.9. Топология транзистора и его площадь [96]
  2.10. pnp-транзисторы [98]
  2.11. Полевые транзисторы с pn-переходом в интегральных схемах [101]
  2.12. МОП-транзисторы для ИС [134]
  2.13. Комплементарные МОП-транзисторы [109]
  2.14. Диоды в интегральных схемах [113]
  2.15. Резисторы в интегральных схемах [121]
  2.16. Конденсаторы в интегральных схемах [131]
  2.17. Индуктивности в ИС [134]
  2.18. Перемычки в ИС [135]
  2.19. Методы создания диэлектрической изоляции [136]
  2.20. Изопланарная технология и другие технологические варианты [141]
  2.21. Контактные площадки и поле кристалла [143]
  2.22. Размер кристалла и уровень сложности ИС [145]
  2.23. Проблема отвода тепла [149]
  Задачи [155]
  Литература [160]
Глава 3. Источники постоянного тока, напряжения и опорного напряжения [161]
  3.1. Источники постоянного тока [161]
  3.2. Источники напряжения [193]
  3.3. Источники опорного напряжения, не зависящие от изменения температуры [201]
  Задачи [224]
  Литература [240]
Глава 4. Дифференциальные усилители [241]
  4.1. Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах [241]
  4.2. Дифференциальные усилители на полевых транзисторах [258]
  4.3. Активная нагрузка [264]
  4.4. Дифференциальный усилитель на составных транзисторах [272]
  4.5. Дифференциальный усилитель с диапазоном входного напряжения, содержащим нулевой потенциал [274]
  4.6. Ось симметрии [275]
  Задачи [278]
  Литература [281]
Глава 5. Характеристики и применение ОУ [282]
  5.1. Интегральные схемы [282]
  5.2. Введение в теорию операционных усилителей [283]
  5.3. Анализ схем на основе ОУ с обратной связью с помощью уравнений узловых потенциалов [288]
  5.4. Погрешность и стабильность коэффициента усиления [294]
  5.5. Частотная характеристика [297]
  5.6. Переходная характеристика [301]
  5.7. Напряжение смещения [303]
  5.8. Входной ток смещения [307]
  5.9. Коэффициент усилении синфазного сигнала [309]
  5.10. Входное сопротивление [312]
  5.11. Выходное сопротивление [314]
  5.12. Рассеиваемая мощность и ограничение по току [316]
  5.13. Влияние обратной связи на искажения [318]
  5.14. Коэффициент ослабления нестабильности источника питания [320]
  5.15. Шумы [321]
  5.16. Термины и определения [326]
  5.17. Сравнительный анализ характеристик реального и идеального операционного усилителя [331]
  5.18. Устойчивость ОУ [333]
  5.19. Применение ОУ [350]
  5.20. Активные фильтры [360]
  5.21. Фильтры с переключаемыми конденсаторами [375]
  Задачи [379]
  Литература [412]
Глава 6. Проектирование схем ОУ [414]
  6.1. Анализ схем ОУ [414]
  6.2. Примеры расчета схем ОУ [422]
  6.3. ОУ на полевых транзисторах [443]
  6.4. ОУ Нортона [402]
  6.5. Одиночные, сдвоенные и счетверенные ОУ [466]
  6.6. ОУ с улучшенными рабочими характеристиками [468]
  6.7. Буферы с единичным усилением [470]
  Задачи [471]
  Литература [478]
Глава 7. Компараторы напряжения [479]
  7.1. Характеристики компаратора [481]
  7.2. Компараторы с положительной обратной связью [482]
  7.3. Схемотехника компаратора [484]
  7.1. Время рассасывания объемного заряда транзистора [490]
  7.3. Методы повышения быстродействия [495]
  7.6. Коэффициент усиления КМОП-инвентора [511]
  7.7. КМОП — компаратор напряжения [512]
  Задачи [515]
  Литература [520]
Глава 8. Интегральные схемы специального назначения [521]
  8.1. Стабилизаторы напряжения [521]
  8.2. Интегральные усилители мощности [524]
  8.3. Видеоусилители [526]
  8.4. Цифро-аналоговые преобразователи [529]
  8.5. Аналого-цифровые преобразователи [531]
  8.6. Балансный модулятор/демодулятор [540]
  8.7. Генератор, управляемый напряжением [541]
  8.8. Фазовая автоподстройка частоты [541]
  8.9. Умножители, делители и функциональные генераторы [547]
  8.10. Температурные датчики на основе ИС [550]
  8.11. Интегральные датчики магнитного поля [550]
  8.12. ИС-датчики давления [550]
  8.13. Аналоговые ключи [551]
  8.14. Схема выборки и хранения [552]
  8.15. Приборы с переносом заряда [552]
  8.16. Оптоэлектронные ИС [555]
  8.17. Другие типы ИС специального назначения [557]
  Литература [558]
Приложения
  A. Физические постоянные, коэффициенты преобразования, параметры [562]
  Б. Проводимости транзистора [562]
  B. Малосигнальные эквивалентные схемы транзистора [575]
Предметный указатель [579]
Формат: djvu
Размер:6718170 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 176 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)