Аморфные полупроводники и приборы на их основе

Автор(ы):Хамакава Й.
07.05.2016
Год изд.:1986
Описание: Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, их электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников. Для научных работников и специалистов металлургической, машиностроительной, авиационной, судостроительной промышленности, занимающихся вопросами материаловедения, полупроводниковой и электронной техники.
Оглавление:
Аморфные полупроводники и приборы на их основе — обложка книги.
Предисловие к русскому изданию [7]
Предисловие [11]
Хамакава Й. — История развития технологии аморфных полупроводников и приборов на их основе [12]
  Библиографический список [20]
Некоторые сведения из физики аморфных полупроводников [21]
  Йонезава ф. — Теория аморфных полупроводников в связи с новыми перспективами их применения [21]
  Абе Ш., Тойозава Ю. — Плотность состояний электронов и край оптического поглощения в аморфных полупроводниках [55]
  Катайама Й., Шимада Т. — Структура связей в сетках a-Si [48]
  Ширафуджи Дж., Инуиши И. — Дисперсионный перенос в a-Si:Н [64]
  Библиографический список [77]
Новые методы исследования аморфных полупроводников [81]
  Шимизу Т. — Электронный парамагнитный (ЭПР) и ядерный магнитный (ЯМР) резонансы [81]
  Моригаки К., Сано Е., Хирабаяши И. — Оптически детектируемый магнитный резонанс (ОДМР) в гидрогенизированиом аморфном кремнии [93]
  Танака К., Ямасаки С. — Фотоакустическая спектроскопия (ФАС). Оптическое поглощение в a-Si:Н при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны [104]
  Окуши X., Охеда X., Ташка К. — Спектроскопия состояний в запрещенной зоне [11]
  Ода М., Томита X., Шимизу И. — Изучение фотопроводимости методом видикона [132]
  Аояги Е., Сегава Ю., Окамотэ X. — Пикосекундная спектроскопия. [144]
  Библиографический список [155]
Новые сплавы на основе кремния, получаемые в тлеющем разряде [158]
  Юкимото Й. — Гидрогенизированные сплавы a-Si-Ge и их оптоэлектронные свойства [158]
  Тавада Й. — Управление типом и концентрацией носителей заряда в a-SiC:Н [170]
  Ташка К., Матсуда А. — Основные свойства мк-Si, полученного плазменным осаждением [185]
  Xupoсe М. — Получение и свойства твердых растворов [197]
  Библиографический список [206]
Солнечные элементы на основе аморфного кремния [208]
  Хамакава Й., Окамото X. — Физика прнбораи оптимальная конструкция солнечных элементов на основе аморфного кремния [208]
  Кувано Ю., Охниши М. — Интегральные солнечные модули на основе аморфного кремния [235]
  Харуки X., Учида Ю. — Солнечные элементы на основе аморфного кремния на подложке из нержавеющей стали [245]
  Юкимото Й. — Многослойные или каскадные солнечные элементы [257]
  Оканива X., Накатаны К. — Солнечные элементы на гибкой подложке [268]
  Библиографический список [280]
Электронные приборы на основе аморфных полупроводников [282]
  Сузуки К., Икеда М., Кикучи М. — Тонкопленочные транзисторы на основе аморфного кремния [282]
  Шираки Я., Маруяма Е. — Тонкопленочные транзисторы на основе поликрнсталлического кремния и их применение в дисплеях на жидких кристаллах [297]
  Мурасе К., Амемия Й., Мизушима Й. — Тройной аморфный сплав Si-Ge-B и его применение в высокоскоростных диодах с малыми потерями [306]
  Библиографический список [318]
Оптоэлектронные применения аморфных полупроводников [319]
  Маруяма Е. — Фотодатчики и устройства, формирующие изображения. [319]
  Шиосаки Т. — Оптические модуляторы и оптические элементы интегральных схем [332]
  Такенага М., Ямашита Т. — Оптические запоминающие устройства с большим объемом памяти [344]
  Кавамура Т., Ямамото Накаяма Е. — Применение аморфных полупроводников в электрофотографии [360]
  Библиографический список [371]
Предметный указатель [373]
Формат: djvu
Размер:4664937 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 13 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU) Ссылка (FR)

Поделиться мнением о книге:

Загружается форма комментирования ...