Резонансные усилители на транзисторах
| Автор(ы): | Барулин Л. Г.
03.03.2013
|
| Год изд.: | 1969 |
| Описание: | В работе освещены методы проектирования и расчета резонансных усилителей на транзисторах. Основное внимание обращено на вопросы, не отраженные еще в литературе либо требующие дополнительного исследования: расчет усилителей с учетом особенностей транзисторов; использование справочных данных транзисторов; дополнение ряда теоретических положений по устойчивости схем; рекомендации по применению конкретных усилителей. Впервые в литературе делается попытка при расчете учесть влияние паразитных внешних связей в реальных конструкциях. Несмотря на исследование ряда чисто теоретических вопросов и применение сравнительно сложного матричного математического аппарата, анализ схем доведен до практических рекомендаций и простых расчетных формул. Книгой могут воспользоваться широкий круг специалистов, а также студенты старших курсов радиотехнических вузов. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Принятые обозначения [5] Глава 1. Использование транзисторов в резонансных усилителях 1.1. Особенности работы транзисторов в резонансных усилителях [7] 1.2. Эквивалентная схема транзистора [8] 1.3. У-параметры транзисторов [15] 1.4. У-параметры усилителей ОЭ—ОБ, 0.9—0.9, ОБ—ОБ [22] 1.5. Зависимость (параметров транзистора от температуры и режима работы [26] 1.6. Воспроизводимость параметров транзисторов [28] Глава 2. Устойчивость электронных схем 2.1. Методы расчета устойчивости схем. Запас по устойчивости [30] 2.2. Изменение характеристического уравнения схемы при эквивалентном преобразовании цепи [35] 2.3. Условия применимости метода эквивалентных преобразований при анализе устойчивости схем [40] Глава 3. Расчет однокаскадного резонансного усилителя 3.1. Схема однокаскадного резонансного усилителя и основные допущения [42] 3.2. Расчет усилителя при произвольных параметрах схемы [44] 3.3. Расчет усилителя при согласовании по m2 [50] 3.4. Расчет усилителя при оптимальном соотношении между усилением и добротностью [52] 3.5. Область реализуемых значений К и Q. Последовательность расчета каскада [53] 3.6. Максимальное характеристическое сопротивление контура [56] 3.7. Минимальная реализуемая добротность контура [59] 3.8. Устойчивость однокаскадного усилителя [60] 3.9. Устойчивость усилителя при малых проводимостях нагрузок [64] 3.10. Влияние внутренней обратной связи на параметры усилителя. Физический смысл условий устойчивости [65] 3.11. Максимально допустимее усиление однокаскадного усилителя [69] Глава 4. Исследование схем конкретных однокаскадных усилителей 4.1. Общие замечания [72] 4.2. Схема ОБ [74] 4.3. Схема 0.9 [78] 4.4. Схема ОЭ—ОБ [81] 4.6. Схема ОЭ—ОЭ [84] 4.6. Схема ОБ—ОБ [87] 4.7. Сравнение различных однокаскадных усилителей. Рекомендации по применению [89] 4.8. Однокаскадный усилитель с постоянной реактивностью, включенной на входе или выходе [92] Глава 5. Расчет многокаскадных усилителей 5.1. Схема многокаскадного усилителя и основные допущения [95] 5.2. Устойчивость многокаскадного усилителя. Физический смысл условия устойчивости [97] 5.3. Максимально допустимое усиление многокаскадного усилителя [103] 5.4. Паразитные связи в реальных резонансных усилителях [105] 5.5. Максимально допустимое усиление при учете внешних и внутренних паразитных обратных связей [110] 5.6. Методика расчета многокаскадных усилителей [115] 5.7. Особенности применения реальных усилительных схем в многокаскадных усилителях [118] Глава 6. Расчет усилительного каскада по постоянному току 6.1. Расчет цепи стабилизации рабочей точки [125] 6.2. Типовые схемы питания транзистора по постоянному току. Выбор режима работы транзистора [139] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 3015111 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
184
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |