Основы матричного анализа и синтеза применительно к электронике

Автор(ы):Зелингер Дж.
03.04.2009
Год изд.:1970
Описание: В книге рассматриваются основные операции анализа и синтеза, производимые с помощью матриц четырехполюсников (как пассивных, так и активных) типов ABCD, Z, Y, h, g. Показаны способы перехода от одного типа матриц к другому. Подробно поясняется, как с помощью матриц производить расчеты усилителей - однокаскадных и многокаскадных - как на лампах, так и, главным образом, на транзисторах. Рассматривается также применение метода матриц к расчету генераторных схем. Книга предназначена для широкого круга инженеров, занимающихся разработкой транзисторных схем, а также для студентов вузов радиоэлектронного профиля.
Оглавление: Предисловие редактора [5]
Предисловиеавтора [6]
Часть I. ОСНОВЫ МАТРИЧНОГО АНАЛИЗА И СИНТЕЗА
  1. Обзор основных математических операций с матрицами и детерминантами [9]
    а) Матрицы и детерминанты; сходства и различия [9]
    б) Сложение и вычитание [12]
    в) Умножение [13]
    г) Обратная матрица [16]
  2. Математические модели нагруженного четырехполюсника [19]
    а) Матрица ||Z|| нагруженного четырехполюсника [20]
    б) Матрица ||Y|| нагруженного четырехполюсника [25]
    в) Матрица ||h|| нагруженного четырехполюсника [23]
    г) Матрица ||g|| нагруженного четырехполюсника [33]
    д) Матрица ||ABCD|| нагруженного четырехполюсника [37]
  3. Соотношение между матрицами. Преобразование одних матриц в другие [44]
    а) Преобразование матрицы ||Z|| в матрицу ||Y|| [45]
    б) Преобразование матрицы ||g|| в матрицу ||h|| [46]
    в) Преобразование матрицы ||Y|| в матрицу ||AВСD|| [48]
    г) Преобразование матрицы ||h|| в матрицу ||ABCD|| [50]
    д) Таблица преобразования матриц [52]
  4. Элементы синтеза матриц и модели четырехполюсников [55]
    а) Одноэлементные четырехполюсники [55]
    б) Матрицы ||Z|| и ||Y|| двухэлементного Г-образного четырехполюсника [57]
    в) Матрицы ||Z|| и ||Y|| трехэлементного четырехполюсника [59]
    г) Применение матрицы ||ABCD|| к синтезу простых моделей четырехполюсников [61]
    д) Соединения четырехполюсников. Синтез обобщенных математических моделей [66]
Литература [77]
Часть II. ПРИМЕНЕНИЕ МАТРИЧНЫХ МЕТОДОВ К ТРАНСФОРМАЦИИ ПОЛНЫХ СОПРОТИВЛЕНИ
  1. Общие сведения о трансформации полных сопротивлений и согласовании по характеристическим сопротивлениям [78]
  2. Согласование пассивных и активных четырехполюсников по характеристическим сопротивлениям [82]
    а) Согласование по характеристическим сопротивлениям в параметрах обобщенной матрицы ||ABCD|| [82]
    б) Согласование по характеристическим сопротивлениям в параметрах матрицы ||Z|| [85]
    в) Согласование по характеристическим сопротивлениям в параметрах матрицы ||h|| [87]
    г) Согласование по характеристическим сопротивлениям в параметрах любой матрицы [89]
  3. Применение матрицы ||Z|| к согласованию по характеристическим сопротивлениям для случая комплексной нагрузки и усилителя высокой частоты [90]
    а) Постановка задачи [90]
    б) Синтез математической модели. Условия согласования по характеристическим сопротивлениям [93]
Литература [97]
Часть III. МАТРИЧНЫЙ АНАЛИЗ И СИНТЕЗ СХЕМ С ЭЛЕКТРОННЫМИ ЛАМПАМИ И ТРАНЗИСТОРАМИ
Вводные замечания [98]
  1. Линейные модели и матрицы электронных ламп [100]
    а) Общие определения [100]
    б) Неопределенная матрица проводимостей трехэлектродной лампы [104]
    в) Преобразование матрицы проводимостей триода в матрицу любого другого вида [109]
Литература [117]
  2. Матрица ||Z|| однокаскадного лампового усилителя [118]
    а) Усилитель с заземленным катодом [118]
    б) Усилитель с отрицательной обратной связью [120]
Литература [124]
  3. Расчет однокаскадного транзисторного усилителя. Применение матрицы ||h|| или обобщенной матрицы ||AВСD|| [125]
    а) Введение [125]
    б) Общие соображения о цели расчета [125]
    в) Соединение транзистора с внешними четырехполюсниками. Определение параметров матриц [126]
    г) Математическая модель транзистора в виде матрицы ||ABCD||, выраженной через гибридные параметры h [128]
    д) Входное полное сопротивление [129]
    е) Выходное полное сопротивление [131]
    ж) Усиление по току [133]
    з) Усиление по напряжению [133]
    и) Усиление по мощности [134]
Литература [135]
  4. Однокаскадный транзисторный усилитель со сложной отрицательной обратной связью. Применение матриц ||Y|| и ||ABCD|| [136]
    а) Вводные замечания [136]
    б) Формулировка цели расчета усилителя [137]
    в) Синтез усилителя со сложной отрицательной обратной связью [140]
    г) Анализ матрицы [141]
    д) Усиление по току [147]
    е) Усиление по напряжению [149]
    ж) Входное полное сопротивление [150]
    з) Выходное сопротивление [152]
    и) Заключительные замечания [153]
Литература [156]
  5. Двухкаскадный транзисторный усилитель с отрицательной обратной связью по напряжению. Применение матрицы ||h|| [157]
    а) Синтез математической модели [157]
    б) Усиление по напряжению [161]
    в) Усиление по току [163]
    г) Входное полное сопротивление [164]
    д) Выходное полное сопротивление [165]
    е) Сводка результатов [169]
Литература [169]
  6. Двухкаскадный транзисторный усилитель с отрицательной обратной связью по току. Применение матрицы ||g|| [170]
    а) Синтез математической модели [170]
    б) Усиление по напряжению [174]
    в) Усиление по току [176]
    г) Входное сопротивление [179]
    д) Выходное сопротивление [180]
    е) Сводка результатов [183]
Литература [183]
  7. Трехкаскадныи транзисторный усилитель с отрицательной обратной связью. Применение матриц ||h|| и ||Z|| [184]
    а) Общие соображения [184]
    б) Определения, касающиеся модели однокаскадного усилителя без обратной связи [185]
    в) Определения, касающиеся трехкаскадного усилителя без обратной связи [186]
    г) Трехкаскадныи усилитель с обратной связью. Матрица ||Z|| [188]
    д) Усиление по напряжению [192]
    е) Усиление по току [193]
    ж) Входное сопротивление [194]
    з) Выходное сопротивление [195]
    и) Заключительное замечание [198]
Литература [198]
  8. Генераторные схемы. Применение матриц ||Y|| и ||h|| [199]
    а) Вводные замечания [199]
    б) Схемы генераторов [200]
    в) Трехточечная схема генераторов с емкостной связью с заземленным анодом [201]
    г) Трехточечная схема генератора с емкостной связью на транзисторе с заземленным эмиттером [209]
Литература [215]
Приложение [217]
Предметный указатель [231]
Формат: djvu
Размер:3651526 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 174 Рейтинг
Открыть: