Полупроводниковая оптоэлектроника

Автор(ы):Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б.
15.06.2010
Год изд.:1976
Описание: В последние годы на стыке радиоэлектроники и физики полупроводников возникла новая область науки и техники — полупроводниковая оптоэлектроника, находящая широкие применения: от фотоприемников до полупроводниковых лазеров. Настоящая книга — первое учебно-монографическое пособие по полупроводниковой оптоэлектронике. Один из авторов, Т. Мосс, хорошо известен советским специалистам, в частности по переводу его монографии «Оптические свойства полупроводников», материал которой частично использован в общетеоретических разделах данной книги. В книге рассмотрены взаимодействие света с полупроводниками, физические принципы работы приборов оптоэлектроники и методики расчета их характеристик, материалы, используемые в оптоэлектронике. Книга интересна как ученым, занимающимся физикой твердого тела и физикой полупроводников, так и инженерам-исследователям, технологам и разработчикам оптоэлектронных устройств, ламп, преобразователей, лазеров. Она может быть с успехом использована и как учебное пособие.
Оглавление:
Полупроводниковая оптоэлектроника — обложка книги.
Предисловие редактора русского издания [5]
Предисловие авторов [7]
Система единиц [8]
Глава 1. Оптические константы твердого тела [9]
  1.1. Электромагнитные волны [9]
  1.2. Поведение электромагнитной волны на поверхности [12]
  1.3. Отражение на границе между воздухом и проводящей средой [17]
  1.4. Преломление на границе раздела между воздухом и проводником [21]
  1.5. Многократное отражение в тонких пленках [23]
  1.6. Интерференционные эффекты в полупроводниковых лазерах [27]
Глава 2. Теория дисперсии [31]
  2.1. Классическая теория дисперсии в диэлектриках [31]
  2.2. Свойства единственного классического осциллятора [32]
  2.3. Квантовомеханическая теория дисперсии [36]
  2.4. Взаимосвязь между оптическими константами [37]
  2.5. Дисперсия и поглощение свободными носителями [44]
  2.6. Плазменное отражение [50]
Глава 3. Процессы поглощения в полупроводниках [56]
  3.1. Спектры поглощения и отражения [56]
  3.2. Прямые переходы [63]
  3.3. Непрямые переходы [70]
  3.4. Экситонное поглощение [76]
  3.5. Зависимость края поглощения от температуры и давления [82]
  3.6. Поглощение и отражение в электрическом поле [86]
  3.7. Поглощение в сильно легированных полупроводниках [90]
  3.8. Поглощение локализованными примесями [96]
Глава 4. Магнитооптические эффекты [102]
  4.1. Электроны в магнитном поле [102]
  4.2. Магнитооптика свободных носителей [102]
  4.3. Квантовомеханическое описание энергетических состояний в магнитном поле [116]
  4.4. Различные эффекты, связанные с циклотронным резонансом [121]
  4.5. Влияние магнитного поля на состояния в запрещенной зоне [130]
Глава 5. Фотоэлектрические явления [133]
  5.1. Введение [133]
  5.2. Уравнения переноса с учетом оптической генерации [134]
  5.3. Фотодиффузионный эффект [139]
  5.4. Фотопроводимость [142]
  5.5. Фотоэлектромагнитный эффект [149]
  5.6. Рекомбинация [153]
  5.7. Фотовольтаические эффекты [157]
  5.8. Внешняя фотоэмиссия электронов [164]
  5.9. Эффект фотонного давления [168]
Глава 6. Полупроводниковые фотоприемники [170]
  6.1. Введение [170]
  6.2. Критерии оценки свойств приемника [172]
  6.3. Шумы приемников [173]
  6.4. Фотопроводящие приемники [176]
  6.5. Фотовольтаические приемники [185]
  6.6. Фотоэлектромагнитные приемники [193]
  6.7. Усиление фотопроводимости [196]
  6.8. Солнечные элементы [196]
Глава 7. Эмиссия излучения из полупроводников [203]
  7.1. Излучательные процессы в полупроводниках [203]
  7.2. Излучательная способность [205]
  7.3. Межзонная излучательная рекомбинация [207]
  7.4. Излучательная рекомбинация на локальных энергетических состояниях [211]
  7.5. Процессы безызлучательной рекомбинации [222]
Глава 8. Полупроводниковые лазеры и некогерентные источники света (светодиоды) [225]
  8.1. Физические процессы в полупроводниковых лазерах [225]
  8.2. Инжекция и рекомбинация в р-n-переходах [229]
  8.3. Взаимосвязь между скоростями спонтанного и вынужденного излучения [233]
  8.4. Вычисление коэффициента усиления и скорости спонтанной эмиссии [235]
  8.5. Условия генерации в инжекционных лазерах [239]
  8.6. Квантовая эффективность инжекционных лазеров [244]
  8.7. Лазеры с ограничением [245]
  8.8. Потенциальные возможности полупроводников с непрямыми переходами как лазерных материалов [246]
  8.9. Светодиоды [247]
Глава 9. Нелинейные оптические эффекты [251]
  9.1. Введение [251]
  9.2. Квадратичные поляризационные эффекты [254]
  9.3. Кубические поляризационные эффекты [262]
  9.4. Генерация новой электромагнитной волны [270]
Глава 10. Полупроводники группы IV [281]
  10.1. Введение [281]
  10.2. Германий [281]
  10.3. Кремний [299]
  10.4. Карбид кремния [316]
Глава 11. Соединения АIIIВV [326]
  11.1. Общие сведения [326]
  11.2. Антимонид индия [332]
  11.3. Арсенид индия [340]
  11.4. Арсенид галлия [346]
  11.5. Фосфид галлия [357]
  11.6. Тройные сплавы соединений AIIIBV [364]
Глава 12. Халькогениды свинца, олова и кадмий-ртути [369]
  12.1. Введение [369]
  12.2. Сульфид, селенид и теллурид свинца [369]
  12.3. Сплавы халькогенидов свинца и олова [385]
  12.4. Теллурид кадмий-ртути [393]
  12.5. Перспективы развития приемников в диапазоне 8—14 мкм [399]
Приложение [400]
Литература [402]
Авторский указатель [421]
Предметный указатель [425]
Указатель соединений [428]
Формат: djvu
Размер:3569503 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 369 Рейтинг
Открыть: