Резонансные усилители на транзисторах

Автор(ы):Барулин Л. Г.
03.03.2013
Год изд.:1969
Описание: В работе освещены методы проектирования и расчета резонансных усилителей на транзисторах. Основное внимание обращено на вопросы, не отраженные еще в литературе либо требующие дополнительного исследования: расчет усилителей с учетом особенностей транзисторов; использование справочных данных транзисторов; дополнение ряда теоретических положений по устойчивости схем; рекомендации по применению конкретных усилителей. Впервые в литературе делается попытка при расчете учесть влияние паразитных внешних связей в реальных конструкциях. Несмотря на исследование ряда чисто теоретических вопросов и применение сравнительно сложного матричного математического аппарата, анализ схем доведен до практических рекомендаций и простых расчетных формул. Книгой могут воспользоваться широкий круг специалистов, а также студенты старших курсов радиотехнических вузов.
Оглавление:
Резонансные усилители на транзисторах — обложка книги.
Предисловие [3]
Принятые обозначения [5]
Глава 1. Использование транзисторов в резонансных усилителях
  1.1. Особенности работы транзисторов в резонансных усилителях [7]
  1.2. Эквивалентная схема транзистора [8]
  1.3. У-параметры транзисторов [15]
  1.4. У-параметры усилителей ОЭ—ОБ, 0.9—0.9, ОБ—ОБ [22]
  1.5. Зависимость (параметров транзистора от температуры и режима работы [26]
  1.6. Воспроизводимость параметров транзисторов [28]
Глава 2. Устойчивость электронных схем
  2.1. Методы расчета устойчивости схем. Запас по устойчивости [30]
  2.2. Изменение характеристического уравнения схемы при эквивалентном преобразовании цепи [35]
  2.3. Условия применимости метода эквивалентных преобразований при анализе устойчивости схем [40]
Глава 3. Расчет однокаскадного резонансного усилителя
  3.1. Схема однокаскадного резонансного усилителя и основные допущения [42]
  3.2. Расчет усилителя при произвольных параметрах схемы [44]
  3.3. Расчет усилителя при согласовании по m2 [50]
  3.4. Расчет усилителя при оптимальном соотношении между усилением и добротностью [52]
  3.5. Область реализуемых значений К и Q. Последовательность расчета каскада [53]
  3.6. Максимальное характеристическое сопротивление контура [56]
  3.7. Минимальная реализуемая добротность контура [59]
  3.8. Устойчивость однокаскадного усилителя [60]
  3.9. Устойчивость усилителя при малых проводимостях нагрузок [64]
  3.10. Влияние внутренней обратной связи на параметры усилителя. Физический смысл условий устойчивости [65]
  3.11. Максимально допустимее усиление однокаскадного усилителя [69]
Глава 4. Исследование схем конкретных однокаскадных усилителей
  4.1. Общие замечания [72]
  4.2. Схема ОБ [74]
  4.3. Схема 0.9 [78]
  4.4. Схема ОЭ—ОБ [81]
  4.6. Схема ОЭ—ОЭ [84]
  4.6. Схема ОБ—ОБ [87]
  4.7. Сравнение различных однокаскадных усилителей. Рекомендации по применению [89]
  4.8. Однокаскадный усилитель с постоянной реактивностью, включенной на входе или выходе [92]
Глава 5. Расчет многокаскадных усилителей
  5.1. Схема многокаскадного усилителя и основные допущения [95]
  5.2. Устойчивость многокаскадного усилителя. Физический смысл условия устойчивости [97]
  5.3. Максимально допустимое усиление многокаскадного усилителя [103]
  5.4. Паразитные связи в реальных резонансных усилителях [105]
  5.5. Максимально допустимое усиление при учете внешних и внутренних паразитных обратных связей [110]
  5.6. Методика расчета многокаскадных усилителей [115]
  5.7. Особенности применения реальных усилительных схем в многокаскадных усилителях [118]
Глава 6. Расчет усилительного каскада по постоянному току
  6.1. Расчет цепи стабилизации рабочей точки [125]
  6.2. Типовые схемы питания транзистора по постоянному току. Выбор режима работы транзистора [139]
Формат: djvu
Размер:3015111 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 248 Рейтинг
Открыть: