Переходные процессы в транзисторных каскадах, изд. 2
| Автор(ы): | Файзулаев Б. Н.
16.07.2012
|
| Год изд.: | 1968 |
| Издание: | 2 |
| Описание: | В связи с массовым внедрением транзисторов в радиоэлектронную аппаратуру необходимо более глубокое изучение свойств типовых транзисторных схем и, в первую очередь, схем с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Эти три основные включения транзистора представляют собой наиболее распространенный в полупроводниковой электронике тип схем, причем любая более сложная схема часто может быть представлена как то или иное сочетание этих трех включений. В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Предлагаемое второе издание по отношению первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями. Книга рассчитана на широкий круг радиоспециалистов, занимающихся вопросами теории и расчета аппаратуры на транзисторах. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
1.1. Постановка задачи. Исходные положения [4] 1.2. Эквивалентная схема транзистора [13] 1.3. Переходные характеристики транзистора [27] Глава 2. Каскад с общей базой 2.1. Общие свойства [46] 2.2. Входное сопротивление [47] 2.3. Выходное сопротивление [50] 2.4. Переходные характеристики [53] Глава 3. Каскад с общим эмиттером 3.1. Общие свойства [60] 3.2. Входное сопротивление [60] 3.3. Выходное сопротивление [64] 3.4. Переходные характеристики [67] 3.5. Добротность каскада [84] 3.6. Переходные процессы в режиме переключения [89] Глава 4. Каскад с общим коллектором (эмиттерный повторитель) 4.1. Общие свойства [112] 4.2. Входное сопротивление [113] 4.3. Выходное сопротивление [121] 4.4. Переходные характеристики [128] 4.5. Демпфирование колебаний в эмиттерном повторителе [140] 4.6. Генерация эмиттерных повторителей и способы ее устранения [146] 4.7. Особенности работы эмиттерного повторителя в режиме больших сигналов [158] Глава 5. Каскад с эмиттерной противосвязью 5.1. Общие свойства [168] 5.2. Входное сопротивление [169] 5.3. Выходное сопротивление [173] 5.4. Переходные характеристики [178] 5.5. Добротность каскада [192] 5.6. Многокаскадные усилители [198] Приложение I. Некоторые приближенные методы расчета сложных переходных процессов [206] Приложение II. Связь предельных частот fт, fп и fм с параметрами Т-образной эквивалентной схемы транзистора [222] Приложение III. Преобразования некоторых употребительных функций [237] Приложение IV. Стационарные низкочастотные параметры полупроводниковых каскадов [240] Литература [246] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 4762663 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
152
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |