Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА

Автор(ы):	Пономарев М. Ф. 06.10.2007
Год изд.:	1982
Описание:	Рассмотрены конструкции гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем, их элементов и основы их конструирования: обеспечение функциональной точности, тепловые режимы, паразитные связи и помехи, надежность, технико-экономические аспекты конструирования и производства, методики разработки конструкций. Для студентов вузов. Может быть полезен инженерно-техническим работникам электронной и радиотехнической промышленности.
Оглавление:	Предисловие [3] Введение [5] Глава 1. Элементы и компоненты гибридных интегральных микросхем [11] § 1.1. Резисторы [11] § 1.2. Конденсаторы [35] § 1.3. ДС-структуры с распределенными параметрами [45] § 1.4. Пленочные катушки индуктивности [50] § 1.5. Конструкции и свойства бескорпусных полупроводниковых приборов [51] Глава 2. Конструкции гибридных интегральных микросхем и микросборок [56] § 2.1. Функциональный и интегрально-групповой принципы компоновки микросхем с различной степенью интеграции [56] § 2.2. Подложки [57] § 2.3. Пленочный монтаж [59] § 2.4. Корпуса [67] § 2.5. Типовые конструкции ГИС и МСБ [72] § 2.6. Критерии оценки качества конструкции ИС [77] Глава 3. Основы конструирования гибридных и больших гибридных интегральных микросхем [78] § 3.1. Обеспечение функциональной точности ГИС [78] § 3.2. Тепловые режимы гибридных ИС [86] § 3.3. Паразитные связи и помехи в ИС [97] § 3.4. Обеспечение механической прочности конструкции ИС [108] § 3.5. Надежность гибридных ИС [109] § 3.6. Оценка технико-экономических показателей гибридных ИС [115] § 3.7. Методика разработки конструкции ИС. Конструкторская документация [118] Глава 4. Активные и пассивные элементы полупроводниковых ИС [127] § 4.1. Методы изоляции элементов ИС [127] § 4.2. Физические процессы в диодах и биполярных транзисторах [131] § 4.3. Конструкции диодов полупроводниковых ИС [158] § 4.4. Конструкции биполярных транзисторов ИС [166] § 4.5. Физические процессы в МДП-транзисторах [177] § 4.6. Вольт-амперные характеристики и статические параметры МДП-транзисторов [183] § 4.7. Основные конструктивно-технологические разновидности МОП-транзисторов [188] § 4.8. Резисторы [193] § 4.9. Конденсаторы [202] § 4.10. Коммутация элементов микросхем. Конструкции выводов [207] Глава 5. Основы конструирования полупроводниковых ИС и БИС [214] § 5.1. Большие интегральные схемы [214] § 5.2. Логические элементы ИС и БИС [219] § 5.3. Микросхемы с функционально-интегрированными элементами [226] § 5.4. Полупроводниковые БИС памяти [234] § 5.5. Паразитные эффекты в конструкциях полупроводниковых ИС [243] § 5.6. Корпуса. Тепловой режим [245] § 5.7. Разработка конструкций полупроводниковых интегральных микросхем [256] Глава 6. Функциональные микроэлектронные элементы и устройства [261] § 6.1. Общие замечания [261] § 6.2. Устройства на основе цилиндрических магнитных доменов [266] § 6.3. Приборы с зарядовой связью [267] § 6.4. Акустоэлектронные устройства [278] § 6.5. Оптоэлектронные устройства [281] § 6.6. Электротепловые функциональные элементы [284] Список литературы [287]
Формат:	djvu
Размер:	4054851 байт
Язык:	РУС
Рейтинг:	50


Открыть:	Ссылка (RU)