Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ

Автор(ы):Данилин В. Н., Кушниренко А. И., Петров Г. В.
12.12.2012
Год изд.:1985
Описание: В книге изложены вопросы, связанные с разработкой и изготовлением аналоговых полупроводниковых микросхем СВЧ диапазона. Подробно описаны активные и пассивные элементы микросхем и приведены их эквивалентные схемы и методы расчета. Детально рассмотрены особенности расчета и реализации некоторых функциональных узлов устройств СВЧ диапазона в виде полупроводниковых микросхем. Описана технология изготовления таких устройств. Издание предназначено для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием приемно-усилительной аппаратуры СВЧ диапазона.
Оглавление:
Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ — обложка книги.
Предисловие [3]
Введение [4]
Глава 1. Полевые транзисторы с затвором Шотки [8]
  1.1. Принцип работы [9]
  1.2. Статические характеристики [9]
  1.3. Эквивалентные схемы [12]
  1.4. Шумовые характеристики [20]
  1.5. Двухзатворные полевые транзисторы [29]
  1.6. Особенности изготовления и применения мощных ПТШ [33]
Глава 2. Пассивные элементы полупроводниковых микросхем [38]
  2.1. Линии с распределенными параметрами [38]
  2.2. Связанные микрополосковые линии [47]
  2.3. Плоские катушки индуктивности [54]
  2.4. Конденсаторы [59]
  2.5 Сосредоточенные резисторы [72]
Глава 3. Особенности конструирования полупроводниковых микросхем [74]
  3.1. Цепи согласования и смещения [75]
  3.2. Влияние отрицательносмещенной полупроводниковой подложки [77]
  3.3. Элементы конструкции полупроводниковых микросхем [79]
  3.4. Влияние технологического разброса на параметры элементов и микросхем [82]
  3.5. Контроль параметров микросхем [85]
Глава 4. Линейные СВЧ усилители [87]
  4.1. Основные характеристики [87]
  4.2. Схемы включения транзисторов [90]
  4.3. Усилители с непосредственными связями [97]
  4.4. Согласование с помощью активных приборов [103]
  4.5. Усилители с распределенным усилением [110]
  4.6. Микросхемы линейных усилителей [114]
  4.7. Усилители мощности [118]
Глава 5. Автогенераторы [123]
  5.1. Автогенераторы с фиксированной частотой генерации [124]
  5.2. Оценка влияния параметров пассивных элементов на характеристики автогенератора [132]
  5.3. Влияние разброса параметров транзистора на характеристики автогенератора [135]
  5.4. Полупроводниковые микросхемы автогенераторов [138]
Глава 6. Смесители [141]
  6.1. Принцип работы и основные параметры [141]
  6.2. Смесители на полевых транзисторах с затвором Шотки [143]
  6.3. Смесители на полевых транзисторах с двумя затворами Шотки [149]
Глава 7. Применение полупроводниковых микросхем [156]
  7.1. Области использования микросхем на основе арсенида галлия [156]
  7.2. Функциональные узлы микросхем повышенной степени интеграции [158]
  7.3. Приемники наземных станций непосредственного телевизионного вещания [171]
  7.4. Приемопередающие модули АФАР [173]
Глава 8. Технология изготовления микросхем СВЧ диапазона [175]
  8.1. Полупроводниковые материалы для реализации СВЧ микросхем [175]
  8.2. Методы получения пластин исходного материала [178]
  8.3. Изоляция элементов микросхем [181]
  8.4. Особенности технологии создания СВЧ микросхем на арсениде галлия [183]
  Список литературы [188]
Формат: djvu
Размер:4824777 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 228 Рейтинг
Открыть: