Микрофотоэлектроника

Автор(ы):Бараночников М. Л.
13.02.2012
Год изд.:1978
Описание: В последние годы в стране и подотрасли начали осваиваться новые направления техники. Одним их таких направлений является микрофотоэлектроника - новое направление техники, которое существенно отличается от тех традиционных направлений, которые давно освоены на предприятии. Микрофотоэлектроника использует принципы проектирования и технологии изготовления, применяемые в смежных отраслях: в оптике и микроэлектронике, вакуумной и криогенной технике, радиоэлектронике и приборостроении и др. Цель настоящего пособия помочь руководителям и молодым специалистам восполнить существующий пробел, чтобы понять основные принципы функционирования изделий микрофотоэлектроники, особенности их конструирования, применения и производства. Данное пособие, ни в коем случае, не является учебником, в нем излагаются только основы микрофотоэлектроники.
Оглавление:
Микрофотоэлектроника — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие [2]
Введение [3]
Литература к главе Введение [14]
Глава 1. Физические основы ИК-техники [16]
  1.1. Оптическое излучение. Основные понятия и законы [16]
    1.1.1. Инфракрасное излучение [17]
    1.1.2. Энергетические и светотехнические характеристики излучения [18]
    1.1.3. Связь между энергетическими и светотехническими единицами измерений [21]
    1.1.4. Основные законы ИК-излучения [23]
      1.1.4.1. Закон Ламберта [24]
      1.1.4.2. Закон Кирхгофа [24]
      1.1.4.3. Закон Стефана-Больцмана [25]
      1.1.4.1. Закон Вина [25]
  Литература к главе 1 [26]
Глава 2. Источники инфракрасного излучения [27]
  Литература к главе 2 [36]
Глава 3. Инфракрасные системы [37]
  3.1. Общие понятия [37]
  3.2. Многоканальные ИК-системы [49]
  3.3. Пороговая чувствительность и дальность действия ИК-систем [50]
  Литература к главе 3 [52]
Глава 4. Взаимодействие оптического излучения с оптическими средами и полупроводниками [53]
  4.1.Взаимодействие излучения с оптическими элементами [53]
    4.1.1. Оптические элементы, используемые в приемниках излучения [53]
      4.1.1.1. Входные окна [53]
      4.1.1.2. Световоды [53]
      4.1.1.3. Оптические фильтры [55]
    4.1.14. Иммерсионная оптика [56]
  4.2. Материалы, используемые для изготовления оптических элементов [58]
  4.3. Просветление оптических элементов [63]
  4.4. Поглощение излучения полупроводниками [65]
    4.4.1. Собственное поглощение излучения [65]
    4.4.2. Примесное поглощение излучения [66]
  Литература к главе 4 [67]
Глава 5. Приемник излучения - основной элемент ИК-системы [68]
5.1. Классификация приемников и преобразователей ИК-излучения [68]
  Литература к главе 5 [71]
Глава 6. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках и их приборная реализация [72]
  6.1. Основные процессы, используемые в полупроводниковых приемниках излучения [72]
  6.2. Принципы приборной реализации явлений фотопроводимости в полупроводниковых приемниках излучения [75]
    6.2.1. Фоторезистор. Принцип работы [75]
      6.2.1.1. Фоторезистор. Приборная реализация [76]
      6.2.1.2. Фоторезистор. Вариант оценочного расчета параметров охлаждаемого фоторезистора [81]
    6.2.2. Фотодиод с р-n переходом. Принцип работы [85]
      6.2.2.1. Фотодиод с р-n переходом. Приборная реализация [87]
      6.2.2.2 Фотодиод с р-n переходом. Вариант оценочного расчета параметров охлаждаемого фотодиода [89]
    6.2.3. PIN фотодиод. Принцип работы [94]
      6.2.3.1. PIN фотодиод. Приборная реализация [95]
      6.2.3.2. PIN фотодиод. Вариант оценочного расчета параметров фотодиода [96]
    6.2.4. Лавинный фотодиод. Принцип работы [101]
    6.2.4. 1. Лавинный фотодиод. Приборная реализация [102]
    6.2.5. Фотогальваномагнитный приемник. Принцип работы [103]
      6.2.5.1.Фотогальваномагнитный приемник. Приборная реализация [104]
    6.2.6. Фотодиод Шоттки. Принцип работы [106]
    6.2.7. Фототранзистор. Принцип работы [107]
  6.3. Топология и расположение ф.ч.э. фотоприемников [109]
  Литература к главе 6 [110]
Глава 7. Классификация изделий микрофотоэлектроники и основные требования к их элементам [111]
  7.1. Классификация изделий функциональной микрофотоэлектроники [111]
  7.2.Основные требования к элементам, входящим в состав изделий функциональной микрофотоэлектроники [114]
    7.2.1 Пассивные компоненты [116]
    7.2.2 Активные компоненты [117]
  Литература к главе 7 [122]
Глава 8. Одноканальные фотоприемные устройства [123]
  8.1.Фотоприемные устройства на основе фоторезисторов [124]
    8.1.1. Состав и принципиальные схемы ФПУ на основе фоторезисторов [124]
    8.1.2. Элементы оценочного расчета основных параметров ФПУ [131]
  8.2. Фотоприемные устройства на основе фотодиодов и фототранзисторов [134]
    8.2.1. Фотоприемные устройства на основе пары фотодиод — операционный усилитель [135]
    8.2.2 Особенности работы ФПУ при низких уровнях освещенности [138]
    8.2.3. Частотная характеристика ФПУ на основе ОУ [138]
    8.2.4 Работа ФПУ на основе пары ФД — ОУ в логарифмическом режиме [142]
    8.2.5. Работа ФПУ на основе пары ФД — ОУ в линейном режиме при приеме немодулированного излучения [144]
    8.2.6.Основные требования к параметрам ОУ, используемых в ФПУ на основе пары ФД — ОУ [145]
  8.3. Особенности построения ФПУ на основе лавинных фотодиодов [146]
    8.3.1.Термостабилизация режима работы лавинного фотодиода [146]
    8.3.2. Схема температурной стабилизации коэффициента лавинного умножения опорным фотодиодом [147]
    8.3.3. Схема терморегулируемого источника смещения [148]
  8.4. Фотоприемные устройства на фототранзисторах [152]
  8.5. Особенности построения ФПУ для регистрации импульсных оптических сигналов [155]
    8.5.1. Схемы оптимизации отношения сигнал/шум [155]
    8.5.2. Схемы расширения динамического диапазона ФПУ [163]
  8.6. Система параметров и характеристик ФПУ [166]
  Литература к главе 8 [169]
Глава 9. Многоканальные фотоприемные устройства [170]
  9.1. Фотоприемные устройства и структуры с полной электрической развязкой [170]
  9.2. Фото приемные структуры с внутренними электрическими связями [173]
  9.3. Фотоприемные структуры с накоплением сигнала [184]
  9.4. МДП-фоточувствительные структуры с инжекцией заряда [193]
  Литература к главе 9 [195]
Глава 10. Многоэлементные фоточувствительные структуры на основе приборов с зарядовой связью [196]
  10.1. Принцип действия приборов с зарядовой связью и организация их структуры [197]
  10.2. Фотоэлектрические параметры ПЗС-структур [204]
  10.3. Принципы организации многоэлементных фотоприемников на основе ПЗС-структур [208]
  10.4. Система параметров и характеристик ФПЗС [213]
  Литература к главе 10 [215]
Глава 11. Формирователи сигналов изображения [216]
  11.1. Состав и организация формирователей сигналов изображения на основе приборов с зарядовой связью [216]
  11.2. Разработка твердотельных формирователей видеосигналов на основе ПЗС для работы в ПК-диапазоне [224]
  11.3. Формирователи видеосигналов на основе диодно-МОП (МДП) транзисторных структур [227]
  Литература к главе 11 [231]
Глава 12. Основные сведения о конструкциях изделий микрофотоэлектроники [232]
  12.1. Выбор основных параметров фоточувствительного элемента приемника излучения [233]
  12.2.Конструктивная реализация неохлаждаемых фотоприемников [236]
  12.3.Конструктивная реализация охлаждаемых фотоприемников [237]
  12.4. Возможные варианты конструкций фотоприемных устройств [248]
  Литература к главе 12 [253]
Глава 13. Некоторые аспекты проектирования и технологии изготовления изделий микрофотоэлектроники [254]
  13.1. Проверка обоснованности требований ТЗ и их реализуемости [254]
    13.1.1. Математическое моделирование [254]
    13.1.2. Машинное проектирование [258]
  13.2. Технология изготовления изделий микрофотоэлектроники и их основных элементов [262]
    13.2.1. Фотошаблоны и технология их изготовления [263]
    13.2.3. Полупроводниковая планарная технология [271]
    13.2.4. Гибридная технология [276]
    13.2.5. Особенности технологии изготовления фоточувствительных приборов на основе ПЗС [279]
    13.2.6. Толстопленочная технология [281]
    13.2.7. Технология изготовления печатных плат [285]
    13.2.8. Влияние условий производства [287]
    13.2.9. Требования к технологическому оборудованию [291]
    13.2.10. Сравнение возможных технологических процессов изготовления изделий [293]
    13.2.11. О внедрении автоматизированных систем управления технологическими процессами [294]
  13.3. Отдельные вопросы контроля качества изделий микрофотоэлектроники [295]
    13.3.1. Измерение параметров фотоприемников [295]
    13.3.2. Проблемы при измерении параметров фото приемных устройств [300]
    13.3.3. Методы неразрушающего контроля и их возможности [302]
Литература к главе 13 [306]
Заключение [307]
Формат: djvu
Размер:12544508 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 13 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)