Переходные процессы в транзисторных каскадах

Автор(ы):Файзулаев Б. Н.
16.07.2012
Год изд.:1968
Издание:2
Описание: В связи с массовым внедрением транзисторов в радиоэлектронную аппаратуру необходимо более глубокое изучение свойств типовых транзисторных схем и, в первую очередь, схем с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Эти три основные включения транзистора представляют собой наиболее распространенный в полупроводниковой электронике тип схем, причем любая более сложная схема часто может быть представлена как то или иное сочетание этих трех включений. В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Предлагаемое второе издание по отношению первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями. Книга рассчитана на широкий круг радиоспециалистов, занимающихся вопросами теории и расчета аппаратуры на транзисторах.
Оглавление:
Переходные процессы в транзисторных каскадах — обложка книги.
Глава 1. Введение
  1.1. Постановка задачи. Исходные положения [4]
  1.2. Эквивалентная схема транзистора [13]
  1.3. Переходные характеристики транзистора [27]
Глава 2. Каскад с общей базой
  2.1. Общие свойства [46]
  2.2. Входное сопротивление [47]
  2.3. Выходное сопротивление [50]
  2.4. Переходные характеристики [53]
Глава 3. Каскад с общим эмиттером
  3.1. Общие свойства [60]
  3.2. Входное сопротивление [60]
  3.3. Выходное сопротивление [64]
  3.4. Переходные характеристики [67]
  3.5. Добротность каскада [84]
  3.6. Переходные процессы в режиме переключения [89]
Глава 4. Каскад с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
  4.1. Общие свойства [112]
  4.2. Входное сопротивление [113]
  4.3. Выходное сопротивление [121]
  4.4. Переходные характеристики [128]
  4.5. Демпфирование колебаний в эмиттерном повторителе [140]
  4.6. Генерация эмиттерных повторителей и способы ее устранения [146]
  4.7. Особенности работы эмиттерного повторителя в режиме больших сигналов [158]
Глава 5. Каскад с эмиттерной противосвязью
  5.1. Общие свойства [168]
  5.2. Входное сопротивление [169]
  5.3. Выходное сопротивление [173]
  5.4. Переходные характеристики [178]
  5.5. Добротность каскада [192]
  5.6. Многокаскадные усилители [198]
Приложение I. Некоторые приближенные методы расчета сложных переходных процессов [206]
Приложение II. Связь предельных частот fт, fп и fм с параметрами Т-образной эквивалентной схемы транзистора [222]
Приложение III. Преобразования некоторых употребительных функций [237]
Приложение IV. Стационарные низкочастотные параметры полупроводниковых каскадов [240]
Литература [246]
Формат: djvu
Размер:4762663 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 219 Рейтинг
Открыть: