Применение интегральных микросхем памяти: Справочник
Автор(ы): | Дерюгин А. А. и др.
26.02.2013
|
Год изд.: | 1994 |
Описание: | В книге рассматриваются два типа интегральных запоминающих устройств (ЗУ): ЗУ на больших интегральных микросхемах (БИС) и ЗУ на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Приводятся классификация, параметры и принципы построения БИС ЗУ. Описываются особенности организации систем памяти на БИС и вопросы конструирования различных типов ЗУ. Рассматриваются также физика работы, основные параметры, типы микросхем, организация памяти на ЦМД. Даются рекомендации по построению практических схем ЗУ, приводятся примеры их расчета и использования в различных устройствах. Издание предназначено для инженерно-технических работников, занятых разработкой и эксплуатацией устройств цифровой вычислительной техники и автоматики. |
Оглавление: |
Обложка книги.
Предисловие [5]Введение [5] Глава 1. Полупроводниковые БИС запоминающих устройств [8] 1.1. Классификация полупроводниковых БИС ЗУ [8] 1.2. Структурные схемы БИС ОЗУ статического типа [10] 1.3. Элементы памяти ОЗУ статического типа [11] 1.4. Особенности входных и выходных каскадов БИС ОЗУ [12] 1.5. Элемент памяти и БИС ОЗУ динамического типа [13] 1.6. Элементы памяти и БИС ПЗУ [14] 1.7. Элементы памяти энергонезависимых ОЗУ [17] 1.8. Электрические параметры БИС ЗУ [17] 1.8.1. Общие положения [17] 1.8.2. Система статических параметров БИС ЗУ [25] 1.8.3. Система динамических параметров БИС ЗУ [25] 1.9. Конструктивное выполнение БИС ЗУ [28] Глава 2. Структура и организация систем памяти на БИС ЗУ [34] 2.1. Основы организации систем памяти на БИС ЗУ [34] 2.2. Взаимодействие процессора с памятью [36] 2.3. Работа иерархической памяти в многопроцессорных системах [39] 2.4. Некоторые результаты моделирования иерархической структуры оперативной памяти [39] 2.5. Специализированные БИС ЗУ для современных ЭВМ [41] Глава 3. Конструирование запоминающих устройств на БИС [43] 3.1. Конструирование узлов запоминающих устройств на БИС [43] 3.1.1. Проектирование конструкции ТЭЗ [43] 3.1.2. Проектирование конструкции блока и стойки ЗУ [48] 3.2. Помехоустойчивость ЗУ на БИС ЗУ [49] 3.2.1. Помехи в линиях связи и цепях управления [49] 3.2.2. Помехи в шинах питания и общей шине [52] 3.2.3. Помехи в ЗУ из-за внешних воздействий и переключения напряжения питания [54] 3.3. Обеспечение температурных режимов блоков ЗУ [55] Глава 4. Регистровые запоминающие устройства [59] 4.1. Общие сведения [59] 4.2. Адресные РЗУ с произвольным доступом [60] 4.3. Безадресные РЗУ [66] Глава 5. Проектирование оперативных запоминающих устройств [70] 5.1. Общие сведения [70] 5.2. Постановка задачи проектирования модуля ОЗУ [71] 5.3. Методика расчета модуля ОЗУ [71] 5.4. Примеры построения модулей статических ОЗУ [76] 5.4.1. Модуль ОЗУ информационной емкостью 2 Мбита на nМДП БИС [76] 5.4.2. Модуль ОЗУ информационной емкостью 256 Кбайт на КМДП БИС [82] 5.5. Энергонезависимые модули статических ОЗУ [86] 5.6. Динамические ОЗУ [87] 5.7. Особенности проектирования динамических ОЗУ [89] 5.8. Пример построения модуля динамического ОЗУ [89] Глава 6. Постоянные запоминающие устройства [97] 6.1. Общие сведения [97] 6.2. Масочные и программируемые ПЗУ [99] 6.2.1. Масочные ПЗУ [99] 6.2.2. Программируемые ПЗУ [99] 6.2.3. Программирование микросхем КМ1623РТ1 [99] 6.3. Примеры построения модулей ППЗУ [102] 6.3.1. Модуль ППЗУ информационной емкостью 128 Кбайт [102] 6.3.2. Модуль ППЗУ информационной емкостью 256 Кбайт с применением импульсного питания для БИС ППЗУ [105] 6.4. Репрограммируемые ПЗУ [109] 6.4.1. РПЗУ, стираемые ультрафиолетовым облучением [109] 6.4.2. РПЗУ с электрической записью и стиранием информации [112] 6.5. Примеры построения модулей РПЗУ [112] 6.5.1. Модуль РПЗУ информационной емкостью 128 Кбайт на БИС РПЗУ с УФ-стиранием [112] 6.5.2. Модуль РПЗУ информационной емкостью 64 Кбайта на БИС с электрической записью и электрическим стиранием информации [115] 6.6. Применение ПЗУ [119] 6.6.1. Применение ПЗУ в качестве преобразователей кода [119] 6.6.2. Выполнение арифметических операций с помощью ПЗУ [122] 6.6.3. Применение ПЗУ в генераторах символов [124] 6.6.4. Применение ПЗУ в микропрограммных устройствах управления [126] 6.7. Программируемые логические матрицы [127] 6.7.1. Основные применения ПЛМ [127] 6.7.2. Применение ПЛМ в устройствах управления [131] 6.7.3. Применение программируемых матриц логики [132] Глава 7. Ассоциативные запоминающие устройства [133] 7.1 Структура и общие принципы работы АЗУ [133] 7.2. Элементы и узлы БИС АЗУ [135] 7.3. Особенности применения БИС АЗУ [139] Глава 8. Надежность полупроводниковых запоминающих устройств [144] 8.1. Общие сведения [144] 8.2. Надежность БИС ЗУ [144] 8.3. Виды и причины отказов элементов полупроводниковых ЗУ [146] 8.4. Отказы модулей и блоков ЗУ [148] 8.5. Методы обеспечения надежности ЗУ на этапах изготовления и эксплуатации [149] 8.6. Методы обеспечения отказоустойчивости полупроводниковых ЗУ [152] 8.7. Расчет надежности полупроводниковых ЗУ [155] 8.8. Методика расчета показателей надежности ЗУ с корректирующими кодами [160] Глава 9. Микросхемы на цилиндрических магнитных доменах [161] 9.1. Физические свойства ЦМД [161] 9.2. Запись, стирание и считывание информации в ЦМД-микросхемах [162] 9.3. Информационные структуры ЦМД-микросхем [168] 9.4. Конструкция и параметры ЦМД-микросхем [169] Глава 10. Аппаратные средства ЗУ на цилиндрических магнитных доменах [171] 10.1. ЦМД-накопители [171] 10.2. Контроллеры ЦМД ЗУ [181] 10.3. Источники питания. Аварийные режимы работы ЦМД ЗУ [186] 10.4. ЦМД ЗУ с аккумуляторными источниками питания [189] Глава 11. Алгоритхмическое обеспечение и программные средства ЗУ на цилиндрических магнитных доменах [191] 11.1. Анализ способов размещения информации в ЦМД-накопителях [191] 11.2. Оптимизация функции отображения адресных пространств в ЦМД-эмуляторах [192] 11.3. Отображение адресных пространств в ЦМД-накопителях с попарным считыванием сцепленных страниц [194] 11.4. Методы адресации в ЦМД ЗУ [195] 11.5. Оценка быстродействия ЦМД ЗУ [195] Глава 12. Тестирование микросхем на цилиндрических магнитных доменах и модулей ЦМД-накопителя [196] 12.1. Причины и характеристики отказов ЦМД-микросхем [196] 12.2. Аппаратура и методы контроля ЦМД-микросхем. Автоматизированные системы контроля ЦМД-микросхем [197] 12.3. Аппаратные и программные средства для настройки и тестирования модулей ЦМД-накопителя [202] Глава 13. Направления развития ЦМД-микросхем [207] 13.1. Увеличение плотности записи в ионно-им-плантированных структурах [207] 13.2. Повышение быстродействия ЦМД-микросхем за счет применения токового управления [209] 13.3. Микросхемы на вертикальных блоховских линиях со сверхвысокой информационной плотностью [215] Список литературы [224] |
Формат: | djvu |
Размер: | 12422829 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 241 |
Открыть: | Ссылка (RU) |