Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА (Пономарев М. Ф.)

Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА

Автор(ы):Пономарев М. Ф.
06.10.2007
Год изд.:1982
Описание: Рассмотрены конструкции гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем, их элементов и основы их конструирования: обеспечение функциональной точности, тепловые режимы, паразитные связи и помехи, надежность, технико-экономические аспекты конструирования и производства, методики разработки конструкций. Для студентов вузов. Может быть полезен инженерно-техническим работникам электронной и радиотехнической промышленности.
Оглавление: Предисловие [3]
Введение [5]
Глава 1. Элементы и компоненты гибридных интегральных микросхем [11]
  § 1.1. Резисторы  [11]
  § 1.2. Конденсаторы [35]
  § 1.3. ДС-структуры с распределенными параметрами [45]
  § 1.4. Пленочные катушки индуктивности [50]
  § 1.5. Конструкции и свойства бескорпусных полупроводниковых приборов [51]
Глава 2. Конструкции гибридных интегральных микросхем и микросборок [56]
  § 2.1. Функциональный и интегрально-групповой принципы компоновки микросхем с различной степенью интеграции [56]
  § 2.2. Подложки [57]
  § 2.3. Пленочный монтаж [59]
  § 2.4. Корпуса [67]
  § 2.5. Типовые конструкции ГИС и МСБ [72]
  § 2.6. Критерии оценки качества конструкции ИС [77]
Глава 3. Основы конструирования гибридных и больших гибридных интегральных микросхем [78]
  § 3.1. Обеспечение функциональной точности ГИС [78]
  § 3.2. Тепловые режимы гибридных ИС [86]
  § 3.3. Паразитные связи и помехи в ИС [97]
  § 3.4. Обеспечение механической прочности конструкции ИС [108]
  § 3.5. Надежность гибридных ИС [109]
  § 3.6. Оценка технико-экономических показателей гибридных ИС [115]
  § 3.7. Методика разработки конструкции ИС. Конструкторская документация [118]
Глава 4. Активные и пассивные элементы полупроводниковых ИС [127]
  § 4.1. Методы изоляции элементов ИС [127]
  § 4.2. Физические процессы в диодах и биполярных транзисторах [131]
  § 4.3. Конструкции диодов полупроводниковых ИС [158]
  § 4.4. Конструкции биполярных транзисторов ИС [166]
  § 4.5. Физические процессы в МДП-транзисторах [177]
  § 4.6. Вольт-амперные характеристики и статические параметры МДП-транзисторов [183]
  § 4.7. Основные конструктивно-технологические разновидности МОП-транзисторов [188]
  § 4.8. Резисторы [193]
  § 4.9. Конденсаторы [202]
  § 4.10. Коммутация элементов микросхем. Конструкции выводов [207]
Глава 5. Основы конструирования полупроводниковых ИС и БИС [214]
  § 5.1. Большие интегральные схемы [214]
  § 5.2. Логические элементы ИС и БИС [219]
  § 5.3. Микросхемы с функционально-интегрированными элементами [226]
  § 5.4. Полупроводниковые БИС памяти [234]
  § 5.5. Паразитные эффекты в конструкциях полупроводниковых ИС [243]
  § 5.6. Корпуса. Тепловой режим [245]
  § 5.7. Разработка конструкций полупроводниковых интегральных микросхем [256]
Глава 6. Функциональные микроэлектронные элементы и устройства [261]
  § 6.1. Общие замечания [261]
  § 6.2. Устройства на основе цилиндрических магнитных доменов [266]
  § 6.3. Приборы с зарядовой связью [267]
  § 6.4. Акустоэлектронные устройства [278]
  § 6.5. Оптоэлектронные устройства [281]
  § 6.6. Электротепловые функциональные элементы [284]
Список литературы [287]
Формат: djvu
Размер:4054851 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 361 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)